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メモリ（847）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | その他の名前 | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | GD25F256FB2RY | 3.4593 |  | 6033 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25F | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 24-tbga | フラッシュ - （slc） | 2.7V〜3.6V | 24-tfbga | - | 1970-GD25F256FB2RY | 4,800 | 200 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o | - | ||
| GD25LQ128EYIGY | 1.2999 | | 6703 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25LQ | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜2V | 8-wson （6x8） | ダウンロード | 1970-GD25LQ128EYIGY | 4,800 | 120 MHz | 不揮発性 | 128mbit | 6 ns | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | 60µs、2.4ms | |
| gd25d40ceigr | 0.3167 | | 8682 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25D | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-XFDFN露出パッド | フラッシュ - （slc） | 2.7V〜3.6V | 8-USON | ダウンロード | 1970-GD25D40CEIGRTR | 3,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 4mbit | 6 ns | フラッシュ | 512k x 8 | spi-デュアルi/o | 50µs 、4ms | |
| GD25LF255555555555555555555555555555555555555555555555555555555555555555555555555555555555555555555555555555555555 | 2.1590 | | 8261 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25LF | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜2V | 8-wson | ダウンロード | 1970-GD25LF255555555555555555555555555 | 5,700 | 166 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o | - | ||
| gd25lq128equgr | 1.8538 | | 3854 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25LQ | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 8-XDFN露出パッド | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜2V | 8-USON （4x4） | ダウンロード | 1970-GD25LQ128EQEGRTR | 3,000 | 120 MHz | 不揮発性 | 128mbit | 6 ns | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | 100µs 、4ms | |
| GD25LQ20ESIGR | 0.3167 | | 4317 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25LQ | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜2V | 8ソップ | - | 1970-GD25LQ20ESIGRTR | 2,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 2mbit | 6 ns | フラッシュ | 256k x 8 | spi -quad i/o | 60µs、2.4ms | |
| GD5F2GQ5UEYIGR | 3.9884 | | 8461 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD5F | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ-nand（slc） | 2.7V〜3.6V | 8-wson （6x8） | ダウンロード | 1970-GD5F2GQ5UEYIGRTR | 3,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 2Gbit | 9 ns | フラッシュ | 256m x 8 | spi -quad i/o | 600µs | |
| GD9FS4G8F2AMGI | 6.9852 | | 1155 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD9F | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | フラッシュ-nand（slc） | 1.7V〜1.95V | 48-tsop i | ダウンロード | 1970-GD9FS4G8F2AMGI | 960 | 不揮発性 | 4gbit | 22 ns | フラッシュ | 512m x 8 | onfi | 25ns | ||
| GD9FS4G8F3AMGI | 6.9852 | | 8654 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD9F | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | フラッシュ-nand（slc） | 1.7V〜1.95V | 48-tsop i | ダウンロード | 1970-GD9FS4G8F3AMGI | 960 | 不揮発性 | 4gbit | 22 ns | フラッシュ | 512m x 8 | onfi | 25ns | ||
| GD55F512MFWIGR | 4.3329 | | 5638 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | 1970-GD55F512MFWIGRTR | 3,000 | |||||||||||||||
| GD25Q128EYJGR | 1.4911 | | 7018 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25Q | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ - （slc） | 2.7V〜3.6V | 8-wson （6x8） | ダウンロード | 1970-GD25Q128EYJGRTR | 3,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 128mbit | 7 ns | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | 140µs 、4ms | |
| GD25LQ20EKIGR | 0.3786 | | 6749 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25LQ | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-XFDFN露出パッド | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜2V | 8-USON（1.5x1.5 | ダウンロード | 1970-GD25LQ20EKIGRTR | 3,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 2mbit | 6 ns | フラッシュ | 256k x 8 | spi -quad i/o | 60µs、2.4ms | |
| GD25B16EEAGR | 0.8845 | | 5550 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25B | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 8-XFDFN露出パッド | フラッシュ - （slc） | 2.7V〜3.6V | 8-USON | - | 1970-GD25B16EEAGRTR | 3,000 | 不揮発性 | 16mbit | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o | - | |||
| GD55T01GEY2GR | 16.7580 | | 7366 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD55T | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ - （slc） | 2.7V〜3.6V | 8-wson （6x8） | - | 1970-GD55T01GEY2GRTR | 3,000 | 200 MHz | 不揮発性 | 1gbit | フラッシュ | 128m x 8 | spi -quad i/o、dtr | - | ||
| GD25F128EGIGR | 1.1590 | | 6397 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | 1970-GD25F128EGRTR | 2,000 | |||||||||||||||
| GD25LQ256DWAGY | 4.2161 | | 5956 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25LQ | トレイ | アクティブ | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜2V | 8-wson | - | 1970-GD25LQ256DWAGY | 5,700 | 104 MHz | 不揮発性 | 256mbit | 6 ns | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 4ms | |
| GD25LQ255EBIRY | 2.2364 | | 6673 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25LQ | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 24-tbga | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜2V | 24-tfbga | ダウンロード | 1970-GD25LQ255EBIRY | 4,800 | 133 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o、qpi | - | ||
| GD9FS2G8F3AMGI | 4.7315 | | 9084 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD9F | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | フラッシュ-nand（slc） | 1.7V〜1.95V | 48-tsop i | ダウンロード | 1970-GD9FS2G8F3AMGI | 960 | 不揮発性 | 2Gbit | 20 ns | フラッシュ | 256m x 8 | 平行 | 25ns | ||
| GD25LQ16ETJGR | 0.6115 | | 2224 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25LQ | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜2.1V | 8ソップ | ダウンロード | 1970-GD25LQ16ETJGRTR | 3,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 16mbit | 6 ns | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 60µs、2.4ms | |
| GD25LE80ETIGR | 0.3959 | | 1385 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | gd25le | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜2V | 8ソップ | ダウンロード | 1970-GD25LE80ETIGRTR | 3,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 8mbit | 6 ns | フラッシュ | 1m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 60µs、2.4ms | |
| gd25b512meyigy | 4.2560 | | 2864 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25B | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ - （slc） | 2.7V〜3.6V | 8-wson （6x8） | ダウンロード | 1970-GD25B512MEYIGY | 4,800 | 133 MHz | 不揮発性 | 512mbit | フラッシュ | 64m x 8 | spi -quad i/o | - | ||
| gd55lb01geb2ry | 13.4000 | | 9389 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD55LB | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 24-tbga | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜2V | 24-tfbga | - | 1970-GD55LB01GEB2RY | 4,800 | 166 MHz | 不揮発性 | 1gbit | 6 ns | フラッシュ | 128m x 8 | spi -quad i/o | 140µs 、2ms | |
| gd25wr256eyigy | 2.6761 | | 6615 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25WR | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ - （slc） | 1.65v〜3.6V | 8-wson （6x8） | - | 1970-GD25WR256EYIGY | 4,800 | 104 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o | - | ||
| GD25F256FBIRY | 2.3163 | | 1615 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25F | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 24-tbga | フラッシュ - （slc） | 2.7V〜3.6V | 24-tfbga | - | 1970-GD25F256FBIRY | 4,800 | 200 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o | - | ||
| gd25wq16enigr | 0.6406 | | 4408 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25WQ | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-udfn露出パッド | フラッシュ - （slc） | 1.65v〜3.6V | 8-USON | ダウンロード | 1970-GD25WQ16ENIGRTR | 3,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 16mbit | 12 ns | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o | 120µs 、4ms | |
| gd25wq64enigr | 0.8999 | | 8486 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25WQ | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-udfn露出パッド | フラッシュ - （slc） | 1.65v〜3.6V | 8-USON | ダウンロード | 1970-GD25WQ64ENIGRTR | 3,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 64mbit | 12 ns | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o | 120µs 、4ms | |
| gd55wb512meyigr | 4.6218 | | 8554 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD55WB | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ - （slc） | 1.65v〜3.6V | 8-wson （6x8） | - | 1970-GD55WB512MEYIGRTR | 3,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 512mbit | フラッシュ | 64m x 8 | spi -quad i/o | - | ||
| GD25WQ64E3IGR | 0.9547 | | 5510 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25WQ | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 14-xfbga 、wlcsp | フラッシュ - （slc） | 1.65v〜3.6V | 14-wlcsp | ダウンロード | 1970-GD25WQ64E3IGRTR | 3,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 64mbit | 12 ns | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o | 120µs 、4ms | |
| GD55LB01GEBARY | 16.3989 | | 9185 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD55LB | トレイ | アクティブ | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 24-tbga | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜2V | 24-tfbga | - | 1970-GD55LB01GEBARY | 4,800 | 133 MHz | 不揮発性 | 1gbit | 6 ns | フラッシュ | 128m x 8 | spi -quad i/o | 140µs 、2ms | |
| GD25LF32ENEGR | 0.9817 | | 9351 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25LF | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 8-udfn露出パッド | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜2V | 8-USON | ダウンロード | 1970-GD25LF32ENEGRTR | 3,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 32mbit | 5.5 ns | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o | 100µs 、4ms |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
在庫倉庫
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