画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | メモリタイプ | メモリサイズ | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SM671PAD-BFSS | 48.5400 | ![]() | 9206 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-ufs™ | バルク | アクティブ | -40°C〜105°C | 表面マウント | 153-TBGA | フラッシュ-nand(slc) | - | 153-BGA (11.5x13 | ダウンロード | 1984-SM671PAD-BFSS | 1 | 不揮発性 | 320GBIT | フラッシュ | 40g x 8 | UFS2.1 | - | ||||||||
SM662PBFベス | 186.7700 | ![]() | 1833 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 153-TBGA | フラッシュ-nand(slc) | - | 153-BGA (11.5x13 | ダウンロード | 1984-SM662PBFベス | 1 | 不揮発性 | 4tbit | フラッシュ | 512g x 8 | EMMC | - | ||||||||
SM671PAC-BFST | 28.8200 | ![]() | 8476 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-ufs™ | バルク | アクティブ | -40°C〜105°C | 表面マウント | 153-TBGA | フラッシュ-Nand (TLC) | - | 153-BGA (11.5x13 | ダウンロード | 1984-SM671PAC-BFST | 1 | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | UFS2.1 | - | ||||||||
SM668PX8-ACS | 22.3700 | ![]() | 5624 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | バルク | アクティブ | -25°C〜85°C | 表面マウント | 153-TBGA | フラッシュ-nand (mlc) | - | 153-BGA (11.5x13 | - | 1984-SM668PX8-ACS | 1 | 不揮発性 | 64gbit | フラッシュ | 8g x 8 | EMMC | - | ||||||||
SM671PEE-BFSS | 88.6300 | ![]() | 2065 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-ufs™ | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 153-TBGA | フラッシュ-nand(slc) | - | 153-BGA (11.5x13 | ダウンロード | 1984-SM671PEE-BFSS | 1 | 不揮発性 | 640GBIT | フラッシュ | 80g x 8 | UFS2.1 | - | ||||||||
![]() | SM662GXFベス | 178.5300 | ![]() | 8002 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | バルク | アクティブ | -25°C〜85°C | 表面マウント | 100-lbga | フラッシュ-nand(slc) | - | 100-BGA(14x18) | ダウンロード | 1984-SM662GXFベス | 1 | 不揮発性 | 4tbit | フラッシュ | 512g x 8 | EMMC | - | |||||||
SM671PEC-BFST | 28.5400 | ![]() | 2873 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-ufs™ | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 153-TBGA | フラッシュ-Nand (TLC) | - | 153-BGA (11.5x13 | ダウンロード | 1984-SM671PEC-BFST | 1 | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | UFS2.1 | - | ||||||||
SM671PAE-BFST | 88.9000 | ![]() | 5867 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-ufs™ | バルク | アクティブ | -40°C〜105°C | 表面マウント | 153-TBGA | フラッシュ-Nand (TLC) | - | 153-BGA (11.5x13 | ダウンロード | 1984-SM671PAE-BFST | 1 | 不揮発性 | 2tbit | フラッシュ | 256g x 8 | UFS2.1 | - | ||||||||
![]() | SM668GEB-ACS | - | ![]() | 5751 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C | 表面マウント | 100-lbga | SM668 | フラッシュ-nand(slc) | - | 100-BGA(14x18) | - | ROHS3準拠 | 1984-SM668GEB-ACS | 廃止 | 1 | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | EMMC | - | ||||
SM671PAC-BFSS | 28.8200 | ![]() | 3945 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-ufs™ | バルク | アクティブ | -40°C〜105°C | 表面マウント | 153-TBGA | フラッシュ-nand(slc) | - | 153-BGA (11.5x13 | ダウンロード | 1984-SM671PAC-BFSS | 1 | 不揮発性 | 160gbit | フラッシュ | 20g x 8 | UFS2.1 | - | ||||||||
![]() | SM662PBD-BDSS | - | ![]() | 5747 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C | 表面マウント | 153-TFBGA | SM662 | フラッシュ-nand( slc )、フラッシュ -nand(tlc) | - | 153-BGA (11.5x13 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 1984-SM662PBD-BDSS | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 320GBIT | フラッシュ | 40g x 8 | EMMC | - | ||
![]() | SM662GEA-BDST | - | ![]() | 6627 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C | 表面マウント | 100-lbga | SM662 | フラッシュ-Nand (TLC) | - | 100-BGA(14x18) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 1984-SM662GEA-BDST | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | EMMC | - | ||
![]() | SM662GBCベス | 31.8800 | ![]() | 6861 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 100-lbga | SM662 | フラッシュ-nand( slc )、フラッシュ -nand(tlc) | - | 100-BGA(14x18) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 1984-SM662GBCベス | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 160gbit | フラッシュ | 20g x 8 | EMMC | - | |
![]() | SM662GXDベスト | 49.0000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | アクティブ | - | 表面マウント | 100-lbga | フラッシュ-Nand (TLC) | - | 100-BGA(14x18) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 1984-SM662GXDBEST | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 不揮発性 | - | フラッシュ | EMMC | - | |||
![]() | SM662GEA-BD | - | ![]() | 6551 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | - | トレイ | アクティブ | SM662 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | ||||||||||||||
![]() | SM662GX4-ach | - | ![]() | 3376 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | - | トレイ | アクティブ | SM662 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | ||||||||||||||
![]() | SM662GXC-BDST | - | ![]() | 1010 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | - | トレイ | 廃止 | SM662 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | |||||||||||||||
![]() | SM662GED-BDSS | - | ![]() | 3303 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C | 表面マウント | 153-TFBGA | SM662 | フラッシュ-nand( slc )、フラッシュ -nand(tlc) | - | 153-BGA (11.5x13 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 1984-SM662GED-BDSS | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 320GBIT | フラッシュ | 40g x 8 | EMMC | - | ||
![]() | SM662PEE BESS | 92.1900 | ![]() | 20 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | アクティブ | - | 表面マウント | 100-lbga | フラッシュ-Nand (TLC) | - | 100-BGA(14x18) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,520 | 不揮発性 | - | フラッシュ | EMMC | - | ||||
![]() | SM662PABベス | 18.3100 | ![]() | 4858 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C | 表面マウント | 100-lbga | SM662 | フラッシュ-nand( slc )、フラッシュ -nand(tlc) | - | 100-BGA(14x18) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 1984-sm662pab-bess | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 80gbit | フラッシュ | 10g x 8 | EMMC | - | |
![]() | SM667GX2-AC | - | ![]() | 6252 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | - | トレイ | 廃止 | SM667 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8523.51.0000 | 1 | ||||||||||||||
![]() | SM662PXE BFSS | 86.5300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | アクティブ | -25°C〜85°C | 表面マウント | 153-TFBGA | SM662 | フラッシュ-nand( slc )、フラッシュ -nand(tlc) | - | 153-BGA (11.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 1984-SM662PXEBFSS | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,520 | 不揮発性 | 640GBIT | フラッシュ | 80g x 8 | EMMC | - | ||
![]() | SM662PE4-ach | - | ![]() | 7587 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | - | トレイ | アクティブ | SM662 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | ||||||||||||||
![]() | SM662PBE-BDST | - | ![]() | 8566 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C | 表面マウント | 100-lbga | SM662 | フラッシュ-Nand (TLC) | - | 100-BGA(14x18) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 1984-SM662PBE-BDST | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 2tbit | フラッシュ | 256g x 8 | EMMC | - | ||
![]() | SM668PX4-AC | - | ![]() | 5600 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | - | トレイ | 廃止 | SM668 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8523.51.0000 | 1 | ||||||||||||||
![]() | SM662GEA-ACS | - | ![]() | 9096 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | - | トレイ | 廃止 | SM662 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | ||||||||||||||
![]() | SM662GED-BDST | - | ![]() | 4310 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | - | トレイ | 廃止 | SM662 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | |||||||||||||||
![]() | SM662GED-BD | - | ![]() | 9122 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | - | トレイ | アクティブ | SM662 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | ||||||||||||||
![]() | SM668GE4-AC | - | ![]() | 3121 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | aec-q100 | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C | 表面マウント | 100-BGA | SM668 | フラッシュ-nand(slc) | - | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 1984-1000 | 3A991B1A | 8523.51.0000 | 1 | 不揮発性 | 4gbit | フラッシュ | - | EMMC | - | ||
![]() | SM667GE4-AC | - | ![]() | 7804 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | - | トレイ | 廃止 | SM667 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8523.51.0000 | 1 |
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