画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | mt53b2darn-dc | - | ![]() | 3925 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | sicで中止されました | - | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 1,008 | ||||||||||||||||||||
![]() | MT29F1G16ABBFAH4-AAT:F | 2.9984 | ![]() | 3809 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F1G16 | フラッシュ-nand(slc) | 1.7V〜1.95V | 63-VFBGA (9x11) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 557-MT29F1G16ABBFAH4-AAT:f | 8542.32.0071 | 210 | 不揮発性 | 1gbit | フラッシュ | 64m x 16 | 平行 | - | ||||
![]() | MT53E1G64D4SQ-046AAT:a | - | ![]() | 7094 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | 廃止 | -40°C〜105°C (TC) | MT53E1G64 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | MT53E1G64D4SQ-046AAT:a | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,360 | 2.133 GHz | 揮発性 | 64gbit | ドラム | 1g x 64 | - | - | ||||||
![]() | MT44K16M36RB-107E:a | - | ![]() | 4289 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 168-TBGA | MT44K16M36 | ドラム | 1.28V〜1.42V | 168-BGA(13.5x13.5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,190 | 933 MHz | 揮発性 | 576mbit | 8 ns | ドラム | 16m x 36 | 平行 | - | ||
![]() | MT40A512M8RH-075E IT:B TR | - | ![]() | 3452 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 78-TFBGA | MT40A512M8 | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 78-FBGA (9x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.33 GHz | 揮発性 | 4gbit | ドラム | 512m x 8 | 平行 | - | |||
![]() | MT29F16G08CBECBL72A3WC1P | - | ![]() | 7681 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 死ぬ | MT29F16G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 死ぬ | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 16gbit | フラッシュ | 2g x 8 | 平行 | - | |||||
![]() | MT29F32G08CBACAL73A3WC1P | - | ![]() | 9935 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 死ぬ | MT29F32G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 死ぬ | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 683 | 不揮発性 | 32gbit | フラッシュ | 4g x 8 | 平行 | - | ||||
![]() | mt53e1dbds-dc tr | 22.5000 | ![]() | 9059 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | mt53e1 | - | 影響を受けていない | 557-MT53E1DBDS-DCTR | 2,000 | |||||||||||||||||||
MT29F256G08EFCDBWP-10M:D TR | - | ![]() | 2113 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | MT29F256G08 | フラッシュ-Nand (TLC) | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 100 MHz | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | 平行 | - | ||||
![]() | PC28F256M29EWLB TR | - | ![]() | 5209 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-lbga | PC28F256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA (11x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 不揮発性 | 256mbit | 100 ns | フラッシュ | 32m x 8、16m x 16 | 平行 | 100ns | ||||
MT29F32G08FAAWP-ET:TR | - | ![]() | 8025 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | MT29F32G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0051 | 1,000 | 不揮発性 | 32gbit | フラッシュ | 4g x 8 | 平行 | - | |||||
![]() | M29W160FT70N3F TR | - | ![]() | 5260 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | カットテープ(CT) | 廃止 | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | M29W160 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 48-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 1,500 | 不揮発性 | 16mbit | 70 ns | フラッシュ | 2m x 8、1m x 16 | 平行 | 70ns | |||
MT47H128M16RT-25E:c | 14.6300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜85°C (TC) | 表面マウント | 84-TFBGA | MT47H128M16 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-FBGA (9x12.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,260 | 400 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 400 PS | ドラム | 128m x 16 | 平行 | 15ns | |||
![]() | N25Q032A13EF840E | - | ![]() | 6423 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-vdfn露出パッド | N25Q032A13 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-VDFPN | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 320 | 108 MHz | 不揮発性 | 32mbit | フラッシュ | 8m x 4 | spi | 8ms、5ms | ||||
![]() | M29W640GT60ZA6E | - | ![]() | 5784 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFBGA | M29W640 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 48-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 187 | 不揮発性 | 64mbit | 60 ns | フラッシュ | 8m x 8、4m x 16 | 平行 | 60ns | ||||
![]() | MT29F2G01ABBGD12-AUT:G TR | 3.1665 | ![]() | 6983 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | 557-MT29F2G01ABBGD12-AUT:GTR | 2,500 | |||||||||||||||||||||
![]() | MT53D256M16D1NY-046 XT ES:b | - | ![]() | 9521 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -30°C〜105°C(TC) | MT53D256 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | 1 (無制限) | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,190 | 2.133 GHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 256m x 64 | - | - | ||||||||
![]() | MT29C2G24MAAAAKAKD-5 IT TR | - | ![]() | 3504 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 137-TFBGA | MT29C2G24 | フラッシュ-nand 、モバイルlpdram | 1.7V〜1.95V | 137-TFBGA(10.5x13) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 200 MHz | 不揮発性、揮発性 | 2GBIT (NAND)、1GBIT (LPDRAM) | フラッシュ、ラム | 256m x 8 | 平行 | - | |||
![]() | mtfc64gapalna-aat es | - | ![]() | 2147 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | 廃止 | mtfc64 | - | 1 (無制限) | 廃止 | 0000.00.0000 | 980 | ||||||||||||||||||
![]() | MT29F8T08EULCHD5-QA:C Tr | 167.8050 | ![]() | 5398 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | 557-MT29F8T08EULCHD5-QA:CTR | 2,000 | |||||||||||||||||||||
![]() | mtfc8gamalna-ait es | - | ![]() | 4783 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-TBGA | mtfc8 | フラッシュ -ナンド | - | 100-TBGA | - | 1 (無制限) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 不揮発性 | 64gbit | フラッシュ | 8g x 8 | MMC | - | ||||||
![]() | JS28F128J3F75D TR | - | ![]() | 7424 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash™ | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 56-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | JS28F128J3 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 56-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,600 | 不揮発性 | 128mbit | 75 ns | フラッシュ | 16m x 8、8m x 16 | 平行 | 75ns | ||||
![]() | mtfc256gazaotd-ait | 90.5250 | ![]() | 6889 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 557-MTFC256GAZAOTD-AIT | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | MT44K32M18RB-107E:B TR | 46.0350 | ![]() | 4068 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 168-TBGA | MT44K32M18 | ドラム | 1.28V〜1.42V | 168-BGA(13.5x13.5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 933 MHz | 揮発性 | 576mbit | 8 ns | ドラム | 32m x 18 | 平行 | - | ||
![]() | MT53E1G64D4SQ-046AAT:A TR | - | ![]() | 7665 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜105°C (TC) | MT53E1G64 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | MT53E1G64D4SQ-046AAT:ATR | 廃止 | 0000.00.0000 | 2,000 | 2.133 GHz | 揮発性 | 64gbit | ドラム | 1g x 64 | - | - | ||||||
![]() | MT47H16M16BG-37V:b | - | ![]() | 7725 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | sicで中止されました | 0°C〜85°C (TC) | 表面マウント | 84-FBGA | MT47H16M16 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-FBGA (8x14) | - | ROHS3準拠 | 5 (48 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 267 MHz | 揮発性 | 256mbit | 500 PS | ドラム | 16m x 16 | 平行 | 15ns | ||
MT29F256G08CJAAAWP-IT:a | - | ![]() | 8567 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | MT29F256G08 | フラッシュ-nand (mlc) | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | 平行 | - | ||||||
![]() | MT48LC16M16A2TG-6A:d | - | ![]() | 6947 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | MT48LC16M16A2 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS非準拠 | 2(1 年) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 167 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.4 ns | ドラム | 16m x 16 | 平行 | 12ns | ||
![]() | N25Q128A11E1241E | - | ![]() | 8734 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | N25Q128A11 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 24-T-PBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 187 | 108 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 32m x 4 | spi | 8ms、5ms | |||
MT46H16M16LFBF-75:a | - | ![]() | 7292 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | sicで中止されました | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 60-VFBGA | MT46H16M16 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 60-VFBGA (8x9) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | 揮発性 | 256mbit | 6 ns | ドラム | 16m x 16 | 平行 | 15ns |
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