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メモリ（533）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | メモリタイプ | メモリサイズ | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SM668PEA-AC | - |  | 6451 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | - | トレイ | 廃止 | SM668 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8523.51.0000 | 1 | ||||||||||||||
| SM668PEB-ACS | - | | 8314 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | - | トレイ | 廃止 | SM668 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8523.51.0000 | 1 | ||||||||||||||
| SM668QEB-ACS | - | | 1103 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | - | トレイ | 廃止 | SM668 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8523.51.0000 | 1 | ||||||||||||||
 | SM662GXC BESS | 27.7300 | | 98 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | アクティブ | - | 表面マウント | 100-lbga | フラッシュ-Nand （TLC） | - | 100-BGA（14x18） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 1984-sm662gxcbess | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 不揮発性 | - | フラッシュ | EMMC | - | |||
| sm662ped bess | 48.7200 | | 5 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | アクティブ | - | 表面マウント | 100-lbga | フラッシュ-Nand （TLC） | - | 100-BGA（14x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 1984-sm662pedbess | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,520 | 不揮発性 | - | フラッシュ | EMMC | - | |||
| SM662GXCベスト | 27.7300 | | 263 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | アクティブ | - | 表面マウント | 100-lbga | フラッシュ-Nand （TLC） | - | 100-BGA（14x18） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 不揮発性 | - | フラッシュ | EMMC | - | ||||
| SM662GEF BESS | 181.5200 | | 5 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | アクティブ | - | 表面マウント | 100-lbga | フラッシュ-Nand （TLC） | - | 100-BGA（14x18） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 1984-SM662GEFBESS | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 不揮発性 | - | フラッシュ | EMMC | - | |||
| SM662PXEベスト | 90.6400 | | 5 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | アクティブ | - | 表面マウント | 100-lbga | フラッシュ-Nand （TLC） | - | 100-BGA（14x18） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 1984-SM662PXEBEST | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,520 | 不揮発性 | - | フラッシュ | EMMC | - | |||
| SM662GEFベスト | 181.5200 | | 25 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | アクティブ | - | 表面マウント | 100-lbga | フラッシュ-Nand （TLC） | - | 100-BGA（14x18） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 1984-SM662GEFBEST | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 不揮発性 | - | フラッシュ | EMMC | - | |||
| SM662GEBベスト | 17.8500 | | 5 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | アクティブ | - | 表面マウント | 100-lbga | フラッシュ-Nand （TLC） | - | 100-BGA（14x18） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 1984-SM662GEBBEST | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 不揮発性 | - | フラッシュ | EMMC | - | |||
| SM662GXE BESS | 91.4600 | | 5 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | アクティブ | - | 表面マウント | 100-lbga | フラッシュ-Nand （TLC） | - | 100-BGA（14x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 1984-SM662GXEBESS | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 不揮発性 | - | フラッシュ | EMMC | - | |||
| SM662GEB BESS | 13.8000 | | 7824 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | アクティブ | - | 表面マウント | 100-lbga | フラッシュ-Nand （TLC） | - | 100-BGA（14x18） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 1984-SM662GEBBESS | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 不揮発性 | - | フラッシュ | EMMC | - | |||
| SM662GXBベス | 17.4600 | | 4 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | アクティブ | - | 表面マウント | 100-lbga | フラッシュ-Nand （TLC） | - | 100-BGA（14x18） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 不揮発性 | - | フラッシュ | EMMC | - | ||||
| SM662GEC BESS | 28.2100 | | 5 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | アクティブ | - | 表面マウント | 100-lbga | フラッシュ-Nand （TLC） | - | 100-BGA（14x18） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 1984-SM662GECBESS | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 不揮発性 | - | フラッシュ | EMMC | - | |||
| SM662PXF BESS | 175.2700 | | 5 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | アクティブ | - | 表面マウント | 100-lbga | フラッシュ-Nand （TLC） | - | 100-BGA（14x18） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 1984-sm662pxfbess | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,520 | 不揮発性 | - | フラッシュ | EMMC | - | |||
| SM662PXBベスト | 17.6800 | | 1527 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | バルク | アクティブ | - | 表面マウント | 100-lbga | フラッシュ-Nand （TLC） | - | 100-BGA（14x18） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1984-SM662PXB-BEST | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | - | フラッシュ | EMMC | - | ||||
| SM662GXCベスト | 30.0800 | | 1291 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | バルク | アクティブ | - | 表面マウント | 100-lbga | フラッシュ-Nand （TLC） | - | 100-BGA（14x18） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1984-SM662GXC-BEST | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | - | フラッシュ | EMMC | - | ||||
| SM662GEA-BESS | - | | 2248 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 100-lbga | SM662 | フラッシュ-nand（ slc ）、フラッシュ -nand（tlc） | - | 100-BGA（14x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 1984-SM662GEA-BESS | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 40gbit | フラッシュ | 5g x 8 | EMMC | - | |
| SM662GABベス | 19.4700 | | 5598 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C | 表面マウント | 100-lbga | SM662 | フラッシュ-nand（ slc ）、フラッシュ -nand（tlc） | - | 100-BGA（14x18） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 1984-sm662gab-bess | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 80gbit | フラッシュ | 10g x 8 | EMMC | - | |
| SM671PED-AFSS | - | | 1368 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-ufs™ | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 153-TFBGA | SM671 | フラッシュ-nand（ slc ）、フラッシュ -nand（tlc） | - | 153-BGA （11.5x13 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 1984-SM671Ped-AFSS | 1 | 不揮発性 | 320GBIT | フラッシュ | 40g x 8 | UFS2.1 | - | |||
| SM662GBD-BDSS | - | | 5045 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C | 表面マウント | 153-TFBGA | SM662 | フラッシュ-nand（ slc ）、フラッシュ -nand（tlc） | - | 153-BGA （11.5x13 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 1984-SM662GBD-BDSS | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 320GBIT | フラッシュ | 40g x 8 | EMMC | - | ||
| SM671PXC-ADSS | - | | 6968 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-ufs™ | トレイ | 廃止 | -25°C〜85°C | 表面マウント | 153-TFBGA | SM671 | フラッシュ-nand（ slc ）、フラッシュ -nand（tlc） | - | 153-BGA （11.5x13 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 1984-SM671PXC-ADSS | 廃止 | 1 | 不揮発性 | 160gbit | フラッシュ | 20g x 8 | UFS2.1 | - | |||
| SM662GBB-BDSS | - | | 1067 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C | 表面マウント | 153-TFBGA | SM662 | フラッシュ-nand（ slc ）、フラッシュ -nand（tlc） | - | 153-BGA （11.5x13 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 1984-SM662GBB-BDSS | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 80gbit | フラッシュ | 10g x 8 | EMMC | - | ||
| SM671PEC-AFSS | - | | 2287 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-ufs™ | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 153-TFBGA | SM671 | フラッシュ-nand（ slc ）、フラッシュ -nand（tlc） | - | 153-BGA （11.5x13 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 1984-SM671PEC-AFSS | 1 | 不揮発性 | 160gbit | フラッシュ | 20g x 8 | UFS2.1 | - | |||
| SM662GEE-BESS | 101.2100 | | 4963 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 100-lbga | SM662 | フラッシュ-nand（ slc ）、フラッシュ -nand（tlc） | - | 100-BGA（14x18） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 1984-SM662GEE-BESS | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 640GBIT | フラッシュ | 80g x 8 | EMMC | - | |
| SM662PAC-BDST | - | | 1705 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | 廃止 | -40°C〜105°C | 表面マウント | 100-lbga | SM662 | フラッシュ-Nand （TLC） | - | 100-BGA（14x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 1984-SM662PAC-BDST | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | EMMC | - | ||
| SM671PBE-AFST | - | | 8934 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-ufs™ | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 153-TFBGA | SM671 | フラッシュ-Nand （TLC） | - | 153-BGA （11.5x13 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 1984-SM671pbe-afst | 1 | 不揮発性 | 2tbit | フラッシュ | 256g x 8 | UFS2.1 | - | |||
| SM662GADベス | 54.3700 | | 2635 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C | 表面マウント | 100-lbga | SM662 | フラッシュ-nand（ slc ）、フラッシュ -nand（tlc） | - | 100-BGA（14x18） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 1984-sm662gad-bess | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 320GBIT | フラッシュ | 40g x 8 | EMMC | - | |
| SM662GXAベス | - | | 2448 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | アクティブ | -25°C〜85°C | 表面マウント | 100-lbga | SM662 | フラッシュ-nand（ slc ）、フラッシュ -nand（tlc） | - | 100-BGA（14x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 1984-SM662GXA-BESS | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 40gbit | フラッシュ | 5g x 8 | EMMC | - | |
| SM662PBD-BDST | - | | 6166 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C | 表面マウント | 100-lbga | SM662 | フラッシュ-Nand （TLC） | - | 100-BGA（14x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 1984-SM662PBD-BDST | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 1tbit | フラッシュ | 128g x 8 | EMMC | - |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
在庫倉庫
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