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メモリ（533）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | メモリタイプ | メモリサイズ | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | sicプログラム可能 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SM662GEA-BD | - |  | 6551 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | - | トレイ | アクティブ | SM662 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | |||||||||||||||
| SM671PAB-ADST | - | | 9046 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-ufs™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜105°C | 表面マウント | 153-TFBGA | SM671 | フラッシュ-Nand （TLC） | - | 153-BGA （11.5x13 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 1984-sm671pab-adst | 廃止 | 1 | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | UFS2.1 | - | ||||
| SM662GEC-ACS | - | | 6008 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | - | トレイ | 廃止 | SM662 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | |||||||||||||||
| SM662PXC-ACS | - | | 5645 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | aec-q100 | トレイ | 廃止 | -25°C〜85°C | 表面マウント | 169-BGA | SM662 | フラッシュ-nand （mlc） | - | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 1984-1001 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 64gbit | フラッシュ | 8g x 8 | EMMC | - | |||
| SM662PE4-ach | - | | 7587 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | - | トレイ | アクティブ | SM662 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | |||||||||||||||
 | SM662GED BESS | 49.9300 | | 4 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | アクティブ | - | 表面マウント | 100-lbga | フラッシュ-Nand （TLC） | - | 100-BGA（14x18） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 1984-sm662gedbess | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 不揮発性 | - | フラッシュ | EMMC | - | ||||
| SM662GAA-BDSS | - | | 2844 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | 廃止 | -40°C〜105°C | 表面マウント | 153-TFBGA | SM662 | フラッシュ-nand（ slc ）、フラッシュ -nand（tlc） | - | 153-BGA （11.5x13 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 1984-SM662GAA-BDSS | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 40gbit | フラッシュ | 5g x 8 | EMMC | - | |||
| SM662GEE-BEST | 101.2100 | | 6970 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 100-lbga | SM662 | フラッシュ-Nand （TLC） | - | 100-BGA（14x18） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 1984-SM662GEE-BEST | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 2tbit | フラッシュ | 256g x 8 | EMMC | - | ||
| SM671PAFLBFSS | 140.4400 | | 3600 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | - | バルク | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 1984-SM671PAFLBFSS | 1 | |||||||||||||||||||
| SM662PBF BFSS | 184.1400 | | 5 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 153-TFBGA | フラッシュ-Nand （TLC） | - | 153-BGA （11.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 1984-SM662PBFBFSS | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,520 | 不揮発性 | - | フラッシュ | EMMC | - | |||||
| SM662ped Best | 48.7200 | | 5 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | アクティブ | - | 表面マウント | 100-lbga | フラッシュ-Nand （TLC） | - | 100-BGA（14x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 1984-sm662pedbest | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,520 | 不揮発性 | - | フラッシュ | EMMC | - | ||||
| SM662GXB-BDST | - | | 4671 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | - | トレイ | 廃止 | SM662 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | ||||||||||||||||
| SM662GXE-BDSS | - | | 8451 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | 廃止 | -25°C〜85°C | 表面マウント | 153-TFBGA | SM662 | フラッシュ-nand（ slc ）、フラッシュ -nand（tlc） | - | 153-BGA （11.5x13 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 1984-SM662GXE-BDSS | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 640GBIT | フラッシュ | 80g x 8 | EMMC | - | |||
| SM662GEA-AC | - | | 2847 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | - | トレイ | 廃止 | SM662 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | |||||||||||||||
| SM662GXD-BDST | - | | 1504 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | - | トレイ | 廃止 | SM662 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | ||||||||||||||||
| SM668PX4-AC | - | | 5600 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | - | トレイ | 廃止 | SM668 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8523.51.0000 | 1 | |||||||||||||||
| SM662GEA-BDST | - | | 6627 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C | 表面マウント | 100-lbga | SM662 | フラッシュ-Nand （TLC） | - | 100-BGA（14x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 1984-SM662GEA-BDST | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | EMMC | - | |||
| SM662GBC BFSS | 27.1300 | | 1833 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 100-lbga | SM662 | フラッシュ-nand（ slc ）、フラッシュ -nand（tlc） | - | 100-BGA（14x18） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 不揮発性 | 160gbit | フラッシュ | 20g x 8 | EMMC | - | ||||
| SM662PEA-BEST | - | | 5680 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 100-lbga | SM662 | フラッシュ-Nand （TLC） | - | 100-BGA（14x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 1984-SM662PEA-BEST | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | EMMC | - | ||
| SM668GEA-AC | - | | 7913 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | - | トレイ | 廃止 | SM668 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8523.51.0000 | 1 | |||||||||||||||
| SM668GE8-AC | - | | 8416 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | - | トレイ | 廃止 | SM668 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8523.51.0000 | 1 | |||||||||||||||
| SM662GEEベスト | 93.2900 | | 5 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | アクティブ | - | 表面マウント | 100-lbga | フラッシュ-Nand （TLC） | - | 100-BGA（14x18） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 不揮発性 | - | フラッシュ | EMMC | - | |||||
| SM662GEA-ACS | - | | 9096 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | - | トレイ | 廃止 | SM662 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | |||||||||||||||
| SM662px4-ach | - | | 6870 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | - | トレイ | アクティブ | SM662 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 確認されていません | ||||||||||||||
| SM662PAD-BDST | - | | 1727 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | 廃止 | -40°C〜105°C | 表面マウント | 100-lbga | SM662 | フラッシュ-Nand （TLC） | - | 100-BGA（14x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 1984-SM662PAD-BDST | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 1tbit | フラッシュ | 128g x 8 | EMMC | - | |||
| SM662GXD BESS | 49.0000 | | 98 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | アクティブ | - | 表面マウント | 100-lbga | フラッシュ-Nand （TLC） | - | 100-BGA（14x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 不揮発性 | - | フラッシュ | EMMC | - | |||||
| SM662PXE BFSS | 86.5300 | | 5 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | アクティブ | -25°C〜85°C | 表面マウント | 153-TFBGA | SM662 | フラッシュ-nand（ slc ）、フラッシュ -nand（tlc） | - | 153-BGA （11.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 1984-SM662PXEBFSS | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,520 | 不揮発性 | 640GBIT | フラッシュ | 80g x 8 | EMMC | - | |||
| SM671PEC-ADSS | - | | 7116 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-ufs™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C | 表面マウント | 153-TFBGA | SM671 | フラッシュ-nand（ slc ）、フラッシュ -nand（tlc） | - | 153-BGA （11.5x13 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 1984-SM671PEC-ADSS | 廃止 | 1 | 不揮発性 | 160gbit | フラッシュ | 20g x 8 | UFS2.1 | - | ||||
| SM662GXF BFSS | 173.8200 | | 5 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | アクティブ | -25°C〜85°C | 表面マウント | 100-lbga | フラッシュ-nand（ slc ）、フラッシュ -nand（tlc） | - | 100-BGA（14x18） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 1984-SM662GXFBFSS | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 不揮発性 | - | フラッシュ | EMMC | - | |||||
| SM662PBD BFST | 49.0000 | | 5 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 153-TFBGA | SM662 | フラッシュ-Nand （TLC） | - | 153-BGA （11.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 1984-SM662PBDBFST | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,520 | 不揮発性 | 1tbit | フラッシュ | 128g x 8 | EMMC | - |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
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