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メモリ（533）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | メモリタイプ | メモリサイズ | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SM671PXA-AD | - |  | 4840 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | - | トレイ | アクティブ | SM671 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8523.51.0000 | 1 | ||||||||||||||
| SM671ped-ad | - | | 6893 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | - | トレイ | アクティブ | SM671 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8523.51.0000 | 1 | ||||||||||||||
| SM671PEE-AD | - | | 5539 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | - | トレイ | アクティブ | SM671 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8523.51.0000 | 1 | ||||||||||||||
| SM662GXDベスト | 53.1600 | | 4634 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | バルク | アクティブ | - | 表面マウント | 100-lbga | フラッシュ-Nand （TLC） | - | 100-BGA（14x18） | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1984-SM662GXD-BEST | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | - | フラッシュ | EMMC | - | ||||
| SM662PXDベスト | 51.9500 | | 4821 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | バルク | アクティブ | - | 表面マウント | 100-lbga | フラッシュ-Nand （TLC） | - | 100-BGA（14x18） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1984-SM662PXD-BEST | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | - | フラッシュ | EMMC | - | ||||
| SM662PXCベスト | 29.2500 | | 2172 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | バルク | アクティブ | - | 表面マウント | 100-lbga | フラッシュ-Nand （TLC） | - | 100-BGA（14x18） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1984-SM662PXC-BEST | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | - | フラッシュ | EMMC | - | ||||
 | SM662PEB BESS | 12.9750 | | 7015 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | アクティブ | - | 表面マウント | 100-lbga | フラッシュ-Nand （TLC） | - | 100-BGA（14x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 1984-SM662PEBBESS | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,520 | 不揮発性 | - | フラッシュ | EMMC | - | |||
| SM662GXBベスト | 17.4600 | | 5 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | アクティブ | - | 表面マウント | 100-lbga | フラッシュ-Nand （TLC） | - | 100-BGA（14x18） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 不揮発性 | - | フラッシュ | EMMC | - | ||||
| SM662GXD BESS | 49.0000 | | 98 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | アクティブ | - | 表面マウント | 100-lbga | フラッシュ-Nand （TLC） | - | 100-BGA（14x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 不揮発性 | - | フラッシュ | EMMC | - | ||||
| SM662GED BESS | 49.9300 | | 4 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | アクティブ | - | 表面マウント | 100-lbga | フラッシュ-Nand （TLC） | - | 100-BGA（14x18） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 1984-sm662gedbess | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 不揮発性 | - | フラッシュ | EMMC | - | |||
| SM662GEEベスト | 93.2900 | | 5 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | アクティブ | - | 表面マウント | 100-lbga | フラッシュ-Nand （TLC） | - | 100-BGA（14x18） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 不揮発性 | - | フラッシュ | EMMC | - | ||||
| SM662ped Best | 48.7200 | | 5 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | アクティブ | - | 表面マウント | 100-lbga | フラッシュ-Nand （TLC） | - | 100-BGA（14x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 1984-sm662pedbest | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,520 | 不揮発性 | - | フラッシュ | EMMC | - | |||
| SM662GXEベスト | 91.4600 | | 5 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | アクティブ | - | 表面マウント | 100-lbga | フラッシュ-Nand （TLC） | - | 100-BGA（14x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 1984-SM662GXEBEST | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 不揮発性 | - | フラッシュ | EMMC | - | |||
| SM662PXE BESS | 90.6400 | | 5 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | アクティブ | - | 表面マウント | 100-lbga | フラッシュ-Nand （TLC） | - | 100-BGA（14x18） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 1984-sm662pxebess | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,520 | 不揮発性 | - | フラッシュ | EMMC | - | |||
| SM662PXCベスト | 26.9600 | | 5 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | アクティブ | - | 表面マウント | 100-lbga | フラッシュ-Nand （TLC） | - | 100-BGA（14x18） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,520 | 不揮発性 | - | フラッシュ | EMMC | - | ||||
| SM671PAB-ADST | - | | 9046 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-ufs™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜105°C | 表面マウント | 153-TFBGA | SM671 | フラッシュ-Nand （TLC） | - | 153-BGA （11.5x13 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 1984-sm671pab-adst | 廃止 | 1 | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | UFS2.1 | - | |||
| SM662PEA-BESS | - | | 6182 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 100-lbga | SM662 | フラッシュ-nand（ slc ）、フラッシュ -nand（tlc） | - | 100-BGA（14x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 1984-SM662PEA-BESS | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 40gbit | フラッシュ | 5g x 8 | EMMC | - | |
| SM671PXE-AFSS | - | | 1181 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-ufs™ | トレイ | アクティブ | -25°C〜85°C | 表面マウント | 153-TFBGA | SM671 | フラッシュ-nand（ slc ）、フラッシュ -nand（tlc） | - | 153-BGA （11.5x13 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 1984-SM671PXE-AFSS | 1 | 不揮発性 | 640GBIT | フラッシュ | 80g x 8 | UFS2.1 | - | |||
| SM662GAA-BDSS | - | | 2844 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | 廃止 | -40°C〜105°C | 表面マウント | 153-TFBGA | SM662 | フラッシュ-nand（ slc ）、フラッシュ -nand（tlc） | - | 153-BGA （11.5x13 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 1984-SM662GAA-BDSS | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 40gbit | フラッシュ | 5g x 8 | EMMC | - | ||
| SM662GAC-BEST | 30.8100 | | 3966 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C | 表面マウント | 100-lbga | SM662 | フラッシュ-Nand （TLC） | - | 100-BGA（14x18） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 1984-SM662GAC-BEST | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | EMMC | - | |
| SM662PXA-BDSS | - | | 6423 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | 廃止 | -25°C〜85°C | 表面マウント | 153-TFBGA | SM662 | フラッシュ-nand（ slc ）、フラッシュ -nand（tlc） | - | 153-BGA （11.5x13 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 1984-SM662PXA-BDSS | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 40gbit | フラッシュ | 5g x 8 | EMMC | - | ||
| SM671PBD-ADST | - | | 7338 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-ufs™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C | 表面マウント | 153-TFBGA | SM671 | フラッシュ-Nand （TLC） | - | 153-BGA （11.5x13 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 1984-SM671PBD-ADST | 廃止 | 1 | 不揮発性 | 1tbit | フラッシュ | 128g x 8 | UFS2.1 | - | |||
| SM671PEE-AFST | - | | 7773 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-ufs™ | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 153-TFBGA | SM671 | フラッシュ-Nand （TLC） | - | 153-BGA （11.5x13 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 1984-SM671pee-afst | 1 | 不揮発性 | 2tbit | フラッシュ | 256g x 8 | UFS2.1 | - | |||
| SM662GXE-BDSS | - | | 8451 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | 廃止 | -25°C〜85°C | 表面マウント | 153-TFBGA | SM662 | フラッシュ-nand（ slc ）、フラッシュ -nand（tlc） | - | 153-BGA （11.5x13 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 1984-SM662GXE-BDSS | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 640GBIT | フラッシュ | 80g x 8 | EMMC | - | ||
| SM662GAA-BESS | - | | 3335 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C | 表面マウント | 100-lbga | SM662 | フラッシュ-nand（ slc ）、フラッシュ -nand（tlc） | - | 100-BGA（14x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 1984-SM662GAA-BESS | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 40gbit | フラッシュ | 5g x 8 | EMMC | - | |
| SM662pxe-best | 98.3400 | | 5592 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | アクティブ | -25°C〜85°C | 表面マウント | 100-lbga | SM662 | フラッシュ-Nand （TLC） | - | 100-BGA（14x18） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 1984-sm662pxe-best | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 2tbit | フラッシュ | 256g x 8 | EMMC | - | |
| SM662PAB-BEST | 18.3100 | | 9495 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C | 表面マウント | 100-lbga | SM662 | フラッシュ-Nand （TLC） | - | 100-BGA（14x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 1984-SM662PAB-BEST | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | EMMC | - | |
| SM662PBCベス | 31.0600 | | 7584 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 100-lbga | SM662 | フラッシュ-nand（ slc ）、フラッシュ -nand（tlc） | - | 100-BGA（14x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 1984-SM662PBCベス | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 160gbit | フラッシュ | 20g x 8 | EMMC | - | |
| SM662PEA-BDST | - | | 9563 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C | 表面マウント | 100-lbga | SM662 | フラッシュ-Nand （TLC） | - | 100-BGA（14x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 1984-SM662PEA-BDST | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | EMMC | - | ||
| SM662GBE-BESS | 106.4700 | | 8785 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 100-lbga | SM662 | フラッシュ-nand（ slc ）、フラッシュ -nand（tlc） | - | 100-BGA（14x18） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 1984-SM662GBE-BESS | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 640GBIT | フラッシュ | 80g x 8 | EMMC | - |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
在庫倉庫
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