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メモリ（10402）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MT48LC16M16A2B4-7E:G TR Micron Technology Inc. MT48LC16M16A2B4-7E：G TR -
RFQ
 ECAD 6643 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-VFBGA MT48LC16M16A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-VFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 16m x 16 平行 14ns
MT25QU128ABB1ESE-0AUT TR Micron Technology Inc. MT25QU128ABB1ESE-0AUT TR 4.2442
RFQ
 ECAD 4077 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） MT25QU128 フラッシュ - 1.7V〜2V 8-SO - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない MT25QU128ABB1ESE-0AUTTR 3A991B1A 8542.32.0071 1,500 166 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi 1.8ms
MT46V16M16CY-5B AIT:M TR Micron Technology Inc. MT46V16M16CY-5B AIT：M TR -
RFQ
 ECAD 2976 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 60-TFBGA MT46V16M16 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 60-FBGA （8x12.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 200 MHz 揮発性 256mbit 700 ps ドラム 16m x 16 平行 15ns
JR28F064M29EWLA Micron Technology Inc. JR28F064M29EWLA -
RFQ
 ECAD 4409 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） JR28F064M29 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 576 不揮発性 64mbit 70 ns フラッシュ 8m x 8、4m x 16 平行 70ns
MT57W1MH18CF-4 Micron Technology Inc. MT57W1MH18CF-4 30.4500
RFQ
 ECAD 587 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-TBGA sram-同期 1.7V〜1.9V 165-FBGA ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1 250 MHz 揮発性 18mbit 450 PS sram 1m x 18 HSTL -
MT35XL512ABA1G12-0AAT TR Micron Technology Inc. MT35XL512ABA1G12-0AAT TR -
RFQ
 ECAD 9876 0.00000000 Micron Technology Inc. Xccela™-MT35X テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C 表面マウント 24-tbga mt35xl512 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-T-PBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 133 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 64m x 8 xccelaバス -
EDB8164B4PT-1DAT-F-D Micron Technology Inc. EDB8164B4PT-1DAT-FD -
RFQ
 ECAD 2611 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 216-WFBGA EDB8164 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.95V 216-FBGA（12x12） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,680 533 MHz 揮発性 8gbit ドラム 128m x 64 平行 -
MT29F32G08CBADAWP:D TR Micron Technology Inc. MT29F32G08CBADAWP：D Tr -
RFQ
 ECAD 9907 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F32G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 32gbit フラッシュ 4g x 8 平行 -
M29F080D70N6E Micron Technology Inc. M29F080D70N6E -
RFQ
 ECAD 3407 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 40-tfsop （0.724 "、18.40mm M29F080 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 40-tsop - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 120 不揮発性 8mbit 70 ns フラッシュ 1m x 8 平行 70ns
MT49H32M18BM-18:B TR Micron Technology Inc. MT49H32M18BM-18：B TR -
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 ECAD 2027 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 144-TFBGA MT49H32M18 ドラム 1.7V〜1.9V 144-µbga（18.5x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 533 MHz 揮発性 576mbit 15 ns ドラム 32m x 18 平行 -
MT29F32G08CBECBL73A3WC1P Micron Technology Inc. MT29F32G08CBECBL73A3WC1P -
RFQ
 ECAD 3610 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 死ぬ MT29F32G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 死ぬ - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1 不揮発性 32gbit フラッシュ 4g x 8 平行 -
MT47H128M8CF-3 IT:H Micron Technology Inc. MT47H128M8CF-3 IT：h -
RFQ
 ECAD 8073 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 60-TFBGA MT47H128M8 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-fbga （8x10） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,000 333 MHz 揮発性 1gbit 450 PS ドラム 128m x 8 平行 15ns
MT53E2G64D8EG-046 WT:C Micron Technology Inc. MT53E2G64D8EG-046 WT：c -
RFQ
 ECAD 5062 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク アクティブ - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MT53E2G64D8EG-046WT：c 1,260
MT29F512G08EEHAFJ4-3RES:A Micron Technology Inc. MT29F512G08EEHAFJ4-3RES：a -
RFQ
 ECAD 3574 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 132-VBGA MT29F512G08 フラッシュ-Nand （TLC） 2.5V〜3.6V 132-VBGA（12x18） - 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 333 MHz 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 平行 -
MT53B256M64D2NK-053 WT:C Micron Technology Inc. MT53B256M64D2NK-053 WT：c -
RFQ
 ECAD 3184 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C （TC） - - MT53B256 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - - 1 （無制限） 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 1,190 1.866 GHz 揮発性 16gbit ドラム 256m x 64 - -
EDB2432BCPE-8D-F-D Micron Technology Inc. EDB2432BCPE-8D-FD -
RFQ
 ECAD 9423 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 168-wfbga EDB2432 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.95V 168-WFBGA（12x12） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0036 1,680 400 MHz 揮発性 2Gbit ドラム 64m x 32 平行 -
MTFC128GAZAOTD-AAT Micron Technology Inc. mtfc128gazaotd-aat 65.5350
RFQ
 ECAD 5494 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ - 557-MTFC128GAZAOTD-AAT 1
MT40A1G8WE-075E IT:B Micron Technology Inc. MT40A1G8WE-075E IT：b -
RFQ
 ECAD 5752 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 78-TFBGA MT40A1G8 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 78-FBGA （8x12） ダウンロード 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,900 1.33 GHz 揮発性 8gbit ドラム 1g x 8 平行 -
MT29F384G08EBCBBB0KB3WC1 Micron Technology Inc. MT29F384G08EBCBBB0KB3WC1 -
RFQ
 ECAD 9406 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 死ぬ MT29F384G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 死ぬ - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1 不揮発性 384gbit フラッシュ 48g x 8 平行 -
MT53E512M32D2FW-046 AAT:D Micron Technology Inc. MT53E512M32D2FW-046AAT：d 19.1100
RFQ
 ECAD 6041 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 箱 前回購入します -40°C〜105°C 表面マウント 200-TFBGA SDRAM-モバイルLPDDR4 - 200-TFBGA （10x14.5） ダウンロード 557-MT53E512M32D2FW-046AAT：d 1 2.133 GHz 揮発性 16gbit ドラム 512m x 32 平行 -
JS28F640P30BF75A Micron Technology Inc. JS28F640P30BF75A -
RFQ
 ECAD 2729 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） JS28F640P30 フラッシュ - 1.7V〜2V 56-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 576 40 MHz 不揮発性 64mbit 75 ns フラッシュ 4m x 16 平行 75ns
MT40A1G8SA-062E:R TR Micron Technology Inc. MT40A1G8SA-062E：R Tr 6.0000
RFQ
 ECAD 6270 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA MT40A1G8 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 78-FBGA （7.5x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MT40A1G8SA-062E：RTR 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 1.6 GHz 揮発性 8gbit 19 ns ドラム 1g x 8 平行 15ns
M29F800DB70M1 Micron Technology Inc. M29F800DB70M1 -
RFQ
 ECAD 7464 0.00000000 Micron Technology Inc. - チューブ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 44-SOIC （0.525 "、13.34mm 幅） M29F800 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 44-SO - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 16 不揮発性 8mbit 70 ns フラッシュ 1M x 8、512K x 16 平行 70ns
MT29C1G12MAACAFAMD-6 IT Micron Technology Inc. MT29C1G12MAACAFAMD-6 IT -
RFQ
 ECAD 3721 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 130-VFBGA MT29C1G12 フラッシュ-nand 、モバイルlpdram 1.7V〜1.95V 130-VFBGA （8x9） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 166 MHz 不揮発性、揮発性 1gbit（nand フラッシュ、ラム 128m x 8 平行 -
M25PX16STVZM6TP TR Micron Technology Inc. M25PX16STVZM6TP TR -
RFQ
 ECAD 8644 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga M25PX16 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 24-tbga （6x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0071 2,500 75 MHz 不揮発性 16mbit フラッシュ 2m x 8 spi 15ms、5ms
MT29E1T08CMHBBJ4-3:B Micron Technology Inc. MT29E1T08CMHBBJ4-3：b -
RFQ
 ECAD 5512 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 132-VBGA MT29E1T08 フラッシュ -ナンド 2.5V〜3.6V 132-VBGA（12x18） - 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 333 MHz 不揮発性 1tbit フラッシュ 128g x 8 平行 -
MT46V32M8P-6T IT:G TR Micron Technology Inc. MT46V32M8P-6T IT：G TR -
RFQ
 ECAD 9051 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT46V32M8 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 揮発性 256mbit 700 ps ドラム 32m x 8 平行 15ns
N25Q032A13EF440E Micron Technology Inc. N25Q032A13EF440E -
RFQ
 ECAD 1691 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-udfn N25Q032A13 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-PDFN（3x3） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 490 108 MHz 不揮発性 32mbit フラッシュ 8m x 4 spi 8ms、5ms
MT66R7072A10AB5ZZW.ZCA TR Micron Technology Inc. MT66R7072A10AB5ZW.ZCA TR -
RFQ
 ECAD 6871 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -25°C〜85°C（タタ 表面マウント 121-WFBGA MT66R7072 PCM -LPDDR2、MCP -LPDDR2 1.14V〜1.95V 121-VFBGA （11x10） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0024 1,000 166 MHz 不揮発性 1GBIT （PCM ラム 128m x 8（PCM 平行 -
MT41K256M16HA-125 M AIT:E Micron Technology Inc. MT41K256M16HA-125 M AIT：e -
RFQ
 ECAD 4803 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA MT41K256M16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA （9x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 800 MHz 揮発性 4gbit 13.75 ns ドラム 256m x 16 平行 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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