- 中国語
- 英語
- フランス語
- ドイツ語
- ポルトガル語
- スペイン語
- ロシア
- 日本語
- 韓国語
- アラビア語
- アイルランド
- ギリシャ語
- トルコ語
- イタリア語
- デンマーク語
- ルーマニア人
- インドネシア語
- チェコ
- アフリカーンス
- スウェーデン語
- 研磨
- バスク
- カタロニア
- エスペラント
- ヒンディー語
- ラオス
- アルバニア語
- アムハラ語
- アルメニア人
- アゼルバイジャン
- ベラルーシ人
- ベンガル語
- ボスニア人
- ブルガリア
- セブアノ
- チチェワ
- コルシカ人
- クロアチア語
- オランダ語
- エストニアン
- フィリピン人
- フィンランド語
- フリジアン
- ガリシア語
- ジョージアン
- グジャラート語
- ハイチ人
- ハウサ
- ハワイアン
- ヘブライ語
- hmong
- ハンガリー
- アイスランド語
- イボ
- Javanese
- カンナダ
- カザフ
- クメール
- クルド
- キルギス
- ラテン
- ラトビアン
- リトアニアン
- ルクセンボウ..
- マケドニア語
- マラガシー
- マレー
- マラヤーラム語
- マルタ
- マオリ
- マラーティー
- モンゴル人
- ビルマ
- ネパール
- ノルウェー語
- パシュ
- ペルシャ語
- パンジャブ
- セルビア人
- セソト
- シンハラ
- スロバキア
- スロベニア人
- ソマリア
- サモアン
- スコットランドゲール語
- ショナ
- シンディ
- スンダネーゼ
- スワヒリ
- タジク
- タミル語
- テルグ語
- タイ
- ウクライナ人
- ウルドゥー語
- ウズベック
- ベトナム人
- ウェールズ
- xhosa
- イディッシュ語
- ヨルバ
- ズールー
- キニャルワンダ
- タタール
- オリヤ
- タークメン
- uyghur
メモリ（847）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | その他の名前 | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | gd55x01gefirr | 13.2372 |  | 1651 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD55X | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） | フラッシュ - （slc） | 2.7V〜3.6V | 16ソップ | - | 1970-GD55X01GEFIRRTR | 1,000 | 200 MHz | 不揮発性 | 1gbit | フラッシュ | 128m x 8 | SPI -OCTAL I/O、DTR | - | ||
| gd25lt512meb2ry | 8.8046 | | 2037 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25LT | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 24-tbga | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜2V | 24-tfbga | - | 1970-GD25LT512MEB2RY | 4,800 | 200 MHz | 不揮発性 | 512mbit | フラッシュ | 64m x 8 | spi -quad i/o | - | ||
| GD25LD80ETIGY | 0.3167 | | 7655 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25LD | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜2V | 8ソップ | ダウンロード | 1970-GD25LD80ETIGY | 4,320 | 50 MHz | 不揮発性 | 8mbit | 12 ns | フラッシュ | 1m x 8 | spi-デュアルi/o | 100μs6ms | |
| GD25B32EEAGR | 0.9968 | | 3390 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25B | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 8-XFDFN露出パッド | フラッシュ - （slc） | 2.7V〜3.6V | 8-USON | - | 1970-GD25B32EEAGRTR | 3,000 | 不揮発性 | 32mbit | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o | - | |||
| GD5F4GM8UEWIGY | 6.1180 | | 5267 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD5F | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ-nand（slc） | 2.7V〜3.6V | 8-wson | ダウンロード | 1970-GD5F4GM8UEWIGY | 5,700 | 133 MHz | 不揮発性 | 4gbit | 7 ns | フラッシュ | 512m x 8 | spi -quad i/o、dtr | 600µs | |
| GD25Q20ETJGR | 0.3468 | | 7610 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25Q | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | フラッシュ - （slc） | 2.7V〜3.6V | 8ソップ | ダウンロード | 1970-GD25Q20ETJGRTR | 3,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 2mbit | 7 ns | フラッシュ | 256k x 8 | spi -quad i/o | 140µs 、4ms | |
| GD25LR128EWIGR | 1.8258 | | 4313 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25LR | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜2V | 8-wson | - | 1970-GD25LR128EGIGRTR | 3,000 | 200 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | - | ||
| GD25WQ128EWIGR | 1.4385 | | 7179 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25WQ | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ - （slc） | 1.65v〜3.6V | 8-wson | ダウンロード | 1970-GD25WQ128EGIGRTR | 3,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 128mbit | 8 ns | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | 120µs 、4ms | |
| GD25R64ESIGR | 1.1044 | | 1322 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25R | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） | フラッシュ - （slc） | 2.7V〜3.6V | 8ソップ | - | 1970-GD25R64ESIGRTR | 2,000 | 200 MHz | 不揮発性 | 64mbit | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o | - | ||
| GD25LE64ENEGR | 1.2636 | | 5828 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | gd25le | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 8-udfn露出パッド | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜2V | 8-USON | ダウンロード | 1970-GD25LE64ENEGRTR | 3,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 64mbit | 6 ns | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 100µs 、4ms | |
| GD25LB32ES2GR | 0.9968 | | 1616 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25LB | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜2V | 8ソップ | - | 1970-GD25LB32ES2GRTR | 2,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 32mbit | 6 ns | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 60µs、2.4ms | |
| gd25q16etjgr | 0.5515 | | 7734 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25Q | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | フラッシュ - （slc） | 2.7V〜3.6V | 8ソップ | ダウンロード | 1970-GD25Q16ETJGRTR | 3,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 16mbit | 7 ns | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o | 140µs 、4ms | |
| GD5F1GQ5REYIHR | 2.4898 | | 9529 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD5F | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ-nand（slc） | 1.7V〜2V | 8-wson （6x8） | - | 1970-GD5F1GQ5REYIHRTR | 3,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 1gbit | 9.5 ns | フラッシュ | 256m x 4 | spi -quad i/o、dtr | 600µs | |
| GD25LE40ETIGR | 0.3640 | | 7755 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | gd25le | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜2V | 8ソップ | ダウンロード | 1970-GD25LE40ETIGRTR | 3,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 4mbit | 6 ns | フラッシュ | 512k x 8 | spi -quad i/o | 60µs、2.4ms | |
| GD25WD20CKIGR | 0.3619 | | 9413 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25WD | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-XFDFN露出パッド | フラッシュ - （slc） | 1.65v〜3.6V | 8-USON（1.5x1.5 | ダウンロード | 1970-GD25WD20CKIGRTR | 3,000 | 100 MHz | 不揮発性 | 2mbit | 12 ns | フラッシュ | 256k x 8 | spi-デュアルi/o | 97µs 、6ms | |
| GD25LQ32EN2GR | 1.1092 | | 9037 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25LQ | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 8-udfn露出パッド | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜2V | 8-USON | - | 1970-GD25LQ32EN2GRTR | 3,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 32mbit | 6 ns | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 60µs、2.4ms | |
| GD25LQ32ENAGR | 1.2776 | | 5397 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25LQ | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 8-udfn露出パッド | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜2V | 8-USON | - | 1970-GD25LQ32ENAGRTR | 3,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 32mbit | 6 ns | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 100µs 、4ms | |
| GD25LQ128DSAGR | 2.3653 | | 9810 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25LQ | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜2V | 8ソップ | - | 1970-GD25LQ128DSAGRTR | 2,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 128mbit | 6 ns | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 4ms | |
| GD25B128EWIGY | 1.2342 | | 2947 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25B | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ - （slc） | 2.7V〜3.6V | 8-wson | ダウンロード | 1970-GD25B128EWIGY | 5,700 | 133 MHz | 不揮発性 | 128mbit | 7 ns | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | 70µs、2.4ms | |
| gd55x02gebiry | 25.9350 | | 2372 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD55X | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 24-tbga | フラッシュ - （slc） | 2.7V〜3.6V | 24-tfbga | - | 1970-GD55X02GEBIRY | 4,800 | 200 MHz | 不揮発性 | 2Gbit | フラッシュ | 256m x 8 | SPI -OCTAL I/O、DTR | - | ||
| GD25F256FYAGR | 4.2182 | | 5862 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25F | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ - （slc） | 2.7V〜3.6V | 8-wson （6x8） | - | 1970-GD25F256FYAGRTR | 3,000 | 200 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o | - | ||
| GD25Q40CT2GR | 0.4949 | | 9389 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25Q | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | フラッシュ - （slc） | 2.7V〜3.6V | 8ソップ | - | 1970-GD25Q40CT2GRTR | 3,000 | 80 MHz | 不揮発性 | 4mbit | 7 ns | フラッシュ | 512k x 8 | spi -quad i/o | 60µs 、4ms | |
| gd25q20eeigr | 0.3318 | | 2049 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25Q | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-XFDFN露出パッド | フラッシュ - （slc） | 2.7V〜3.6V | 8-USON | ダウンロード | 1970-GD25Q20EEGRTR | 3,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 2mbit | 7 ns | フラッシュ | 256k x 8 | spi -quad i/o | 70µs 、2ms | |
| GD25Q256EFIRY | 2.3472 | | 2565 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25Q | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） | フラッシュ - （slc） | 2.7V〜3.6V | 16ソップ | ダウンロード | 1970-GD25Q256EFIRY | 1,760 | 133 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o | - | ||
| GD25LB256ELIGR | 2.6281 | | 7016 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25LB | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 32-xfbga 、wlcsp | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜2V | 32-WLCSP | ダウンロード | 1970-GD25LB256ELIGRTR | 3,000 | 166 MHz | 不揮発性 | 256mbit | 6 ns | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o | 70µs、1.2ms | |
| GD25LQ40EEAGR | 0.6929 | | 8244 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25LQ | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 8-XFDFN露出パッド | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜2V | 8-USON | - | 1970-GD25LQ40EEAGRTR | 3,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 4mbit | 6 ns | フラッシュ | 512k x 8 | spi -quad i/o | 100µs 、4ms | |
| GD25B16CSAGR | 0.9266 | | 2242 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25B | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） | フラッシュ - （slc） | 2.7V〜3.6V | 8ソップ | - | 1970-GD25B16CSAGRTR | 2,000 | 不揮発性 | 16mbit | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o | - | |||
| GD5F1GQ5REYIGY | 2.3962 | | 1854年年 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD5F | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ-nand（slc） | 1.7V〜2V | 8-wson （6x8） | ダウンロード | 1970-GD5F1GQ5REYIGY | 4,800 | 104 MHz | 不揮発性 | 1gbit | 9.5 ns | フラッシュ | 256m x 4 | spi -quad i/o | 600µs | |
| GD55LX02GEBIRY | 26.2542 | | 8747 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD55LX | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 24-tbga | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜2V | 24-tfbga | - | 1970-GD55LX02GEBIRY | 4,800 | 166 MHz | 不揮発性 | 2Gbit | フラッシュ | 256m x 8 | SPI -OCTAL I/O、DTR | - | ||
| gd25lf128equgr | 1.9209 | | 2689 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25LF | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 8-XDFN露出パッド | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜2V | 8-USON （4x4） | ダウンロード | 1970-GD25LF128EQEGRTR | 3,000 | 166 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | - |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
在庫倉庫
ウィッシュリスト（0アイテム）