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メモリ（10402）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | mtfc32gazaqdw-aat | 19.0800 |  | 2752 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 557-MTFC32GAZAQDW-AAT | 980 | ||||||||||||||||||
| MT29VZZZAD81SFSL-046 W.22C TR | 25.0350 | | 9834 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 557-MT29VZZZAD81SFSL-046W.22CTR | 1 | ||||||||||||||||||||
| M29W128GH70ZS3E | - | | 5437 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 64-lbga | M29W128 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA （11x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 160 | 不揮発性 | 128mbit | 70 ns | フラッシュ | 16m x 8、8m x 16 | 平行 | 70ns | |||
 | MT40A256M16LY-062E IT：F TR | 9.1650 | | 2654 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 96-TFBGA | MT40A256M16 | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 96-FBGA （7.5x13.5） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | MT40A256M16LY-062EIT：FTR | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.6 GHz | 揮発性 | 4gbit | 13.75 ns | ドラム | 256m x 16 | 平行 | - | |
| MT62F1G32D4DS-031 AAT：B TR | 32.5650 | | 3030 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C | 表面マウント | 200-WFBGA | SDRAM- lpddr5 | 1.05V | 200-WFBGA （10x14.5 | - | 557-MT62F1G32D4DS-031AAT：BTR | 2,000 | 3.2 GHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 1g x 32 | 平行 | - | ||||||||
 | MT35XU02GCBA1G12-0AUT TR | - | | 1661 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Xccela™-MT35X | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜125°C | 表面マウント | 24-tbga | mt35xu02 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 24-T-PBGA | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 200 MHz | 不揮発性 | 2Gbit | フラッシュ | 256m x 8 | xccelaバス | - | |||
| MT62F1536M64D8EK-023 FAAT：b | 94.8300 | | 3945 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | 箱 | アクティブ | -40°C〜105°C | 表面マウント | 441-TFBGA | SDRAM- lpddr5 | - | 441-TFBGA | - | 557-MT62F1536M64D8EK-023FAAT：b | 1 | 4.266 GHz | 揮発性 | 96gbit | ドラム | 1.5GX 64 | 平行 | - | ||||||||
 | MT53E768M64D4HJ-046AAT：C Tr | 64.0350 | | 3574 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C （TC） | 表面マウント | 556-TFBGA | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.06V〜1.17V | 556-WFBGA（12.4x12.4 | - | ROHS3準拠 | 557-MT53E768M64D4HJ-046AAT：CTR | 2,000 | 2.133 GHz | 揮発性 | 48gbit | 3.5 ns | ドラム | 768m x 64 | 平行 | 18ns | ||||||
| MT29VZZZBD91SLSM-046 W.17X | 40.8150 | | 9064 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 557-MT29VZZZBD91SLSM-046W.17X | 1 | |||||||||||||||||||||
| MT53B384M64D4NK-062 XT：b | - | | 6529 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜105°C（TC） | 表面マウント | 366-WFBGA | MT53B384 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 366-WFBGA （15x15） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,190 | 1.6 GHz | 揮発性 | 24Gbit | ドラム | 384m x 64 | - | - | |||
 | EDB2432B4MA-1DAAT-FD | - | | 1852年 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -40°C〜105°C （TC） | 表面マウント | 134-VFBGA | EDB2432 | SDRAM-モバイルLPDDR2 | 1.14V〜1.95V | 134-VFBGA （10x11.5 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,100 | 533 MHz | 揮発性 | 2Gbit | ドラム | 64m x 32 | 平行 | - | |||
 | mtfc64gakaeey-3m wt tr | - | | 3875 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -25°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 153-LFBGA | mtfc64 | フラッシュ -ナンド | - | 153-lfbga（11.5x13 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | MMC | - | ||||
 | MT58L128L36P1F-5 | 7.7500 | | 416 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst™ | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 165-TBGA | MT58L128L36 | sram | 3.135V〜3.6V | 165-FBGA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 未定義のベンダー | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 200 MHz | 揮発性 | 4mbit | 2.8 ns | sram | 128k x 36 | 平行 | - | ||
 | MT40A2G8NEA-062E：J | - | | 4815 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 78-TFBGA | MT40A2G8 | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 78-FBGA （7.5x11） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 557-MT40A2G8NEA-062E：j | 廃止 | 1,260 | 1.6 GHz | 揮発性 | 16gbit | 19 ns | ドラム | 2g x 8 | 平行 | 15ns | |||
| M29W040B90K6 | - | | 4653 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 32-lcc | M29W040 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 32-PLCC（11.35x13.89） | - | ROHS3準拠 | 適用できない | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 32 | 不揮発性 | 4mbit | 90 ns | フラッシュ | 512k x 8 | 平行 | 90ns | |||
| M29F400FB5AM6T2 TR | - | | 5988 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 44-SOIC （0.496 "、12.60mm 幅） | M29F400 | フラッシュ - | 4.5v〜5.5V | 44-SO | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 500 | 不揮発性 | 4mbit | 55 ns | フラッシュ | 512K x 8、256K x 16 | 平行 | 55ns | ||||
 | MT48H4M16LFB4-8 IT：H TR | - | | 9206 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 54-VFBGA | MT48H4M16 | SDRAM- lPSDR | 1.7V〜1.9V | 54-VFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 2（1 年） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 125 MHz | 揮発性 | 64mbit | 6 ns | ドラム | 4m x 16 | 平行 | 15ns | ||
 | mtfc16gakaena-4m it | - | | 5346 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 100-TBGA | MTFC16 | フラッシュ -ナンド | 1.7V〜1.9V | 100-TBGA | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | MMC | - | |||||
| MT29F1G01ABAFD12-AATES：F | - | | 1819年 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 24-tbga | MT29F1G01 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 24-T-PBGA | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 1gbit | フラッシュ | 1g x 1 | spi | - | ||||
| M29W256GL7AZA6E | - | | 8919 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 64-TBGA | M29W256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-TBGA （10x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 136 | 不揮発性 | 256mbit | 70 ns | フラッシュ | 32m x 8、16m x 16 | 平行 | 70ns | ||||
 | MT52L256M32D1PF-107 WT：b | 15.1400 | | 976 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 178-VFBGA | MT52L256 | SDRAM- lpddr3 | 1.2V | 178-FBGA （11.5x11） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,890 | 933 MHz | 揮発性 | 8gbit | ドラム | 256m x 32 | - | - | |||
| MT62F768M64D4ZU-031 RF WT：B TR | 27.9300 | | 5757 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | MT62F768 | - | 557-MT62F768M64D4ZU-031RFWT：BTR | 2,500 | ||||||||||||||||||||
| mtfc256gavattc-ait tr | 82.2150 | | 2803 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | 557-MTFC256GAVATTC-AITTR | 2,000 | |||||||||||||||||||||
| EDFA164A2PF-GD-FR TR | - | | 8711 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | - | - | EDFA164 | SDRAM- lpddr3 | 1.14V〜1.95V | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,000 | 800 MHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 256m x 64 | 平行 | - | ||||
| mtfc64gasaons-aat tr | 41.4750 | | 6526 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | AEC-Q104 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C （TC） | 表面マウント | 153-TFBGA | フラッシュ-nand（slc） | 2.7V〜3.6V | 153-TFBGA （11.5x13 | - | 557-MTFC64GASAONS-AATTR | 2,000 | 52 MHz | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | UFS2.1 | - | ||||||||
| EDFM432A1PF-JD-FD | - | | 6980 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜85°C（TA） | 表面マウント | - | EDFM432 | SDRAM- lpddr3 | 1.14V〜1.95V | 216-FBGA（12x12） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,680 | 933 MHz | 揮発性 | 12gbit | ドラム | 384m x 32 | 平行 | - | ||||
| MT53B256M16D1Z00MWC1S | 10.4800 | | 5744 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 557-MT53B256M16D1Z00MWC1S | 1 | |||||||||||||||||||||
 | MT29F256G08CJABBWP-12IT：B TR | - | | 3849 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT29F256G08 | フラッシュ-nand （mlc） | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 83 MHz | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | 平行 | - | |||
| MT41K512M16HA-107 IT：a | - | | 8491 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 96-TFBGA | MT41K512M16 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-FBGA （9x14） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,020 | 933 MHz | 揮発性 | 8gbit | 20 ns | ドラム | 512m x 16 | 平行 | - | ||
 | M25P10-AVMN3TP/X TR | - | | 3641 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | カットテープ（CT） | 廃止 | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | M25P10 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 8-SO | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 2,500 | 50 MHz | 不揮発性 | 1mbit | フラッシュ | 128k x 8 | spi | 15ms、5ms |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
在庫倉庫
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