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メモリ（10402）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT61K256M32JE-14：a | - |  | 2113 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 180-tfbga | MT61K256 | sgram -gddr6 | 1.31V〜1.39V | 180-FBGA（12x14） | ダウンロード | ear99 | 8542.32.0071 | 1,260 | 1.75 GHz | 揮発性 | 8gbit | ラム | 256m x 32 | 平行 | - | ||||||
 | MT29F512G08EBLEEJ4-R：E TR | 10.7250 | | 1826年年 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 0°C〜70°C | 表面マウント | 132-VBGA | フラッシュ-Nand （TLC） | 2.6V〜3.6V | 132-VBGA（12x18） | - | 557-MT29F512G08EBLEEJ4-R：ETR | 2,000 | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | 平行 | - | |||||||||
| MT53D512M64D8HR-053 WT ES：B TR | - | | 4285 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 366-WFBGA | MT53D512 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 366-WFBGA（12x12.7） | - | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.866 GHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 512m x 64 | - | - | ||||
 | RC28F128P33B85A | - | | 5268 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（TC） | 表面マウント | 64-TBGA | RC28F128 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 64-easybga | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,800 | 52 MHz | 不揮発性 | 128mbit | 85 ns | フラッシュ | 8m x 16 | 平行 | 85ns | ||
 | MT41J128M8JP-125：g | - | | 7080 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 78-TFBGA | MT41J128M8 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 78-FBGA （8x11.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 800 MHz | 揮発性 | 1gbit | ドラム | 128m x 8 | 平行 | - | |||
 | MT48V8M16LFB4-10 IT：g | - | | 4386 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | sicで中止されました | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 54-VFBGA | mt48v8m16 | SDRAM- lPSDR | 2.3V〜2.7V | 54-VFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 2（1 年） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 100 MHz | 揮発性 | 128mbit | 7 ns | ドラム | 8m x 16 | 平行 | 15ns | ||
| MT25QL256ABA8E14-1SIT | - | | 2631 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 24-tbga | MT25QL256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-T-PBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,122 | 133 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | spi | 8ms、2.8ms | |||
 | MT46V128M8TG-75：TR | - | | 2443 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | MT46V128M8 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 66-tsop | ダウンロード | ROHS非準拠 | 5 （48 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 133 MHz | 揮発性 | 1gbit | 750 PS | ドラム | 128m x 8 | 平行 | 15ns | ||
 | MT53E1G32D2FW-046 WT：a | 22.0050 | | 9440 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | -25°C〜85°C（TC） | 表面マウント | 200-TFBGA | SDRAM -MOBILE LPDDR4X | 1.06V〜1.17V | 200-TFBGA （10x14.5） | - | 557-MT53E1G32D2FW-046WT：a | 1 | 2.133 GHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 1g x 32 | 平行 | 18ns | ||||||||
| MT61M512M32KPA-14 AAT：c | 42.1050 | | 3106 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 557-MT61M512M32KPA-14AAT：c | 1 | |||||||||||||||||||||
 | MT47H16M16BG-37V：b | - | | 7725 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | sicで中止されました | 0°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 84-FBGA | MT47H16M16 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-FBGA （8x14） | - | ROHS3準拠 | 5 （48 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 267 MHz | 揮発性 | 256mbit | 500 PS | ドラム | 16m x 16 | 平行 | 15ns | ||
 | PC28F256M29EWLB TR | - | | 5209 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 64-lbga | PC28F256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA （11x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 不揮発性 | 256mbit | 100 ns | フラッシュ | 32m x 8、16m x 16 | 平行 | 100ns | ||||
| MT53E1G64D4SQ-046AAT：A TR | - | | 7665 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜105°C （TC） | MT53E1G64 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | MT53E1G64D4SQ-046AAT：ATR | 廃止 | 0000.00.0000 | 2,000 | 2.133 GHz | 揮発性 | 64gbit | ドラム | 1g x 64 | - | - | ||||||
| MT29F32G08CBACAL73A3WC1P | - | | 9935 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 死ぬ | MT29F32G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 死ぬ | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 683 | 不揮発性 | 32gbit | フラッシュ | 4g x 8 | 平行 | - | ||||
 | MT29F256G08EFCDBWP-10M：D TR | - | | 2113 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT29F256G08 | フラッシュ-Nand （TLC） | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 100 MHz | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | 平行 | - | |||
| MT29F32G08FAAWP-ET：TR | - | | 8025 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | sicで中止されました | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT29F32G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0051 | 1,000 | 不揮発性 | 32gbit | フラッシュ | 4g x 8 | 平行 | - | ||||
 | MT48LC16M16A2TG-6A：d | - | | 6947 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | MT48LC16M16A2 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS非準拠 | 2（1 年） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 167 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.4 ns | ドラム | 16m x 16 | 平行 | 12ns | ||
| mt53e1dbds-dc tr | 22.5000 | | 9059 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | mt53e1 | - | 影響を受けていない | 557-MT53E1DBDS-DCTR | 2,000 | |||||||||||||||||||
 | N25Q128A11E1241E | - | | 8734 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 24-tbga | N25Q128A11 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 24-T-PBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 187 | 108 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 32m x 4 | spi | 8ms、5ms | |||
 | MT47H128M16RT-25E：c | 14.6300 | | 3 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 84-TFBGA | MT47H128M16 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-FBGA （9x12.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,260 | 400 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 400 PS | ドラム | 128m x 16 | 平行 | 15ns | ||
| mt53b2darn-dc | - | | 3925 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | sicで中止されました | - | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 1,008 | ||||||||||||||||||||
 | MT46H16M16LFBF-75：a | - | | 7292 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | sicで中止されました | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 60-VFBGA | MT46H16M16 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 60-VFBGA （8x9） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | 揮発性 | 256mbit | 6 ns | ドラム | 16m x 16 | 平行 | 15ns | ||
| MT29F256G08CJAAAWP-IT：a | - | | 8567 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT29F256G08 | フラッシュ-nand （mlc） | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | 平行 | - | |||||
| MT29F64G08AFAAAWP-Z：TR | - | | 4494 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT29F64G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 64gbit | フラッシュ | 8g x 8 | 平行 | - | ||||
| ECF840AAACN-C1-Y3 | - | | 2530 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | ECF840A | SDRAM- lpddr3 | 1.14V〜1.95V | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | ear99 | 8542.32.0036 | 1 | 揮発性 | 8gbit | ドラム | 512m x 16 | 平行 | - | |||||||||
| M36P0R8060E0ZAQF TR | - | | 7984 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | M36P0R8060 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | ||||||||||||||||
| RC28F640J3D75B TR | - | | 3599 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash™ | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 64-TBGA | RC28F640 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-easybga （10x13） | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 不揮発性 | 64mbit | 75 ns | フラッシュ | 8m x 8、4m x 16 | 平行 | 75ns | |||
 | MT28F400B5WP-8T | - | | 2796 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT28F400B5 | フラッシュ - | 4.5v〜5.5V | 48-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 2（1 年） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 4mbit | 80 ns | フラッシュ | 512K x 8、256K x 16 | 平行 | 80ns | |||
| MT48H4M16LFB4-10 TR | - | | 8790 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -25°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 54-VFBGA | MT48H4M16 | SDRAM- lPSDR | 1.7V〜1.9V | 54-VFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 2（1 年） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 104 MHz | 揮発性 | 64mbit | 7 ns | ドラム | 4m x 16 | 平行 | 15ns | ||
 | MT46H128M32L2KQ-48 WT：C TR | - | | 1172 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -25°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 168-wfbga | MT46H128M32 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 168-WFBGA（12x12） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 208 MHz | 揮発性 | 4gbit | 5 ns | ドラム | 128m x 32 | 平行 | 14.4ns |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
在庫倉庫
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