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メモリ（533）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ メモリタイプ メモリサイズ メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
SM662GXE BEST Silicon Motion, Inc. SM662GXEベスト 91.4600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 シリコンモーション、Inc。 ferri-emmc® トレイ アクティブ - 表面マウント 100-lbga フラッシュ-Nand （TLC） - 100-BGA（14x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1984-SM662GXEBEST 3A991B1A 8542.32.0071 980 不揮発性 - フラッシュ EMMC -
SM662PEC-BEST Silicon Motion, Inc. SM662PEC-BEST 29.8700
RFQ
 ECAD 7337 0.00000000 シリコンモーション、Inc。 ferri-emmc® トレイ アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 100-lbga SM662 フラッシュ-nand（ slc ）、フラッシュ -nand（tlc） - 100-BGA（14x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1984-SM662PEC-BEST 3A991B1A 8542.32.0071 1 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 EMMC -
SM662GXF-BESS Silicon Motion, Inc. SM662GXFベス 178.5300
RFQ
 ECAD 8002 0.00000000 シリコンモーション、Inc。 ferri-emmc® バルク アクティブ -25°C〜85°C 表面マウント 100-lbga フラッシュ-nand（slc） - 100-BGA（14x18） ダウンロード 1984-SM662GXFベス 1 不揮発性 4tbit フラッシュ 512g x 8 EMMC -
SM662GEC BFSS Silicon Motion, Inc. SM662GEC BFSS 26.3900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 シリコンモーション、Inc。 ferri-emmc® トレイ アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 100-lbga SM662 フラッシュ-nand（ slc ）、フラッシュ -nand（tlc） - 100-BGA（14x18） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 980 不揮発性 160gbit フラッシュ 20g x 8 EMMC -
SM662PEE-BD Silicon Motion, Inc. SM662PEE-BD -
RFQ
 ECAD 7816 0.00000000 シリコンモーション、Inc。 - トレイ アクティブ SM662 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1
SM662GBC-BESS Silicon Motion, Inc. SM662GBCベス 31.8800
RFQ
 ECAD 6861 0.00000000 シリコンモーション、Inc。 ferri-emmc® トレイ アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 100-lbga SM662 フラッシュ-nand（ slc ）、フラッシュ -nand（tlc） - 100-BGA（14x18） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1984-SM662GBCベス 3A991B1A 8542.32.0071 1 不揮発性 160gbit フラッシュ 20g x 8 EMMC -
SM662PBB-BESS Silicon Motion, Inc. SM662PBBベス 19.2600
RFQ
 ECAD 6853 0.00000000 シリコンモーション、Inc。 ferri-emmc® トレイ アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 100-lbga SM662 フラッシュ-nand（ slc ）、フラッシュ -nand（tlc） - 100-BGA（14x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1984-SM662PBBベス 3A991B1A 8542.32.0071 1 不揮発性 80gbit フラッシュ 10g x 8 EMMC -
SM619GXF EGSS Silicon Motion, Inc. SM619GXF EGSS 84.6900
RFQ
 ECAD 8787 0.00000000 シリコンモーション、Inc。 - バルク アクティブ - ROHS3準拠 1984-SM619GXFEGSS 1
SM671PXC-AFST Silicon Motion, Inc. SM671PXC-AFST -
RFQ
 ECAD 8005 0.00000000 シリコンモーション、Inc。 ferri-ufs™ トレイ アクティブ -25°C〜85°C 表面マウント 153-TFBGA SM671 フラッシュ-Nand （TLC） - 153-BGA （11.5x13 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1984-SM671PXC-AFST 1 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 UFS2.1 -
SM662GXD BEST Silicon Motion, Inc. SM662GXDベスト 49.0000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 シリコンモーション、Inc。 ferri-emmc® トレイ アクティブ - 表面マウント 100-lbga フラッシュ-Nand （TLC） - 100-BGA（14x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1984-SM662GXDBEST 3A991B1A 8542.32.0071 980 不揮発性 - フラッシュ EMMC -
SM662PAB-BEST Silicon Motion, Inc. SM662PAB-BEST 18.3100
RFQ
 ECAD 9495 0.00000000 シリコンモーション、Inc。 ferri-emmc® トレイ アクティブ -40°C〜105°C 表面マウント 100-lbga SM662 フラッシュ-Nand （TLC） - 100-BGA（14x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1984-SM662PAB-BEST 3A991B1A 8542.32.0071 1 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 EMMC -
SM662PXE-BDSS Silicon Motion, Inc. SM662PXE-BDSS -
RFQ
 ECAD 4077 0.00000000 シリコンモーション、Inc。 ferri-emmc® トレイ 廃止 -25°C〜85°C 表面マウント 153-TFBGA SM662 フラッシュ-nand（ slc ）、フラッシュ -nand（tlc） - 153-BGA （11.5x13 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 1984-SM662PXE-BDSS 3A991B1A 8542.32.0071 1 不揮発性 640GBIT フラッシュ 80g x 8 EMMC -
SM671PBDLBFST Silicon Motion, Inc. SM671PBDLBFST 49.6300
RFQ
 ECAD 9191 0.00000000 シリコンモーション、Inc。 - バルク アクティブ - ROHS3準拠 1984-SM671PBDLBFST 1
SM662PXE-BD Silicon Motion, Inc. SM662PXE-BD -
RFQ
 ECAD 7752 0.00000000 シリコンモーション、Inc。 - トレイ アクティブ SM662 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1
SM662PBC-BESS Silicon Motion, Inc. SM662PBCベス 31.0600
RFQ
 ECAD 7584 0.00000000 シリコンモーション、Inc。 ferri-emmc® トレイ アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 100-lbga SM662 フラッシュ-nand（ slc ）、フラッシュ -nand（tlc） - 100-BGA（14x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1984-SM662PBCベス 3A991B1A 8542.32.0071 1 不揮発性 160gbit フラッシュ 20g x 8 EMMC -
SM671PBD-ADST Silicon Motion, Inc. SM671PBD-ADST -
RFQ
 ECAD 7338 0.00000000 シリコンモーション、Inc。 ferri-ufs™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C 表面マウント 153-TFBGA SM671 フラッシュ-Nand （TLC） - 153-BGA （11.5x13 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 1984-SM671PBD-ADST 廃止 1 不揮発性 1tbit フラッシュ 128g x 8 UFS2.1 -
SM662GXB BEST Silicon Motion, Inc. SM662GXBベスト 17.4600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 シリコンモーション、Inc。 ferri-emmc® トレイ アクティブ - 表面マウント 100-lbga フラッシュ-Nand （TLC） - 100-BGA（14x18） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 980 不揮発性 - フラッシュ EMMC -
SM671PAC-BFST Silicon Motion, Inc. SM671PAC-BFST 28.8200
RFQ
 ECAD 8476 0.00000000 シリコンモーション、Inc。 ferri-ufs™ バルク アクティブ -40°C〜105°C 表面マウント 153-TBGA フラッシュ-Nand （TLC） - 153-BGA （11.5x13 ダウンロード 1984-SM671PAC-BFST 1 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 UFS2.1 -
SM671PBD-AFSS Silicon Motion, Inc. SM671PBD-AFSS -
RFQ
 ECAD 3281 0.00000000 シリコンモーション、Inc。 ferri-ufs™ トレイ アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 153-TFBGA SM671 フラッシュ-nand（ slc ）、フラッシュ -nand（tlc） - 153-BGA （11.5x13 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1984-SM671PBD-AFSS 1 不揮発性 320GBIT フラッシュ 40g x 8 UFS2.1 -
SM619GXE EGSS Silicon Motion, Inc. SM619GXE EGSS 53.6600
RFQ
 ECAD 4092 0.00000000 シリコンモーション、Inc。 - バルク アクティブ - ROHS3準拠 1984-SM619GXEEGSS 1
SM662PXA-BDSS Silicon Motion, Inc. SM662PXA-BDSS -
RFQ
 ECAD 6423 0.00000000 シリコンモーション、Inc。 ferri-emmc® トレイ 廃止 -25°C〜85°C 表面マウント 153-TFBGA SM662 フラッシュ-nand（ slc ）、フラッシュ -nand（tlc） - 153-BGA （11.5x13 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 1984-SM662PXA-BDSS 3A991B1A 8542.32.0071 1 不揮発性 40gbit フラッシュ 5g x 8 EMMC -
SM662GXC-BD Silicon Motion, Inc. SM662GXC-BD -
RFQ
 ECAD 5148 0.00000000 シリコンモーション、Inc。 - トレイ アクティブ SM662 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1
ME619GXELEG3T Silicon Motion, Inc. ME619GXELEG3T 72.2000
RFQ
 ECAD 5615 0.00000000 シリコンモーション、Inc。 - バルク アクティブ - ROHS3準拠 1984-ME619GXELEG3T 1
SM662GAC-BEST Silicon Motion, Inc. SM662GAC-BEST 30.8100
RFQ
 ECAD 3966 0.00000000 シリコンモーション、Inc。 ferri-emmc® トレイ アクティブ -40°C〜105°C 表面マウント 100-lbga SM662 フラッシュ-Nand （TLC） - 100-BGA（14x18） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1984-SM662GAC-BEST 3A991B1A 8542.32.0071 1 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 EMMC -
SM662PAB-BESS Silicon Motion, Inc. SM662PABベス 18.3100
RFQ
 ECAD 4858 0.00000000 シリコンモーション、Inc。 ferri-emmc® トレイ アクティブ -40°C〜105°C 表面マウント 100-lbga SM662 フラッシュ-nand（ slc ）、フラッシュ -nand（tlc） - 100-BGA（14x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1984-sm662pab-bess 3A991B1A 8542.32.0071 1 不揮発性 80gbit フラッシュ 10g x 8 EMMC -
SM671PAC-BFSS Silicon Motion, Inc. SM671PAC-BFSS 28.8200
RFQ
 ECAD 3945 0.00000000 シリコンモーション、Inc。 ferri-ufs™ バルク アクティブ -40°C〜105°C 表面マウント 153-TBGA フラッシュ-nand（slc） - 153-BGA （11.5x13 ダウンロード 1984-SM671PAC-BFSS 1 不揮発性 160gbit フラッシュ 20g x 8 UFS2.1 -
SM668PXA-ACS Silicon Motion, Inc. SM668PXA-ACS 40.9300
RFQ
 ECAD 7618 0.00000000 シリコンモーション、Inc。 ferri-emmc® バルク アクティブ -25°C〜85°C 表面マウント 153-TBGA フラッシュ-nand （mlc） - 153-BGA （11.5x13 - 1984-SM668PXA-ACS 1 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 EMMC -
SM619GEE EGST Silicon Motion, Inc. SM619GEE EGST 58.9900
RFQ
 ECAD 8468 0.00000000 シリコンモーション、Inc。 - バルク アクティブ - ROHS3準拠 1984-SM619Geeegst 1
SM662GED-BDSS Silicon Motion, Inc. SM662GED-BDSS -
RFQ
 ECAD 3303 0.00000000 シリコンモーション、Inc。 ferri-emmc® トレイ 廃止 -40°C〜85°C 表面マウント 153-TFBGA SM662 フラッシュ-nand（ slc ）、フラッシュ -nand（tlc） - 153-BGA （11.5x13 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 1984-SM662GED-BDSS 3A991B1A 8542.32.0071 1 不揮発性 320GBIT フラッシュ 40g x 8 EMMC -
SM668GXA-ACS Silicon Motion, Inc. SM668GXA-ACS 39.1600
RFQ
 ECAD 5628 0.00000000 シリコンモーション、Inc。 ferri-emmc® バルク アクティブ -25°C〜85°C 表面マウント 100-lbga フラッシュ-nand（slc） - 100-BGA（14x18） - 1984-SM668GXA-ACS 1 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 EMMC -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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