SIC
close
画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
IS43DR16128A-3DBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16128A-3DBLI -
RFQ
ECAD 9768 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 84-LFBGA IS43DR16128 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-lfbga( 10.5x13.5) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 162 333 MHz 揮発性 2Gbit 450 PS ドラム 128m x 16 平行 15ns
IS64WV6416DBLL-10CTLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV6416DBLL-10CTLA3 4.5034
RFQ
ECAD 6583 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜125°C(タタ 表面マウント 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) IS64Wv6416 sram-非同期 2.4V〜3.6V 44-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 135 揮発性 1mbit 10 ns sram 64k x 16 平行 10ns
IS46TR16128B-125KBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16128B-125KBLA2 -
RFQ
ECAD 4150 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 -40°C〜105°C (TC) 表面マウント 96-TFBGA IS46TR16128 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA (9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 190 800 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 15ns
IS43R16320D-5BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16320D-5BL 8.4157
RFQ
ECAD 5348 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 新しいデザインではありません 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 60-TFBGA IS43R16320 SDRAM -DDR 2.5V〜2.7V 60-tfbga (8x13) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 190 200 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 32m x 16 平行 15ns
IS61WV5128BLL-10KLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV5128BLL-10KLI 3.6124
RFQ
ECAD 1180 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - チューブ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 36-bsoj(0.400 "、10.16mm 幅) IS61WV5128 sram-非同期 1.65v〜3.6V 36-SOJ ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 19 揮発性 4mbit 10 ns sram 512k x 8 平行 10ns
IS43R83200F-6TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R83200F-6TL 2.8899
RFQ
ECAD 2750 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - チューブ アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 66-TSSOP (0.400 "、10.16mm 幅) IS43R83200 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 108 166 MHz 揮発性 256mbit 700 ps ドラム 32m x 8 平行 15ns
IS42SM32160C-75BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42SM32160C-75BL-TR -
RFQ
ECAD 3137 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) sicで中止されました 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 90-lfbga IS42SM32160 sdram-モバイル 2.7V〜3.6V 90-WBGA (8x13) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 2,500 133 MHz 揮発性 512mbit 5.4 ns ドラム 16m x 32 平行 -
IS46TR16640BL-125KBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16640BL-125KBLA1 -
RFQ
ECAD 8583 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 トレイ 廃止 -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 96-TFBGA IS46TR16640 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-TWBGA (9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 706-IS46TR16640BL-125KBLA1 ear99 8542.32.0032 190 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 平行 15ns
IS45S32200L-7BLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S32200L-7BLA1-TR 4.5520
RFQ
ECAD 8261 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 90-TFBGA IS45S32200 SDRAM 3V〜3.6V 90-TFBGA (8x13) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 2,500 143 MHz 揮発性 64mbit 5.4 ns ドラム 2m x 32 平行 -
IS43DR86400C-3DBI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR86400C-3DBI-TR -
RFQ
ECAD 1830 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 60-TFBGA IS43DR86400 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-TWBGA (8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 2,000 333 MHz 揮発性 512mbit 450 PS ドラム 64m x 8 平行 15ns
IS61NLP102418-200TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP102418-200TQLI-TR -
RFQ
ECAD 8408 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 100-lqfp IS61NLP102418 sram- sdr 3.135V〜3.465V 100-lqfp(14x20) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 800 200 MHz 揮発性 18mbit 3.1 ns sram 1m x 18 平行 -
IS46TR16256A-125KBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16256A-125KBLA2 -
RFQ
ECAD 9268 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 -40°C〜105°C (TC) 表面マウント 96-TFBGA IS46TR16256 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA (9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 190 800 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 256m x 16 平行 15ns
IS61C6416AL-12TI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61C6416AL-12TI -
RFQ
ECAD 5518 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) IS61C6416 sram-非同期 4.5v〜5.5V 44-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2B 8542.32.0041 135 揮発性 1mbit 12 ns sram 64k x 16 平行 12ns
IS34ML04G084-TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS34ML04G084-TLI 11.7000
RFQ
ECAD 79 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) IS34ML04 フラッシュ-nand(slc) 2.7V〜3.6V 48-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 96 不揮発性 4gbit 25 ns フラッシュ 512m x 8 平行 25ns
IS42S83200G-7BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S83200G-7BL 5.9717
RFQ
ECAD 5662 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 新しいデザインではありません 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 54-TFBGA IS42S83200 SDRAM 3V〜3.6V 54-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 348 143 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 32m x 8 平行 -
IS64LPS102436B-166B2LA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64LPS102436B-166B2LA3 -
RFQ
ECAD 4777 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜125°C(タタ 表面マウント 119-BBGA IS64LPS102436 sram- sdr 3.135V〜3.465V 119-PBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 84 166 MHz 揮発性 36mbit 3.8 ns sram 1m x 36 平行 -
IS43LR16400C-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR16400C-6BLI 3.2873
RFQ
ECAD 1686 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 60-TFBGA IS43LR16400 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 60-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 300 166 MHz 揮発性 64mbit 5.5 ns ドラム 4m x 16 平行 15ns
IS46TR16512AL-125KBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16512AL-125KBLA2-TR -
RFQ
ECAD 5710 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜105°C (TC) 表面マウント 96-LFBGA IS46TR16512 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-lfbga (10x14) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 706-IS46TR16512AL-125KBLA2-TR ear99 8542.32.0036 2,000 800 MHz 揮発性 8gbit 20 ns ドラム 512m x 16 平行 15ns
IS49NLC36800-25EWBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC36800-25EWBLI -
RFQ
ECAD 8063 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 144-TFBGA IS49NLC36800 rldram 2 1.7V〜1.9V 144-TWBGA (11x18.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 104 400 MHz 揮発性 288mbit 15 ns ドラム 8m x 36 平行 -
IS62WV5128DBLL-45T2LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV5128DBLL-45T2LI -
RFQ
ECAD 2677 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ sicで中止されました -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 32-SOIC (0.400 "、幅 10.16mm) IS62WV5128 sram-非同期 2.3V〜3.6V 32-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 117 揮発性 4mbit 45 ns sram 512k x 8 平行 45ns
IS25WP064A-JBLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP064A-JBLE-TR 1.2600
RFQ
ECAD 4344 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) IS25WP064 フラッシュ - 1.65V〜1.95V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 133 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o 800µs
IS61QDP2B24M18A-333M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDP2B24M18A-333M3L 100.1770
RFQ
ECAD 4830 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 165-lbga IS61QDP2 sram- quadp 1.71V〜1.89V 165-lfbga(15x17) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 105 333 MHz 揮発性 72mbit 8.4 ns sram 4m x 18 平行 -
IS49NLC18320-33B ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC18320-33B -
RFQ
ECAD 8572 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 144-TFBGA IS49NLC18320 rldram 2 1.7V〜1.9V 144-FCBGA (11x18.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 104 300 MHz 揮発性 576mbit 20 ns ドラム 32m x 18 平行 -
IS46TR16256AL-15HBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16256AL-15HBLA1-TR -
RFQ
ECAD 8128 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 96-TFBGA IS46TR16256 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-TWBGA (9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,500 667 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 256m x 16 平行 15ns
IS62WV20488BLL-25MLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV2048888BLL-25MLI 19.3315
RFQ
ECAD 1324 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 48-TFBGA IS62WV20488 sram-非同期 2.4V〜3.6V 48-minibga ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 210 揮発性 16mbit 25 ns sram 2m x 8 平行 25ns
IS42S16160G-7BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160G-7BLI-TR 5.1800
RFQ
ECAD 11 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) 新しいデザインではありません -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 54-TFBGA IS42S16160 SDRAM 3V〜3.6V 54-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 2,500 143 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 16m x 16 平行 -
IS25WQ020-JBLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25wq020-jble -
RFQ
ECAD 6871 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - チューブ アクティブ -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) IS25WQ020 フラッシュ - 1.65V〜1.95V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 90 104 MHz 不揮発性 2mbit フラッシュ 256k x 8 spi 1ms
IS42S32800B-6BI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800B-6BI-TR -
RFQ
ECAD 1691 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 90-TFBGA IS42S32800 SDRAM 3V〜3.6V 90-TFBGA (8x13) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 2,500 166 MHz 揮発性 256mbit 5.5 ns ドラム 8m x 32 平行 -
IS42S16320F-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16320F-6BL 10.8395
RFQ
ECAD 6368 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 54-TFBGA IS42S16320 SDRAM 3V〜3.6V 54-TW-BGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 240 167 MHz 揮発性 512mbit 5.4 ns ドラム 32m x 16 平行 -
IS43DR16160B-25DBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16160B-25DBL-TR 2.3989
RFQ
ECAD 6040 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 84-TFBGA IS43DR16160 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-TWBGA (8x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 2,500 400 MHz 揮発性 256mbit 400 PS ドラム 16m x 16 平行 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫