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メモリ（847）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
GD25F128FB2RY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25F128FB2RY 2.2364
RFQ
 ECAD 9481 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25F トレイ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 24-tbga フラッシュ - （slc） 2.7V〜3.6V 24-tfbga - 1970-GD25F128FB2RY 4,800 200 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o -
GD25Q16CSJG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q16CSJG -
RFQ
 ECAD 9569 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - チューブ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） GD25Q16 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8ソップ ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 9,500 120 MHz 不揮発性 16mbit フラッシュ 2m x 8 spi -quad i/o 50µs、2.4ms
GD25LQ64CQIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ64CQIGR -
RFQ
 ECAD 9390 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-XDFN露出パッド GD25LQ64 フラッシュ - 1.65V〜2V 8-USON （4x4） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 120 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o 2.4ms
GD25LQ32EWIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25lq32ewigy 0.6760
RFQ
 ECAD 2202 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25LQ トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド フラッシュ - （slc） 1.65V〜2V 8-wson ダウンロード 1970-GD25LQ32EWIGY 5,700 133 MHz 不揮発性 32mbit 6 ns フラッシュ 4m x 8 spi -quad i/o、qpi 60µs、2.4ms
GD25LT256EFIRR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LT256EFIRR 2.8704
RFQ
 ECAD 5571 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25LT テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） フラッシュ - （slc） 1.65V〜2V 16ソップ - 1970-GD25LT256EFIRRTR 1,000 200 MHz 不揮発性 256mbit 6 ns フラッシュ 32m x 8 spi -quad i/o 70µs、1.2ms
GD25Q32EWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q32EWIGR 1.1100
RFQ
 ECAD 5940 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド フラッシュ - （slc） 2.7V〜3.6V 8-wson ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3,000 133 MHz 不揮発性 32mbit 7 ns フラッシュ 4m x 8 spi -quad i/o 70µs、2.4ms
GD25Q128EYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q128EYIGR 2.1300
RFQ
 ECAD 8352 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド フラッシュ - （slc） 2.7V〜3.6V 8-wson （6x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3,000 133 MHz 不揮発性 128mbit 7 ns フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o 70µs、2.4ms
GD25WQ64ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25wq64esigr 1.3900
RFQ
 ECAD 3498 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） フラッシュ - （slc） 1.65v〜3.6V 8ソップ ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 2,000 104 MHz 不揮発性 64mbit 12 ns フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o 120µs 、4ms
GD55LX01GEFIRR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55LX01GEFIRR 18.7900
RFQ
 ECAD 5406 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - テープ＆リール（ tr） アクティブ - 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） フラッシュ - （slc） 1.65V〜2V 16ソップ - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1,000 200 MHz 不揮発性 1gbit フラッシュ 128m x 8 SPI -OCTAL I/O、DTR -
GD55B01GEFIRR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55B01GEFIRR 13.0800
RFQ
 ECAD 6702 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） フラッシュ - （slc） 2.7V〜3.6V 16ソップ - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1,000 133 MHz 不揮発性 1gbit フラッシュ 128m x 8 spi -quad i/o -
GD25LR256EB2RY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LR256EB2RY 4.2826
RFQ
 ECAD 6794 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25LR トレイ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 24-tbga フラッシュ - （slc） 1.65V〜2V 24-tfbga - 1970-GD25LR256EB2RY 4,800 不揮発性 256mbit フラッシュ 32m x 8 spi -quad i/o -
GD25LF128EWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LF128EWIGR 1.9780
RFQ
 ECAD 4678 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25LF テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド フラッシュ - （slc） 1.65V〜2V 8-wson ダウンロード 1970-GD25LF128EGIGRTR 3,000 166 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o -
GD5F4GQ4RBYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F4GQ4RBYIGR -
RFQ
 ECAD 8884 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド GD5F4GQ4 フラッシュ -ナンド 1.7V〜2V 8-wson （6x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 120 MHz 不揮発性 4gbit フラッシュ 512m x 8 spi -quad i/o
GD5F4GM8UEYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F4GM8UEYIGY 5.5550
RFQ
 ECAD 3581 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD5F トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 8-wson （6x8） ダウンロード 1970-GD5F4GM8UEYIGY 4,800 133 MHz 不揮発性 4gbit 7 ns フラッシュ 1g x 4 spi -quad i/o、dtr 600µs
GD25VE32CSIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25ve32csigr -
RFQ
 ECAD 3345 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） GD25ve32 フラッシュ - 2.1V〜3.6V 8ソップ ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 104 MHz 不揮発性 32mbit フラッシュ 4m x 8 spi -quad i/o -
GD25T512MEBIRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25T512MEBIRY 5.1710
RFQ
 ECAD 6785 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25T トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga フラッシュ - （slc） 2.7V〜3.6V 24-tfbga - 1970-GD25T512MEBIRY 4,800 200 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 64m x 8 spi -quad i/o、dtr -
GD25D20CKIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25D20CKIGR 0.3016
RFQ
 ECAD 7918 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25D テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-XFDFN露出パッド フラッシュ - （slc） 2.7V〜3.6V 8-USON（1.5x1.5 ダウンロード 1970-GD25D20CKIGRTR 3,000 104 MHz 不揮発性 2mbit 6 ns フラッシュ 256k x 8 spi-デュアルi/o 50µs 、4ms
GD5F2GQ5REYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F2GQ5REYIGY 3.9138
RFQ
 ECAD 8997 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD5F トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド フラッシュ-nand（slc） 1.7V〜2V 8-wson （6x8） ダウンロード 1970-GD5F2GQ5REYIGY 4,800 80 MHz 不揮発性 2Gbit 11 ns フラッシュ 256m x 8 spi -quad i/o 600µs
GD55T01GEF2RR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55T01GEF2RR 16.4782
RFQ
 ECAD 6100 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD55T テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） フラッシュ - （slc） 2.7V〜3.6V 16ソップ - 1970-GD55T01GEF2RRTR 1,000 200 MHz 不揮発性 1gbit フラッシュ 128m x 8 spi -quad i/o、dtr -
GD5F1GM7UEWIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F1GM7UEWIGY 2.0685
RFQ
 ECAD 9754 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD5F トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 8-wson ダウンロード 1970-GD5F1GM7UEWIGY 5,700 133 MHz 不揮発性 1gbit 7 ns フラッシュ 256m x 4 spi -quad i/o、dtr 600µs
GD5F4GQ6REYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F4GQ6REYIGY 6.7830
RFQ
 ECAD 9848 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD5F トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド フラッシュ-nand（slc） 1.7V〜2V 8-wson （6x8） ダウンロード 1970-GD5F4GQ6REYIGY 4,800 80 MHz 不揮発性 4gbit 11 ns フラッシュ 512m x 8 spi -quad i/o 600µs
GD25WD05CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD05CTIG -
RFQ
 ECAD 7306 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - チューブ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） GD25WD05 フラッシュ - 1.65v〜3.6V 8ソップ ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 20,000 100 MHz 不揮発性 512kbit フラッシュ 64k x 8 spi -quad i/o -
GD25B32ETIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25b32etigr 0.9900
RFQ
 ECAD 1707 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） フラッシュ - （slc） 2.7V〜3.6V 8ソップ ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3,000 133 MHz 不揮発性 32mbit 7 ns フラッシュ 4m x 8 spi -quad i/o 70µs、2.4ms
GD5F1GQ4RF9IGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F1GQ4RF9IGR -
RFQ
 ECAD 8267 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-vlga露出パッド GD5F1GQ4 フラッシュ -ナンド 1.7V〜2V 8-lga （6x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 120 MHz 不揮発性 1gbit フラッシュ 128m x 8 spi -quad i/o 700µs
GD25Q64CQIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q64CQIGR -
RFQ
 ECAD 3614 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-XDFN露出パッド GD25Q64 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-USON （4x4） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 120 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o 50µs、2.4ms
GD5F4GQ4RBYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F4GQ4RBYIGY -
RFQ
 ECAD 7820 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド GD5F4GQ4 フラッシュ -ナンド 1.7V〜2V 8-wson （6x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 4,800 120 MHz 不揮発性 4gbit フラッシュ 512m x 8 spi -quad i/o
GD55LE511MEWIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd55le511mewigy 4.1663
RFQ
 ECAD 2768 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - トレイ アクティブ - 1970-GD55LE511MEWIGY 5,700
GD25LD40CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25ld40ceigr 0.3752
RFQ
 ECAD 1631 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-XFDFN露出パッド GD25LD40 フラッシュ - 1.65V〜2V 8-USON ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 3,000 50 MHz 不揮発性 4mbit フラッシュ 512k x 8 spi-デュアルi/o 97µs 、6ms
GD25LQ128DSIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ128DSIGR 2.2000
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - テープ＆リール（ tr） 新しいデザインではありません -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） GD25LQ128 フラッシュ - 1.65V〜2V 8ソップ ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 120 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o 2.4ms
GD25VQ80CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VQ80CTIGR -
RFQ
 ECAD 2523 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） GD25VQ80 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 8ソップ ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 3,000 104 MHz 不揮発性 8mbit フラッシュ 1m x 8 spi -quad i/o 50µs、3ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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