画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | メモリタイプ | メモリサイズ | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SM662PXBベス | 17.6800 | ![]() | 7169 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | アクティブ | -25°C〜85°C | 表面マウント | 100-lbga | SM662 | フラッシュ-nand( slc )、フラッシュ -nand(tlc) | - | 100-BGA(14x18) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 1984-SM662PXBベス | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 80gbit | フラッシュ | 10g x 8 | EMMC | - | |
![]() | SM662GBE-BESS | 106.4700 | ![]() | 8785 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 100-lbga | SM662 | フラッシュ-nand( slc )、フラッシュ -nand(tlc) | - | 100-BGA(14x18) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 1984-SM662GBE-BESS | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 640GBIT | フラッシュ | 80g x 8 | EMMC | - | |
![]() | SM662GAEベス | 101.4100 | ![]() | 2360 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C | 表面マウント | 100-lbga | SM662 | フラッシュ-nand( slc )、フラッシュ -nand(tlc) | - | 100-BGA(14x18) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 1984-SM662GAE-BESS | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 640GBIT | フラッシュ | 80g x 8 | EMMC | - | |
![]() | SM662GXDベスト | 53.1600 | ![]() | 4634 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | バルク | アクティブ | - | 表面マウント | 100-lbga | フラッシュ-Nand (TLC) | - | 100-BGA(14x18) | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1984-SM662GXD-BEST | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | - | フラッシュ | EMMC | - | ||||
![]() | SM662PEA-BD | - | ![]() | 2077 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | - | トレイ | アクティブ | SM662 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | ||||||||||||||
![]() | SM662PXCベスト | 29.2500 | ![]() | 2172 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | バルク | アクティブ | - | 表面マウント | 100-lbga | フラッシュ-Nand (TLC) | - | 100-BGA(14x18) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1984-SM662PXC-BEST | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | - | フラッシュ | EMMC | - | ||||
![]() | SM662PXCベスト | 26.9600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | アクティブ | - | 表面マウント | 100-lbga | フラッシュ-Nand (TLC) | - | 100-BGA(14x18) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,520 | 不揮発性 | - | フラッシュ | EMMC | - | ||||
![]() | SM668GEB-ACS | - | ![]() | 5751 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C | 表面マウント | 100-lbga | SM668 | フラッシュ-nand(slc) | - | 100-BGA(14x18) | - | ROHS3準拠 | 1984-SM668GEB-ACS | 廃止 | 1 | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | EMMC | - | ||||
![]() | SM662GBF BFST | 188.1300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 100-lbga | フラッシュ-nand( slc )、フラッシュ -nand(tlc) | - | 100-BGA(14x18) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 1984-SM662GBFBFST | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 不揮発性 | - | フラッシュ | EMMC | - | ||||
![]() | ME619GXFLEG3T | 104.2300 | ![]() | 3279 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | - | バルク | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 1984-ME619GXFLEG3T | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | SM662PXAベスト | - | ![]() | 9191 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | アクティブ | -25°C〜85°C | 表面マウント | 100-lbga | SM662 | フラッシュ-Nand (TLC) | - | 100-BGA(14x18) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 1984-SM662PXA-BEST | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | EMMC | - | |
![]() | SM671Paelbfst | 78.6200 | ![]() | 2162 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | - | バルク | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 1984-SM671PAELBFST | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | SM671PAC-AFSS | - | ![]() | 5691 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-ufs™ | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C | 表面マウント | 153-TFBGA | SM671 | フラッシュ-nand( slc )、フラッシュ -nand(tlc) | - | 153-BGA (11.5x13 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 1984-SM671PAC-AFSS | 1 | 不揮発性 | 160gbit | フラッシュ | 20g x 8 | UFS2.1 | - | |||
![]() | SM671PEE-AFSS | - | ![]() | 4909 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-ufs™ | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 153-TFBGA | SM671 | フラッシュ-nand( slc )、フラッシュ -nand(tlc) | - | 153-BGA (11.5x13 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 1984-SM671PEE-AFSS | 1 | 不揮発性 | 640GBIT | フラッシュ | 80g x 8 | UFS2.1 | - | |||
![]() | 52.8600 | ![]() | 4485 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 100-lbga | SM662 | フラッシュ-nand( slc )、フラッシュ -nand(tlc) | - | 100-BGA(14x18) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 1984-sm662ped-bess | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 320GBIT | フラッシュ | 40g x 8 | EMMC | - | ||
![]() | SM671PXA-AFST | - | ![]() | 5327 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-ufs™ | トレイ | アクティブ | -25°C〜85°C | 表面マウント | 153-TFBGA | SM671 | フラッシュ-Nand (TLC) | - | 153-BGA (11.5x13 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 1984-SM671PXA-AFST | 1 | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | UFS2.1 | - | |||
SM671PEC-BFST | 28.5400 | ![]() | 2873 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-ufs™ | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 153-TBGA | フラッシュ-Nand (TLC) | - | 153-BGA (11.5x13 | ダウンロード | 1984-SM671PEC-BFST | 1 | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | UFS2.1 | - | ||||||||
![]() | SM662PEA-BDST | - | ![]() | 9563 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C | 表面マウント | 100-lbga | SM662 | フラッシュ-Nand (TLC) | - | 100-BGA(14x18) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 1984-SM662PEA-BDST | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | EMMC | - | ||
![]() | SM662PEA-BESS | - | ![]() | 6182 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 100-lbga | SM662 | フラッシュ-nand( slc )、フラッシュ -nand(tlc) | - | 100-BGA(14x18) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 1984-SM662PEA-BESS | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 40gbit | フラッシュ | 5g x 8 | EMMC | - | |
![]() | SM662PEF BFST | 175.2700 | ![]() | 5 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 153-TFBGA | フラッシュ-Nand (TLC) | - | 153-BGA (11.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 1984-SM662PEFBFST | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,520 | 不揮発性 | - | フラッシュ | EMMC | - | ||||
![]() | SM662PBC-BDSS | - | ![]() | 6338 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C | 表面マウント | 153-TFBGA | SM662 | フラッシュ-nand( slc )、フラッシュ -nand(tlc) | - | 153-BGA (11.5x13 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 1984-SM662PBC-BDSS | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 160gbit | フラッシュ | 20g x 8 | EMMC | - | ||
![]() | SM662GAB-BDST | - | ![]() | 1768年 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | 廃止 | -40°C〜105°C | 表面マウント | 100-lbga | SM662 | フラッシュ-Nand (TLC) | - | 100-BGA(14x18) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 1984-SM662GAB-BDST | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | EMMC | - | ||
![]() | SM662GAD BFST | 46.9600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C | 表面マウント | 100-lbga | SM662 | フラッシュ-nand( slc )、フラッシュ -nand(tlc) | - | 100-BGA(14x18) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 1984-SM662GADBFST | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 不揮発性 | 1tbit | フラッシュ | 128g x 8 | EMMC | - | ||
![]() | SM671PXB-AFSS | - | ![]() | 1609 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-ufs™ | トレイ | アクティブ | -25°C〜85°C | 表面マウント | 153-TFBGA | SM671 | フラッシュ-nand( slc )、フラッシュ -nand(tlc) | - | 153-BGA (11.5x13 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 1984-SM671PXB-AFSS | 1 | 不揮発性 | 80gbit | フラッシュ | 10g x 8 | UFS2.1 | - | |||
![]() | SM662GAE-BDST | - | ![]() | 8765 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | 廃止 | -40°C〜105°C | 表面マウント | 100-lbga | SM662 | フラッシュ-Nand (TLC) | - | 100-BGA(14x18) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 1984-SM662GAE-BDST | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 2tbit | フラッシュ | 256g x 8 | EMMC | - | ||
![]() | SM662GXEベスト | 91.4600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | アクティブ | - | 表面マウント | 100-lbga | フラッシュ-Nand (TLC) | - | 100-BGA(14x18) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 1984-SM662GXEBEST | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 不揮発性 | - | フラッシュ | EMMC | - | |||
![]() | SM662PEC-BEST | 29.8700 | ![]() | 7337 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 100-lbga | SM662 | フラッシュ-nand( slc )、フラッシュ -nand(tlc) | - | 100-BGA(14x18) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 1984-SM662PEC-BEST | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | EMMC | - | |
![]() | SM662GXFベス | 178.5300 | ![]() | 8002 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | バルク | アクティブ | -25°C〜85°C | 表面マウント | 100-lbga | フラッシュ-nand(slc) | - | 100-BGA(14x18) | ダウンロード | 1984-SM662GXFベス | 1 | 不揮発性 | 4tbit | フラッシュ | 512g x 8 | EMMC | - | |||||||
![]() | SM662GEC BFSS | 26.3900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 100-lbga | SM662 | フラッシュ-nand( slc )、フラッシュ -nand(tlc) | - | 100-BGA(14x18) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 不揮発性 | 160gbit | フラッシュ | 20g x 8 | EMMC | - | |||
![]() | SM662PEE-BD | - | ![]() | 7816 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | - | トレイ | アクティブ | SM662 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 |
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