SIC
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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MT53B2DARN-DC Micron Technology Inc. mt53b2darn-dc -
RFQ
ECAD 3925 0.00000000 Micron Technology Inc. - sicで中止されました - 影響を受けていない 0000.00.0000 1,008
MT29F1G16ABBFAH4-AAT:F Micron Technology Inc. MT29F1G16ABBFAH4-AAT:F 2.9984
RFQ
ECAD 3809 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ アクティブ -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 63-VFBGA MT29F1G16 フラッシュ-nand(slc) 1.7V〜1.95V 63-VFBGA (9x11) - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 557-MT29F1G16ABBFAH4-AAT:f 8542.32.0071 210 不揮発性 1gbit フラッシュ 64m x 16 平行 -
MT53E1G64D4SQ-046 AAT:A Micron Technology Inc. MT53E1G64D4SQ-046AAT:a -
RFQ
ECAD 7094 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ 廃止 -40°C〜105°C (TC) MT53E1G64 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - ROHS3準拠 3 (168 時間) MT53E1G64D4SQ-046AAT:a 廃止 0000.00.0000 1,360 2.133 GHz 揮発性 64gbit ドラム 1g x 64 - -
MT44K16M36RB-107E:A Micron Technology Inc. MT44K16M36RB-107E:a -
RFQ
ECAD 4289 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜95°C (TC 表面マウント 168-TBGA MT44K16M36 ドラム 1.28V〜1.42V 168-BGA(13.5x13.5) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,190 933 MHz 揮発性 576mbit 8 ns ドラム 16m x 36 平行 -
MT40A512M8RH-075E IT:B TR Micron Technology Inc. MT40A512M8RH-075E IT:B TR -
RFQ
ECAD 3452 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 78-TFBGA MT40A512M8 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 78-FBGA (9x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 1.33 GHz 揮発性 4gbit ドラム 512m x 8 平行 -
MT29F16G08CBECBL72A3WC1P Micron Technology Inc. MT29F16G08CBECBL72A3WC1P -
RFQ
ECAD 7681 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 死ぬ MT29F16G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 死ぬ - ROHS3準拠 3 (168 時間) 3A991B1A 8542.32.0071 1 不揮発性 16gbit フラッシュ 2g x 8 平行 -
MT29F32G08CBACAL73A3WC1P Micron Technology Inc. MT29F32G08CBACAL73A3WC1P -
RFQ
ECAD 9935 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 死ぬ MT29F32G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 死ぬ - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 683 不揮発性 32gbit フラッシュ 4g x 8 平行 -
MT53E1DBDS-DC TR Micron Technology Inc. mt53e1dbds-dc tr 22.5000
RFQ
ECAD 9059 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) アクティブ mt53e1 - 影響を受けていない 557-MT53E1DBDS-DCTR 2,000
MT29F256G08EFCDBWP-10M:D TR Micron Technology Inc. MT29F256G08EFCDBWP-10M:D TR -
RFQ
ECAD 2113 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) MT29F256G08 フラッシュ-Nand (TLC) 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100 MHz 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 平行 -
PC28F256M29EWLB TR Micron Technology Inc. PC28F256M29EWLB TR -
RFQ
ECAD 5209 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 64-lbga PC28F256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-FBGA (11x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 不揮発性 256mbit 100 ns フラッシュ 32m x 8、16m x 16 平行 100ns
MT29F32G08FAAWP-ET:A TR Micron Technology Inc. MT29F32G08FAAWP-ET:TR -
RFQ
ECAD 8025 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) sicで中止されました -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) MT29F32G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0051 1,000 不揮発性 32gbit フラッシュ 4g x 8 平行 -
M29W160FT70N3F TR Micron Technology Inc. M29W160FT70N3F TR -
RFQ
ECAD 5260 0.00000000 Micron Technology Inc. - カットテープ(CT) 廃止 -40°C〜125°C(タタ 表面マウント 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) M29W160 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1,500 不揮発性 16mbit 70 ns フラッシュ 2m x 8、1m x 16 平行 70ns
MT47H128M16RT-25E:C Micron Technology Inc. MT47H128M16RT-25E:c 14.6300
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ 0°C〜85°C (TC) 表面マウント 84-TFBGA MT47H128M16 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-FBGA (9x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,260 400 MHz 揮発性 2Gbit 400 PS ドラム 128m x 16 平行 15ns
N25Q032A13EF840E Micron Technology Inc. N25Q032A13EF840E -
RFQ
ECAD 6423 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-vdfn露出パッド N25Q032A13 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-VDFPN ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 3A991B1A 8542.32.0071 320 108 MHz 不揮発性 32mbit フラッシュ 8m x 4 spi 8ms、5ms
M29W640GT60ZA6E Micron Technology Inc. M29W640GT60ZA6E -
RFQ
ECAD 5784 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 48-TFBGA M29W640 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 3A991B1A 8542.32.0071 187 不揮発性 64mbit 60 ns フラッシュ 8m x 8、4m x 16 平行 60ns
MT29F2G01ABBGD12-AUT:G TR Micron Technology Inc. MT29F2G01ABBGD12-AUT:G TR 3.1665
RFQ
ECAD 6983 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) アクティブ - 557-MT29F2G01ABBGD12-AUT:GTR 2,500
MT53D256M16D1NY-046 XT ES:B Micron Technology Inc. MT53D256M16D1NY-046 XT ES:b -
RFQ
ECAD 9521 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -30°C〜105°C(TC) MT53D256 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - 1 (無制限) 廃止 0000.00.0000 1,190 2.133 GHz 揮発性 16gbit ドラム 256m x 64 - -
MT29C2G24MAAAAKAKD-5 IT TR Micron Technology Inc. MT29C2G24MAAAAKAKD-5 IT TR -
RFQ
ECAD 3504 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 137-TFBGA MT29C2G24 フラッシュ-nand 、モバイルlpdram 1.7V〜1.95V 137-TFBGA(10.5x13) - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200 MHz 不揮発性、揮発性 2GBIT (NAND)、1GBIT (LPDRAM) フラッシュ、ラム 256m x 8 平行 -
MTFC64GAPALNA-AAT ES Micron Technology Inc. mtfc64gapalna-aat es -
RFQ
ECAD 2147 0.00000000 Micron Technology Inc. - 廃止 mtfc64 - 1 (無制限) 廃止 0000.00.0000 980
MT29F8T08EULCHD5-QA:C TR Micron Technology Inc. MT29F8T08EULCHD5-QA:C Tr 167.8050
RFQ
ECAD 5398 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) アクティブ - 557-MT29F8T08EULCHD5-QA:CTR 2,000
MTFC8GAMALNA-AIT ES Micron Technology Inc. mtfc8gamalna-ait es -
RFQ
ECAD 4783 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 100-TBGA mtfc8 フラッシュ -ナンド - 100-TBGA - 1 (無制限) 3A991B1A 8542.32.0071 980 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 MMC -
JS28F128J3F75D TR Micron Technology Inc. JS28F128J3F75D TR -
RFQ
ECAD 7424 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash™ テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 56-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) JS28F128J3 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 3A991B1A 8542.32.0071 1,600 不揮発性 128mbit 75 ns フラッシュ 16m x 8、8m x 16 平行 75ns
MTFC256GAZAOTD-AIT Micron Technology Inc. mtfc256gazaotd-ait 90.5250
RFQ
ECAD 6889 0.00000000 Micron Technology Inc. - アクティブ - 557-MTFC256GAZAOTD-AIT 1
MT44K32M18RB-107E:B TR Micron Technology Inc. MT44K32M18RB-107E:B TR 46.0350
RFQ
ECAD 4068 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) アクティブ 0°C〜95°C (TC 表面マウント 168-TBGA MT44K32M18 ドラム 1.28V〜1.42V 168-BGA(13.5x13.5) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,000 933 MHz 揮発性 576mbit 8 ns ドラム 32m x 18 平行 -
MT53E1G64D4SQ-046 AAT:A TR Micron Technology Inc. MT53E1G64D4SQ-046AAT:A TR -
RFQ
ECAD 7665 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜105°C (TC) MT53E1G64 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - ROHS3準拠 3 (168 時間) MT53E1G64D4SQ-046AAT:ATR 廃止 0000.00.0000 2,000 2.133 GHz 揮発性 64gbit ドラム 1g x 64 - -
MT47H16M16BG-37V:B Micron Technology Inc. MT47H16M16BG-37V:b -
RFQ
ECAD 7725 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ sicで中止されました 0°C〜85°C (TC) 表面マウント 84-FBGA MT47H16M16 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-FBGA (8x14) - ROHS3準拠 5 (48 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 267 MHz 揮発性 256mbit 500 PS ドラム 16m x 16 平行 15ns
MT29F256G08CJAAAWP-IT:A Micron Technology Inc. MT29F256G08CJAAAWP-IT:a -
RFQ
ECAD 8567 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) MT29F256G08 フラッシュ-nand (mlc) 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 (168 時間) 3A991B1A 8542.32.0071 1 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 平行 -
MT48LC16M16A2TG-6A:D Micron Technology Inc. MT48LC16M16A2TG-6A:d -
RFQ
ECAD 6947 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) MT48LC16M16A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS非準拠 2(1 年) 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 16m x 16 平行 12ns
N25Q128A11E1241E Micron Technology Inc. N25Q128A11E1241E -
RFQ
ECAD 8734 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 24-tbga N25Q128A11 フラッシュ - 1.7V〜2V 24-T-PBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 187 108 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 32m x 4 spi 8ms、5ms
MT46H16M16LFBF-75:A Micron Technology Inc. MT46H16M16LFBF-75:a -
RFQ
ECAD 7292 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ sicで中止されました 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 60-VFBGA MT46H16M16 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 60-VFBGA (8x9) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 揮発性 256mbit 6 ns ドラム 16m x 16 平行 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫