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メモリ（847）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
GD25Q40CEJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q40CEJGR 0.7100
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - テープ＆リール（ tr） 新しいデザインではありません -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-XFDFN露出パッド GD25Q40 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-USON ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 3,000 80 MHz 不揮発性 4mbit フラッシュ 512k x 8 spi -quad i/o 50µs、2.4ms
GD25LQ128EWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ128EWIGR 2.3000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド GD25LQ128 フラッシュ - 1.65V〜2V 8-wson ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 120 MHz 不揮発性 128mbit 7 ns フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o 60µs、2.4ms
GD25LQ32ENIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ32Enigr 1.0900
RFQ
 ECAD 871 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-udfn露出パッド GD25LQ32 フラッシュ - 1.65V〜2V 8-USON （4x3） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 133 MHz 不揮発性 32mbit 7 ns フラッシュ 4m x 8 spi -quad i/o、qpi 60µs、2.4ms
GD25Q16ENIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25q16enigr 0.8700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-udfn露出パッド GD25Q16 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-USON （4x3） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 3,000 133 MHz 不揮発性 16mbit 7 ns フラッシュ 2m x 8 spi -quad i/o 70µs 、2ms
GD25Q64ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q64ESIGR 1.1800
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） GD25Q64 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8ソップ ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1970-GD25Q64ESIGRTR 3A991B2A 8542.32.0071 2,000 133 MHz 不揮発性 64mbit 7 ns フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o 70µs、2.4ms
GD25Q32ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q32ESIGR 0.9400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） GD25Q32 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8ソップ ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 133 MHz 不揮発性 32mbit 7 ns フラッシュ 4m x 8 spi -quad i/o 70µs、2.4ms
GD25LQ32ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ32ESIGR 1.0100
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） GD25LQ32 フラッシュ - 1.65V〜2V 8ソップ ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 133 MHz 不揮発性 32mbit 7 ns フラッシュ 4m x 8 spi -quad i/o、qpi 60µs、2.4ms
GD25Q16ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25q16esigr 0.7100
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） GD25Q16 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8ソップ ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 2,000 133 MHz 不揮発性 16mbit 7 ns フラッシュ 2m x 8 spi -quad i/o 70µs 、2ms
GD25WD20EK6IGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25wd20ek6igr 0.3368
RFQ
 ECAD 6405 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25WD テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-XFDFN露出パッド フラッシュ - （slc） 1.65v〜3.6V 8-USON（1.5x1.5 ダウンロード 1970-GD25WD20EK6IGRTR 3,000 104 MHz 不揮発性 2mbit 6 ns フラッシュ 256k x 8 spi-デュアルi/o 100μs6ms
GD25F64FWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25F64FWIGR 0.9688
RFQ
 ECAD 5581 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25F テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド フラッシュ - （slc） 2.7V〜3.6V 8-wson - 1970-GD25F64FWIGRTR 3,000 200 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o、dtr -
GD25F64FSAGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25F64FSAGR 1.4939
RFQ
 ECAD 7244 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25F テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） フラッシュ - （slc） 2.7V〜3.6V 8ソップ - 1970-GD25F64FSAGRTR 2,000 200 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o、dtr -
GD25LF16EEEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25lf16eeegr 0.7582
RFQ
 ECAD 5042 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25LF テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-XFDFN露出パッド フラッシュ - （slc） 1.65V〜2V 8-USON ダウンロード 1970-GD25LF16EEEGRTR 3,000 133 MHz 不揮発性 16mbit 5.5 ns フラッシュ 2m x 8 spi -quad i/o 100µs 、4ms
GD9FU2G8F3AMGI GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD9FU2G8F3AMGI 4.5630
RFQ
 ECAD 6291 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD9F トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 48-tsop i ダウンロード 1970-GD9FU2G8F3AMGI 960 不揮発性 2Gbit 18 ns フラッシュ 256m x 8 平行 20ns
GD25LQ32ESAGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ32ESAGR 1.0635
RFQ
 ECAD 1076 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25LQ テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） フラッシュ - （slc） 1.65V〜2V 8ソップ - 1970-GD25LQ32ESAGRTR 2,000 133 MHz 不揮発性 32mbit 6 ns フラッシュ 4m x 8 spi -quad i/o、qpi 100µs 、4ms
GD5F1GQ5REYJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F1GQ5REYJGR 3.0154
RFQ
 ECAD 8057 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD5F テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-wdfn露出パッド フラッシュ-nand（slc） 1.7V〜2V 8-wson （6x8） ダウンロード 1970-GD5F1GQ5REYJGRTR 3,000 104 MHz 不揮発性 1gbit 9.5 ns フラッシュ 256m x 4 spi -quad i/o 600µs
GD25LQ32ESIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ32ESIGY 0.6261
RFQ
 ECAD 1323 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25LQ トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） フラッシュ - （slc） 1.65V〜2V 8ソップ ダウンロード 1970-GD25LQ32ESIGY 3,000 133 MHz 不揮発性 32mbit 6 ns フラッシュ 4m x 8 spi -quad i/o、qpi 60µs、2.4ms
GD25B256EFIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B256EFIGY 2.4461
RFQ
 ECAD 6703 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25B トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） フラッシュ - （slc） 2.7V〜3.6V 16ソップ ダウンロード 1970-GD25B256EFIGY 1,760 不揮発性 256mbit フラッシュ 32m x 8 spi -quad i/o -
GD25X512MEF2RR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25X512MEF2RR 12.9053
RFQ
 ECAD 2768 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25X テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） フラッシュ - （slc） 2.7V〜3.6V 16ソップ - 1970-GD25X512MEF2RRTR 1,000 200 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 64m x 8 SPI -OCTAL I/O -
GD25R64EWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25R64EWIGR 1.2636
RFQ
 ECAD 4714 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25R テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド フラッシュ - （slc） 2.7V〜3.6V 8-wson - 1970-GD25R64EWIGRTR 3,000 200 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o -
GD5F2GQ5UEYIHR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F2GQ5UEYIHR 3.9884
RFQ
 ECAD 8162 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD5F テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 8-wson （6x8） - 1970-GD5F2GQ5UEYIHRTR 3,000 104 MHz 不揮発性 2Gbit 9 ns フラッシュ 512m x 4 spi -quad i/o 600µs
GD25T512MEB2RY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25T512MEB2RY 8.1396
RFQ
 ECAD 6294 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25T トレイ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 24-tbga フラッシュ - （slc） 2.7V〜3.6V 24-tfbga - 1970-GD25T512MEB2RY 4,800 200 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 64m x 8 spi -quad i/o、dtr -
GD5F1GQ5UEWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F1GQ5UEWIGR 1.4109
RFQ
 ECAD 8056 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD5F テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 8-wson ダウンロード 1970-GD5F1GQ5UEWIGRTR 3,000 133 MHz 不揮発性 1gbit 7 ns フラッシュ 256m x 4 spi -quad i/o 600µs
GD25Q80ENIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25q80 enigr 0.4242
RFQ
 ECAD 5279 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25Q テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-udfn露出パッド フラッシュ - （slc） 2.7V〜3.6V 8-USON ダウンロード 1970-GD25Q80ENIGRTR 3,000 133 MHz 不揮発性 8mbit 7 ns フラッシュ 1m x 8 spi -quad i/o 70µs 、2ms
GD25LB128EYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB128EYIGR 1.4524
RFQ
 ECAD 4069 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25LB テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド フラッシュ - （slc） 1.65V〜2V 8-wson （6x8） ダウンロード 1970-GD25LB128EYIGRTR 3,000 133 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o -
GD9FS8G8E2AMGI GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD9FS8G8E2AMGI 14.9396
RFQ
 ECAD 3046 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD9F トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） フラッシュ-nand（slc） 1.7V〜1.95V 48-tsop i ダウンロード 1970-GD9FS8G8E2AMGI 960 不揮発性 8gbit 22 ns フラッシュ 1g x 8 onfi 25ns
GD55T01GEB2RY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55T01GEB2RY 16.8378
RFQ
 ECAD 8172 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD55T トレイ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 24-tbga フラッシュ - （slc） 2.7V〜3.6V 24-tfbga - 1970-GD55T01GEB2RY 4,800 200 MHz 不揮発性 1gbit フラッシュ 128m x 8 spi -quad i/o、dtr -
GD25WQ128EWIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25wq128ewigy 1.3445
RFQ
 ECAD 6874 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25WQ トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド フラッシュ - （slc） 1.65v〜3.6V 8-wson ダウンロード 1970-GD25WQ128EWIGY 5,700 104 MHz 不揮発性 128mbit 8 ns フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o 120µs 、4ms
GD25LQ40CE2GR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ40CE2GR 0.6222
RFQ
 ECAD 2683 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25LQ テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-XFDFN露出パッド フラッシュ - （slc） 1.65V〜2.1V 8-USON - 1970-GD25LQ40CE2GRTR 3,000 90 MHz 不揮発性 4mbit 7 ns フラッシュ 512k x 8 spi -quad i/o 80µs、3ms
GD25LB512MEYJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB512MEYJGR 5.6243
RFQ
 ECAD 8663 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25LB テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-wdfn露出パッド フラッシュ - （slc） 1.65V〜2V 8-wson （6x8） ダウンロード 1970-GD25LB512MEYJGRTR 3,000 133 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 64m x 8 spi -quad i/o -
GD25D40CTEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25d40ctegr 0.3640
RFQ
 ECAD 6764 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25D テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） フラッシュ - （slc） 2.7V〜3.6V 8ソップ ダウンロード 1970-GD25D40Ctegrtr 3,000 104 MHz 不揮発性 4mbit 6 ns フラッシュ 512k x 8 spi-デュアルi/o 80µs 、4ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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