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メモリ（847）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | その他の名前 | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | GD25LT512MEBARY | 10.1346 |  | 4484 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25LT | トレイ | アクティブ | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 24-tbga | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜2V | 24-tfbga | - | 1970-GD25LT512MEBARY | 4,800 | 200 MHz | 不揮発性 | 512mbit | フラッシュ | 64m x 8 | spi -quad i/o | - | ||
| GD25LE16EEIGR | 0.5678 | | 4022 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | gd25le | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-XFDFN露出パッド | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜2V | 8-USON | ダウンロード | 1970-GD25LE16EEGRTR | 3,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 16mbit | 6 ns | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 60µs、2.4ms | |
| GD25LB512MEY2GY | 7.1953 | | 5315 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25LB | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜2V | 8-wson （6x8） | - | 1970-GD25LB512MEY2GY | 4,800 | 133 MHz | 不揮発性 | 512mbit | フラッシュ | 64m x 8 | spi -quad i/o | - | ||
| GD25Q40ETEGR | 0.4101 | | 9638 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25Q | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | フラッシュ - （slc） | 2.7V〜3.6V | 8ソップ | ダウンロード | 1970-GD25Q40ETEGRTR | 3,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 4mbit | 7 ns | フラッシュ | 512k x 8 | spi -quad i/o | 140µs 、4ms | |
| GD25Q20EEAGR | 0.5656 | | 4992 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25Q | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 8-XFDFN露出パッド | フラッシュ - （slc） | 2.7V〜3.6V | 8-USON | - | 1970-GD25Q20EEAGRTR | 3,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 2mbit | 7 ns | フラッシュ | 256k x 8 | spi -quad i/o | 140µs 、4ms | |
| GD25LB512MEYIGY | 4.5752 | | 9443 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25LB | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜2V | 8-wson （6x8） | ダウンロード | 1970-GD25LB512MEYIGY | 4,800 | 133 MHz | 不揮発性 | 512mbit | フラッシュ | 64m x 8 | spi -quad i/o | - | ||
| GD25LB512MEYIGR | 4.6509 | | 1068 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25LB | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜2V | 8-wson （6x8） | ダウンロード | 1970-GD25LB512MEYIGRTR | 3,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 512mbit | フラッシュ | 64m x 8 | spi -quad i/o | - | ||
| gd9fu8g8e2amgi | 14.3117 | | 9780 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD9F | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | フラッシュ-nand（slc） | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | ダウンロード | 1970-GD9FU8G8E2AMGI | 960 | 不揮発性 | 8gbit | 18 ns | フラッシュ | 1g x 8 | onfi | 20ns | ||
| GD25LQ128DS2GR | 2.0015 | | 7643 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25LQ | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜2V | 8ソップ | - | 1970-GD25LQ128DS2GRTR | 2,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 128mbit | 6 ns | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 2.4ms | |
| GD25LQ32 EQUGR | 0.9828 | | 3861 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25LQ | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 8-XDFN露出パッド | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜2V | 8-USON （4x4） | ダウンロード | 1970-GD25LQ32EQEGRTR | 3,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 32mbit | 6 ns | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 100µs 、4ms | |
| GD25LQ128EFIRR | 1.4778 | | 3146 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25LQ | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜2V | 16ソップ | ダウンロード | 1970-GD25LQ128EFIRRTR | 1,000 | 120 MHz | 不揮発性 | 128mbit | 6 ns | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | 60µs、2.4ms | |
| GD25B128EYGY | 1.2709 | | 5180 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25B | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ - （slc） | 2.7V〜3.6V | 8-wson （6x8） | ダウンロード | 1970-GD25B128EYIGY | 4,800 | 133 MHz | 不揮発性 | 128mbit | 7 ns | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | 70µs、2.4ms | |
| GD55LT01GEF2RR | 17.1434 | | 6424 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD55LT | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜2V | 16ソップ | - | 1970-GD55LT01GEF2RRTR | 1,000 | 不揮発性 | 1gbit | フラッシュ | 128m x 8 | spi -quad i/o | - | |||
| GD25WD20EKIGR | 0.3167 | | 1678 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25WD | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-XFDFN露出パッド | フラッシュ - （slc） | 1.65v〜3.6V | 8-USON（1.5x1.5 | ダウンロード | 1970-GD25WD20EKIGRTR | 3,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 2mbit | 6 ns | フラッシュ | 256k x 8 | spi-デュアルi/o | 100μs6ms | |
| GD25S512MDYEGR | 6.0164 | | 9308 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25S | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ - （slc） | 2.7V〜3.6V | 8-wson （6x8） | ダウンロード | 1970-GD25S512MDYEGRTR | 3,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 512mbit | 7 ns | フラッシュ | 64m x 8 | spi -quad i/o | 60µs、2.5ms | |
| gd25ld40ckigr | 0.3640 | | 5718 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25LD | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-XFDFN露出パッド | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜2V | 8-USON（1.5x1.5 | ダウンロード | 1970-GD25LD40CKIGRTR | 3,000 | 50 MHz | 不揮発性 | 4mbit | 12 ns | フラッシュ | 512k x 8 | spi-デュアルi/o | 97µs 、6ms | |
| GD55LB01GEBIRY | 8.5364 | | 1428 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD55LB | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 24-tbga | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜2V | 24-tfbga | ダウンロード | 1970-GD55LB01GEBIRY | 4,800 | 166 MHz | 不揮発性 | 1gbit | 6 ns | フラッシュ | 128m x 8 | spi -quad i/o | 70µs、1.2ms | |
| GD25B512MEF2RY | 6.7702 | | 9276 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25B | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） | フラッシュ - （slc） | 2.7V〜3.6V | 16ソップ | - | 1970-GD25B512MEF2RY | 1,760 | 133 MHz | 不揮発性 | 512mbit | フラッシュ | 64m x 8 | spi -quad i/o | - | ||
| gd25le80esigr | 0.4077 | | 1722 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | gd25le | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜2V | 8ソップ | - | 1970-GD25LE80EGRTR | 2,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 8mbit | 6 ns | フラッシュ | 1m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 60µs、2.4ms | |
| GD25WQ128EYIGR | 1.4385 | | 3490 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25WQ | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ - （slc） | 1.65v〜3.6V | 8-wson （6x8） | ダウンロード | 1970-GD25WQ128EYIGRTR | 3,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 128mbit | 8 ns | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | 120µs 、4ms | |
| GD25Q20CEAGR | 0.6080 | | 6661 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25Q | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 8-XFDFN露出パッド | フラッシュ - （slc） | 2.7V〜3.6V | 8-USON | - | 1970-GD25Q20CEAGRTR | 3,000 | 80 MHz | 不揮発性 | 2mbit | 7 ns | フラッシュ | 256k x 8 | spi -quad i/o | 60µs 、4ms | |
| GD25LB256EYIGR | 2.3929 | | 2509 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25LB | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜2V | 8-wson （6x8） | ダウンロード | 1970-GD25LB256EYIGRTR | 3,000 | 166 MHz | 不揮発性 | 256mbit | 6 ns | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o | 70µs、1.2ms | |
| GD9FU1G8F2DMGI | 2.3296 | | 1747 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD9F | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | フラッシュ-nand（slc） | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | ダウンロード | 1970-GD9FU1G8F2DMGI | 960 | 不揮発性 | 1gbit | 9 ns | フラッシュ | 128m x 8 | onfi | 12ns 、600µs | ||
| GD25LB32ESIGR | 0.6363 | | 2319 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25LB | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜2V | 8ソップ | ダウンロード | 1970-GD25LB32ESIGRTR | 2,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 32mbit | 6 ns | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 60µs、2.4ms | |
| GD25WQ64ENEGR | 1.2544 | | 1709 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25WQ | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 8-udfn露出パッド | フラッシュ - （slc） | 1.65v〜3.6V | 8-USON | ダウンロード | 1970-GD25WQ64ENEGRTR | 3,000 | 84 MHz | 不揮発性 | 64mbit | 12 ns | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o | 240µs 、8ms | |
| GD25LQ16EWIGY | 0.5642 | | 5262 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25LQ | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜2.1V | 8-wson | ダウンロード | 1970-GD25LQ16EWIGY | 5,700 | 133 MHz | 不揮発性 | 16mbit | 6 ns | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 60µs、2.4ms | |
| GD25LQ128DW2GR | 2.2408 | | 8751 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25LQ | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜2V | 8-wson | - | 1970-GD25LQ128DW2GRTR | 3,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 128mbit | 6 ns | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 2.4ms | |
| GD25Q16ESJGR | 0.5515 | | 1990年 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25Q | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） | フラッシュ - （slc） | 2.7V〜3.6V | 8ソップ | ダウンロード | 1970-GD25Q16ESJGRTR | 2,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 16mbit | 7 ns | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o | 140µs 、4ms | |
| GD5F2GQ5UEYIGY | 3.9235 | | 6089 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD5F | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ-nand（slc） | 2.7V〜3.6V | 8-wson （6x8） | ダウンロード | 1970-GD5F2GQ5UEYIGY | 4,800 | 104 MHz | 不揮発性 | 2Gbit | 9 ns | フラッシュ | 256m x 8 | spi -quad i/o | 600µs | |
| gd25wd20eeigr | 0.2865 | | 4817 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25WD | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-XFDFN露出パッド | フラッシュ - （slc） | 1.65v〜3.6V | 8-USON | ダウンロード | 1970-GD25WD20EEGRTR | 3,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 2mbit | 6 ns | フラッシュ | 256k x 8 | spi-デュアルi/o | 100μs6ms |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
在庫倉庫
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