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メモリ（533）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | メモリタイプ | メモリサイズ | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SM662GEB-BDSS | - |  | 6287 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C | 表面マウント | 153-TFBGA | SM662 | フラッシュ-nand（ slc ）、フラッシュ -nand（tlc） | - | 153-BGA （11.5x13 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 1984-SM662GEB-BDSS | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 80gbit | フラッシュ | 10g x 8 | EMMC | - | ||
| SM671PEE-AD | - | | 5539 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | - | トレイ | アクティブ | SM671 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8523.51.0000 | 1 | ||||||||||||||
 | SM662PBFベス | 186.7700 | | 1833 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 153-TBGA | フラッシュ-nand（slc） | - | 153-BGA （11.5x13 | ダウンロード | 1984-SM662PBFベス | 1 | 不揮発性 | 4tbit | フラッシュ | 512g x 8 | EMMC | - | |||||||
| SM662GBE-BDSS | - | | 6246 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C | 表面マウント | 153-TFBGA | SM662 | フラッシュ-nand（ slc ）、フラッシュ -nand（tlc） | - | 153-BGA （11.5x13 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 1984-SM662GBE-BDSS | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 640GBIT | フラッシュ | 80g x 8 | EMMC | - | ||
| SM662GEE-BDSS | - | | 6922 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C | 表面マウント | 153-TFBGA | SM662 | フラッシュ-nand（ slc ）、フラッシュ -nand（tlc） | - | 153-BGA （11.5x13 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 1984-SM662GEE-BDSS | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 640GBIT | フラッシュ | 80g x 8 | EMMC | - | ||
| SM668GX4-AC | - | | 3955 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | - | トレイ | 廃止 | SM668 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8523.51.0000 | 1 | ||||||||||||||
| SM671PXA-AD | - | | 4840 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | - | トレイ | アクティブ | SM671 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8523.51.0000 | 1 | ||||||||||||||
| SM662GEA-BEST | - | | 6971 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 100-lbga | SM662 | フラッシュ-Nand （TLC） | - | 100-BGA（14x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 1984-SM662GEA-BEST | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | EMMC | - | |
| SM671ped-ad | - | | 6893 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | - | トレイ | アクティブ | SM671 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8523.51.0000 | 1 | ||||||||||||||
| SM662PBE-BDST | - | | 8566 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C | 表面マウント | 100-lbga | SM662 | フラッシュ-Nand （TLC） | - | 100-BGA（14x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 1984-SM662PBE-BDST | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 2tbit | フラッシュ | 256g x 8 | EMMC | - | ||
| SM671PBC-AFST | - | | 2818 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-ufs™ | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 153-TFBGA | SM671 | フラッシュ-Nand （TLC） | - | 153-BGA （11.5x13 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 1984-SM671PBC-AFST | 1 | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | UFS2.1 | - | |||
| SM671PBDLBFSS | 49.6300 | | 1169 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | - | バルク | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 1984-SM671PBDLBFSS | 1 | ||||||||||||||||||
| SM662GXA-AC | - | | 3270 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | - | トレイ | 廃止 | SM662 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | ||||||||||||||
| SM662PEC-BDST | - | | 9545 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | - | トレイ | 廃止 | SM662 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | |||||||||||||||
| SM662GEBベスト | 19.3600 | | 4938 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 100-lbga | SM662 | フラッシュ-nand（ slc ）、フラッシュ -nand（tlc） | - | 100-BGA（14x18） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 1984-SM662GEB-BEST | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | EMMC | - | |
| SM662PXA-BD | - | | 2124 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | - | トレイ | アクティブ | SM662 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | ||||||||||||||
 | SM662PEC BFSS | 25.7200 | | 4698 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 153-TFBGA | SM662 | フラッシュ-nand（ slc ）、フラッシュ -nand（tlc） | - | 153-BGA （11.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 1984-SM662PECBFSS | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,520 | 不揮発性 | 160gbit | フラッシュ | 20g x 8 | EMMC | - | ||
| SM671PEE-BFSS | 88.6300 | | 2065 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-ufs™ | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 153-TBGA | フラッシュ-nand（slc） | - | 153-BGA （11.5x13 | ダウンロード | 1984-SM671PEE-BFSS | 1 | 不揮発性 | 640GBIT | フラッシュ | 80g x 8 | UFS2.1 | - | |||||||
| SM671PAD-BFSS | 48.5400 | | 9206 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-ufs™ | バルク | アクティブ | -40°C〜105°C | 表面マウント | 153-TBGA | フラッシュ-nand（slc） | - | 153-BGA （11.5x13 | ダウンロード | 1984-SM671PAD-BFSS | 1 | 不揮発性 | 320GBIT | フラッシュ | 40g x 8 | UFS2.1 | - | |||||||
| SM662GXA-BD | - | | 7939 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | - | トレイ | アクティブ | SM662 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | ||||||||||||||
| SM671PEE-AFST | - | | 7773 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-ufs™ | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 153-TFBGA | SM671 | フラッシュ-Nand （TLC） | - | 153-BGA （11.5x13 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 1984-SM671pee-afst | 1 | 不揮発性 | 2tbit | フラッシュ | 256g x 8 | UFS2.1 | - | |||
| SM662GBE BFST | 95.0300 | | 17 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 100-lbga | SM662 | フラッシュ-nand（ slc ）、フラッシュ -nand（tlc） | - | 100-BGA（14x18） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 1984-SM662GBEBFST | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 不揮発性 | 2tbit | フラッシュ | 256g x 8 | EMMC | - | ||
| SM668GEB-ACS | - | | 5751 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C | 表面マウント | 100-lbga | SM668 | フラッシュ-nand（slc） | - | 100-BGA（14x18） | - | ROHS3準拠 | 1984-SM668GEB-ACS | 廃止 | 1 | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | EMMC | - | ||||
| SM662GED-BDST | - | | 4310 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | - | トレイ | 廃止 | SM662 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | |||||||||||||||
| SM662GXE-BDST | - | | 5512 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | 廃止 | -25°C〜85°C | 表面マウント | 100-lbga | SM662 | フラッシュ-Nand （TLC） | - | 100-BGA（14x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 1984-SM662GXE-BDST | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 2tbit | フラッシュ | 256g x 8 | EMMC | - | ||
| SM671Paelbfst | 78.6200 | | 2162 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | - | バルク | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 1984-SM671PAELBFST | 1 | ||||||||||||||||||
| SM662PAB-BDSS | - | | 7468 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | 廃止 | -40°C〜105°C | 表面マウント | 153-TFBGA | SM662 | フラッシュ-nand（ slc ）、フラッシュ -nand（tlc） | - | 153-BGA （11.5x13 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 1984-SM662PAB-BDSS | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 80gbit | フラッシュ | 10g x 8 | EMMC | - | ||
| SM662GXC-BDST | - | | 1010 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | - | トレイ | 廃止 | SM662 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | |||||||||||||||
| SM662GAA-BDST | - | | 3943 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | 廃止 | -40°C〜105°C | 表面マウント | 100-lbga | SM662 | フラッシュ-Nand （TLC） | - | 100-BGA（14x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 1984-SM662GAA-BDST | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | EMMC | - | ||
| SM662Ped-BD | - | | 1347 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | - | トレイ | アクティブ | SM662 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
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