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メモリ（847）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
GD5F4GQ4RCYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd5f4gq4rcyigr -
RFQ
 ECAD 8974 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド GD5F4GQ4 フラッシュ -ナンド 1.7V〜2V 8-wson （6x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 4,800 120 MHz 不揮発性 4gbit フラッシュ 512m x 8 spi -quad i/o
GD25LT256EFIRR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LT256EFIRR 2.8704
RFQ
 ECAD 5571 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25LT テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） フラッシュ - （slc） 1.65V〜2V 16ソップ - 1970-GD25LT256EFIRRTR 1,000 200 MHz 不揮発性 256mbit 6 ns フラッシュ 32m x 8 spi -quad i/o 70µs、1.2ms
GD25LQ32EWIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25lq32ewigy 0.6760
RFQ
 ECAD 2202 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25LQ トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド フラッシュ - （slc） 1.65V〜2V 8-wson ダウンロード 1970-GD25LQ32EWIGY 5,700 133 MHz 不揮発性 32mbit 6 ns フラッシュ 4m x 8 spi -quad i/o、qpi 60µs、2.4ms
GD5F4GQ4UCYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd5f4gq4ucyigr -
RFQ
 ECAD 4519 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド GD5F4GQ4 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 8-wson （6x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 120 MHz 不揮発性 4gbit フラッシュ 512m x 8 spi -quad i/o
GD25LE16ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25le16 gegrigr 0.5090
RFQ
 ECAD 7144 0.00000000 Gigadevice Semiconductor gd25le テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） フラッシュ - （slc） 1.65V〜2V 8ソップ ダウンロード 1970-GD25LE16EGRTR 2,000 133 MHz 不揮発性 16mbit 6 ns フラッシュ 2m x 8 spi -quad i/o、qpi 60µs、2.4ms
GD5F4GQ4RBYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F4GQ4RBYIGY -
RFQ
 ECAD 7820 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド GD5F4GQ4 フラッシュ -ナンド 1.7V〜2V 8-wson （6x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 4,800 120 MHz 不揮発性 4gbit フラッシュ 512m x 8 spi -quad i/o
GD5F1GQ4RF9IGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F1GQ4RF9IGR -
RFQ
 ECAD 8267 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-vlga露出パッド GD5F1GQ4 フラッシュ -ナンド 1.7V〜2V 8-lga （6x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 120 MHz 不揮発性 1gbit フラッシュ 128m x 8 spi -quad i/o 700µs
GD25WB256EYJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WB256EYJGR 2.9601
RFQ
 ECAD 2941 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25WB テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-wdfn露出パッド フラッシュ - （slc） 1.65v〜3.6V 8-wson （6x8） ダウンロード 1970-GD25WB256EYJGRTR 3,000 104 MHz 不揮発性 256mbit 7.5 ns フラッシュ 32m x 8 spi -quad i/o 300μs8ms
GD25LQ256DYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ256DYIGR -
RFQ
 ECAD 3379 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド GD25LQ256 フラッシュ - 1.65V〜2V 8-wson （6x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 120 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 32m x 8 spi -quad i/o 2.4ms
GD25LQ64CVIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ64CVIGR -
RFQ
 ECAD 4094 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） GD25LQ64 フラッシュ - 1.65V〜2V 8-VSOP ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 120 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o 2.4ms
GD25LD80CSIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LD80CSIG -
RFQ
 ECAD 1543 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - チューブ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） GD25LD80 フラッシュ - 1.65V〜2V 8ソップ ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 9,500 50 MHz 不揮発性 8mbit フラッシュ 1m x 8 spi-デュアルi/o 60µs 、6ms
GD25LQ128DYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ128DYIGR 2.2300
RFQ
 ECAD 521 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド GD25LQ128 フラッシュ - 1.65V〜2V 8-wson （6x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 120 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o 2.4ms
GD25LE255ELIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE255555555555555555555 2.4585
RFQ
 ECAD 4956 0.00000000 Gigadevice Semiconductor gd25le テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-XFDFN露出パッド フラッシュ - （slc） 1.65V〜2V 8-USON ダウンロード 1970-GD25LE25555ELIGRTR 3,000 133 MHz 不揮発性 256mbit 6 ns フラッシュ 32m x 8 spi -quad i/o、qpi 60µs、2.4ms
GD25LQ20CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ20CEIGR -
RFQ
 ECAD 2521 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-XFDFN露出パッド GD25LQ20 フラッシュ - 1.65V〜2.1V 8-USON ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 3,000 104 MHz 不揮発性 2mbit フラッシュ 256k x 8 spi -quad i/o 50µs、2.4ms
GD5F2GQ4RF9IGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd5f2gq4rf9igy -
RFQ
 ECAD 6035 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-vlga露出パッド GD5F2GQ4 フラッシュ -ナンド 1.7V〜2V 8-lga （6x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 4,800 120 MHz 不揮発性 2Gbit フラッシュ 256m x 8 spi -quad i/o 700µs
GD55LT512WEBIRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd55lt512webiry 5.4414
RFQ
 ECAD 5146 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD55LT トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga フラッシュ - （slc） 1.65V〜2V 24-tfbga - 1970-GD55LT512WEBIRY 4,800 166 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 64m x 8 spi -quad i/o 50μs1.2ms
GD25LF255ELIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LF25555555555555 2.3876
RFQ
 ECAD 7722 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25LF テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-XFDFN露出パッド フラッシュ - （slc） 1.65V〜2V 8-USON ダウンロード 1970-GD25LF255ELIGRTR 3,000 166 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 32m x 8 spi -quad i/o -
GD25LQ255EWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ25555555555555555555555 3.4700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド フラッシュ - （slc） 1.65V〜2V 8-wson ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 133 MHz 不揮発性 256mbit 6 ns フラッシュ 32m x 8 spi -quad i/o、qpi 60µs、2.4ms
GD25B512MEYEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B512MEYEGR 6.0164
RFQ
 ECAD 5649 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25B テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド フラッシュ - （slc） 2.7V〜3.6V 8-wson （6x8） ダウンロード 1970-GD25B512MEYEGRTR 3,000 133 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 64m x 8 spi -quad i/o -
GD25LE80CLIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE80CLIGR 0.4949
RFQ
 ECAD 2758 0.00000000 Gigadevice Semiconductor gd25le テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-XFBGA 、WLCSP フラッシュ - （slc） 1.65V〜2.1V 8-wlcsp ダウンロード 1970-GD25LE80CLIGRTR 3,000 104 MHz 不揮発性 8mbit 6 ns フラッシュ 1m x 8 spi -quad i/o 50µs、2.4ms
GD25Q256EWJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q256EWJGR 2.8771
RFQ
 ECAD 5497 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25Q テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-wdfn露出パッド フラッシュ - （slc） 2.7V〜3.6V 8-wson ダウンロード 1970-GD25Q256EWJGRTR 3,000 133 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 32m x 8 spi -quad i/o -
GD25Q16EEJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q16EEJGR 0.5939
RFQ
 ECAD 8216 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25Q テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-XFDFN露出パッド フラッシュ - （slc） 2.7V〜3.6V 8-USON ダウンロード 1970-GD25Q16EEJGRTR 3,000 133 MHz 不揮発性 16mbit 7 ns フラッシュ 2m x 8 spi -quad i/o 140µs 、4ms
GD25F128FS2GR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25F128FS2GR 1.9881
RFQ
 ECAD 7794 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25F テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） フラッシュ - （slc） 2.7V〜3.6V 8ソップ - 1970-GD25F128FS2GRTR 2,000 200 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o -
GD25LE64ELIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE64ELIGR 0.9266
RFQ
 ECAD 4265 0.00000000 Gigadevice Semiconductor gd25le テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-xfbga wlcsp フラッシュ - （slc） 1.65V〜2V 16-wlcsp ダウンロード 1970-GD25LE64ELIGRTR 3,000 133 MHz 不揮発性 64mbit 6 ns フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o、qpi 60µs、2.4ms
GD55LT01GEBARY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55LT01GEBARY 18.5000
RFQ
 ECAD 6306 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD55LT トレイ アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 24-tbga フラッシュ - （slc） 1.65V〜2V 24-tfbga - 1970-GD55LT01GEBARY 4,800 不揮発性 1gbit フラッシュ 128m x 8 spi -quad i/o -
GD9FS1G8F2DMGI GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD9FS1G8F2DMGI 2.3472
RFQ
 ECAD 5433 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD9F トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） フラッシュ-nand（slc） 1.7V〜1.95V 48-tsop i ダウンロード 1970-GD9FS1G8F2DMGI 960 不揮発性 1gbit 16 ns フラッシュ 128m x 8 onfi 20NS 、600µs
GD55LX512WEBIRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd55lx512webiry 7.2778
RFQ
 ECAD 5998 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD55LX トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga フラッシュ - （slc） 1.65V〜2V 24-tfbga - 1970-GD55LX512WEBIRY 4,800 166 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 64m x 8 SPI -OCTAL I/O、DTR 50μs1.2ms
GD25B16EEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B16EEIGR 0.5242
RFQ
 ECAD 9750 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25B テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-XFDFN露出パッド フラッシュ - （slc） 2.7V〜3.6V 8-USON ダウンロード 1970-GD25B16EEGRTR 3,000 133 MHz 不揮発性 16mbit 7 ns フラッシュ 2m x 8 spi -quad i/o 70µs 、2ms
GD5F4GQ6UEY2GY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F4GQ6UEY2GY 10.4671
RFQ
 ECAD 1509 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD5F トレイ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-wdfn露出パッド フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 8-wson （6x8） - 1970-GD5F4GQ6UEY2GY 4,800 104 MHz 不揮発性 4gbit 9 ns フラッシュ 1g x 4 spi -quad i/o、dtr 600µs
GD25X512MEFARR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25X512MEFARR 11.5349
RFQ
 ECAD 2693 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25X テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） フラッシュ - （slc） 2.7V〜3.6V 16ソップ - 1970-GD25X512MEFARRTR 1,000 200 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 64m x 8 SPI -OCTAL I/O -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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