- 中国語
- 英語
- フランス語
- ドイツ語
- ポルトガル語
- スペイン語
- ロシア
- 日本語
- 韓国語
- アラビア語
- アイルランド
- ギリシャ語
- トルコ語
- イタリア語
- デンマーク語
- ルーマニア人
- インドネシア語
- チェコ
- アフリカーンス
- スウェーデン語
- 研磨
- バスク
- カタロニア
- エスペラント
- ヒンディー語
- ラオス
- アルバニア語
- アムハラ語
- アルメニア人
- アゼルバイジャン
- ベラルーシ人
- ベンガル語
- ボスニア人
- ブルガリア
- セブアノ
- チチェワ
- コルシカ人
- クロアチア語
- オランダ語
- エストニアン
- フィリピン人
- フィンランド語
- フリジアン
- ガリシア語
- ジョージアン
- グジャラート語
- ハイチ人
- ハウサ
- ハワイアン
- ヘブライ語
- hmong
- ハンガリー
- アイスランド語
- イボ
- Javanese
- カンナダ
- カザフ
- クメール
- クルド
- キルギス
- ラテン
- ラトビアン
- リトアニアン
- ルクセンボウ..
- マケドニア語
- マラガシー
- マレー
- マラヤーラム語
- マルタ
- マオリ
- マラーティー
- モンゴル人
- ビルマ
- ネパール
- ノルウェー語
- パシュ
- ペルシャ語
- パンジャブ
- セルビア人
- セソト
- シンハラ
- スロバキア
- スロベニア人
- ソマリア
- サモアン
- スコットランドゲール語
- ショナ
- シンディ
- スンダネーゼ
- スワヒリ
- タジク
- タミル語
- テルグ語
- タイ
- ウクライナ人
- ウルドゥー語
- ウズベック
- ベトナム人
- ウェールズ
- xhosa
- イディッシュ語
- ヨルバ
- ズールー
- キニャルワンダ
- タタール
- オリヤ
- タークメン
- uyghur
メモリ（847）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | その他の名前 | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | GD55LT02GEBIRY | 21.8652 |  | 6524 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD55LT | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 24-tbga | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜2V | 24-tfbga | - | 1970-GD55LT02GEBIRY | 4,800 | 166 MHz | 不揮発性 | 2Gbit | フラッシュ | 256m x 8 | spi -quad i/o | - | ||
| GD25F256FWIGR | 2.3373 | | 4694 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25F | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ - （slc） | 2.7V〜3.6V | 8-wson | - | 1970-GD25F256FWIGRTR | 3,000 | 200 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o | - | ||
| GD25Q16EQIGR | 0.5678 | | 2315 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25Q | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-XDFN露出パッド | フラッシュ - （slc） | 2.7V〜3.6V | 8-USON （4x4） | ダウンロード | 1970-GD25Q16EQIGRTR | 3,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 16mbit | 7 ns | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o | 70µs 、2ms | |
| GD9FS1G8F3ALGI | 2.6557 | | 4718 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | トレイ | アクティブ | - | 1970-GD9FS1G8F3ALGI | 2,100 | |||||||||||||||
| GD25F64FQ2GGR | 1.5077 | | 3349 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25F | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 8-XDFN露出パッド | フラッシュ - （slc） | 2.7V〜3.6V | 8-USON （4x4） | - | 1970-GD25F64FQ2GRTR | 3,000 | 200 MHz | 不揮発性 | 64mbit | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o、dtr | - | ||
| GD25LE128ELIGR | 1.4105 | | 3377 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | gd25le | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 16-xfbga wlcsp | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜2V | 16-wlcsp | ダウンロード | 1970-GD25LE128ELIGRTR | 3,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 128mbit | 6 ns | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 60µs、2.4ms | |
| gd25le16tigr | 0.5242 | | 5143 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | gd25le | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜2V | 8ソップ | - | 1970-GD25LE16Tigrtr | 3,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 16mbit | 6 ns | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 60µs、2.4ms | |
| gd55x01geb2ry | 20.2027 | | 9611 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD55X | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 24-tbga | フラッシュ - （slc） | 2.7V〜3.6V | 24-tfbga | - | 1970-GD55X01GEB2RY | 4,800 | 200 MHz | 不揮発性 | 1gbit | フラッシュ | 128m x 8 | SPI -OCTAL I/O、DTR | - | ||
| GD25LB256EBIRY | 2.3562 | | 9106 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25LB | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 24-tbga | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜2V | 24-tfbga | ダウンロード | 1970-GD25LB256EBIRY | 4,800 | 166 MHz | 不揮発性 | 256mbit | 6 ns | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o | 70µs、1.2ms | |
| GD25LE128EQIGR | 1.3702 | | 1579 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | gd25le | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-XDFN露出パッド | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜2V | 8-USON （4x4） | ダウンロード | 1970-GD25LE128EQIGRTR | 3,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 128mbit | 6 ns | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 60µs、2.4ms | |
| GD25WD80ETIGY | 0.3640 | | 4418 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25WD | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | フラッシュ - （slc） | 1.65v〜3.6V | 8ソップ | ダウンロード | 1970-GD25WD80ETIGY | 4,320 | 104 MHz | 不揮発性 | 8mbit | 6 ns | フラッシュ | 1m x 8 | spi-デュアルi/o | 100μs6ms | |
| GD25LB128EWIGR | 1.4109 | | 1554 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25LB | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜2V | 8-wson | ダウンロード | 1970-GD25LB128EGIGRTR | 3,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | - | ||
| GD25LE32ELIGR | 0.7582 | | 7661 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | gd25le | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 10-XFBGA 、WLCSP | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜2V | 10-wlcsp | ダウンロード | 1970-GD25LE32ELIGRTR | 3,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 32mbit | 6 ns | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 60µs、2.4ms | |
| GD25LB16EEIGR | 0.5678 | | 6008 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25LB | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-XFDFN露出パッド | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜2.1V | 8-USON | ダウンロード | 1970-GD25LB16EEIGRTR | 3,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 16mbit | 6 ns | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 60µs、2.4ms | |
| gd25ld40etigr | 0.2865 | | 6302 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25LD | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜2V | 8ソップ | ダウンロード | 1970-GD25LD40ETIGRTR | 3,000 | 50 MHz | 不揮発性 | 4mbit | 12 ns | フラッシュ | 512k x 8 | spi-デュアルi/o | 100μs6ms | |
| GD25F256FB2RY | 3.4593 | | 6033 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25F | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 24-tbga | フラッシュ - （slc） | 2.7V〜3.6V | 24-tfbga | - | 1970-GD25F256FB2RY | 4,800 | 200 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o | - | ||
| GD25LQ128EYIGY | 1.2999 | | 6703 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25LQ | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜2V | 8-wson （6x8） | ダウンロード | 1970-GD25LQ128EYIGY | 4,800 | 120 MHz | 不揮発性 | 128mbit | 6 ns | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | 60µs、2.4ms | |
| gd25d40ceigr | 0.3167 | | 8682 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25D | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-XFDFN露出パッド | フラッシュ - （slc） | 2.7V〜3.6V | 8-USON | ダウンロード | 1970-GD25D40CEIGRTR | 3,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 4mbit | 6 ns | フラッシュ | 512k x 8 | spi-デュアルi/o | 50µs 、4ms | |
| GD25LF255555555555555555555555555555555555555555555555555555555555555555555555555555555555555555555555555555555555 | 2.1590 | | 8261 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25LF | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜2V | 8-wson | ダウンロード | 1970-GD25LF255555555555555555555555555 | 5,700 | 166 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o | - | ||
| gd25lq128equgr | 1.8538 | | 3854 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25LQ | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 8-XDFN露出パッド | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜2V | 8-USON （4x4） | ダウンロード | 1970-GD25LQ128EQEGRTR | 3,000 | 120 MHz | 不揮発性 | 128mbit | 6 ns | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | 100µs 、4ms | |
| GD25LQ20ESIGR | 0.3167 | | 4317 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25LQ | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜2V | 8ソップ | - | 1970-GD25LQ20ESIGRTR | 2,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 2mbit | 6 ns | フラッシュ | 256k x 8 | spi -quad i/o | 60µs、2.4ms | |
| GD5F2GQ5UEYIGR | 3.9884 | | 8461 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD5F | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ-nand（slc） | 2.7V〜3.6V | 8-wson （6x8） | ダウンロード | 1970-GD5F2GQ5UEYIGRTR | 3,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 2Gbit | 9 ns | フラッシュ | 256m x 8 | spi -quad i/o | 600µs | |
| GD9FS4G8F2AMGI | 6.9852 | | 1155 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD9F | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | フラッシュ-nand（slc） | 1.7V〜1.95V | 48-tsop i | ダウンロード | 1970-GD9FS4G8F2AMGI | 960 | 不揮発性 | 4gbit | 22 ns | フラッシュ | 512m x 8 | onfi | 25ns | ||
| GD9FS4G8F3AMGI | 6.9852 | | 8654 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD9F | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | フラッシュ-nand（slc） | 1.7V〜1.95V | 48-tsop i | ダウンロード | 1970-GD9FS4G8F3AMGI | 960 | 不揮発性 | 4gbit | 22 ns | フラッシュ | 512m x 8 | onfi | 25ns | ||
| GD55F512MFWIGR | 4.3329 | | 5638 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | 1970-GD55F512MFWIGRTR | 3,000 | |||||||||||||||
| GD25Q128EYJGR | 1.4911 | | 7018 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25Q | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ - （slc） | 2.7V〜3.6V | 8-wson （6x8） | ダウンロード | 1970-GD25Q128EYJGRTR | 3,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 128mbit | 7 ns | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | 140µs 、4ms | |
| GD25LQ20EKIGR | 0.3786 | | 6749 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25LQ | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-XFDFN露出パッド | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜2V | 8-USON（1.5x1.5 | ダウンロード | 1970-GD25LQ20EKIGRTR | 3,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 2mbit | 6 ns | フラッシュ | 256k x 8 | spi -quad i/o | 60µs、2.4ms | |
| GD25B16EEAGR | 0.8845 | | 5550 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25B | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 8-XFDFN露出パッド | フラッシュ - （slc） | 2.7V〜3.6V | 8-USON | - | 1970-GD25B16EEAGRTR | 3,000 | 不揮発性 | 16mbit | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o | - | |||
| GD55T01GEY2GR | 16.7580 | | 7366 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD55T | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ - （slc） | 2.7V〜3.6V | 8-wson （6x8） | - | 1970-GD55T01GEY2GRTR | 3,000 | 200 MHz | 不揮発性 | 1gbit | フラッシュ | 128m x 8 | spi -quad i/o、dtr | - | ||
| GD25F128EGIGR | 1.1590 | | 6397 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | 1970-GD25F128EGRTR | 2,000 |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
在庫倉庫
ウィッシュリスト（0アイテム）