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メモリ（10402）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT48LC32M8A2P-75 L：d | - |  | 8448 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | MT48LC32M8A2 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 2（1 年） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.4 ns | ドラム | 32m x 8 | 平行 | 15ns | ||
 | MT48LC2M32B2P-7 IT：g | - | | 9512 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 86-TFSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | MT48LC2M32B2 | SDRAM | 3V〜3.6V | 86-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 143 MHz | 揮発性 | 64mbit | 5.5 ns | ドラム | 2m x 32 | 平行 | 14ns | ||
 | MT58L512L18PS-6 | - | | 9880 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst™ | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 100-lqfp | MT58L512L18 | sram-同期 | 3.135V〜3.6V | 100-TQFP（14x20.1 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 未定義のベンダー | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 166 MHz | 揮発性 | 8mbit | 3.5 ns | sram | 512K x 18 | 平行 | - | ||
 | MT29F2G08ABBEAHC：e | - | | 1730 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F2G08 | フラッシュ -ナンド | 1.7V〜1.95V | 63-VFBGA（10.5x13） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,140 | 不揮発性 | 2Gbit | フラッシュ | 256m x 8 | 平行 | - | ||||
 | MT28F128J3FS-12 et tr | - | | 5131 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 64-FBGA | MT28F128J3 | フラッシュ | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA （10x13） | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 128mbit | 120 ns | フラッシュ | 16m x 8、8m x 16 | 平行 | - | |||
 | MT29E2T08CTCBBJ7-6：B TR | - | | 2726 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 152-lbga | MT29E2T08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 152-lbga | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,000 | 167 MHz | 不揮発性 | 2tbit | フラッシュ | 256g x 8 | 平行 | - | ||||
 | MT53B256M32D1GZ-062 WT ES：b | - | | 2097 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 200-WFBGA | MT53B256 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA （11x14.5 | - | 1 （無制限） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,360 | 1.6 GHz | 揮発性 | 8gbit | ドラム | 256m x 32 | - | - | |||||
| MT29F1G08ABBEAM68M3WC1L | 2.8800 | | 8851 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 死ぬ | MT29F1G08 | フラッシュ-nand（slc） | 1.7V〜1.95V | 死ぬ | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 557-MT29F1G08ABBEAM68M3WC1L | 1 | 不揮発性 | 1gbit | フラッシュ | 128m x 8 | - | - | |||||
| MT53E1536M32D4DE-046 WT：B TR | 36.0000 | | 4674 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -25°C〜85°C（TC） | 表面マウント | 200-TFBGA | SDRAM -MOBILE LPDDR4X | 1.06V〜1.17V | 200-TFBGA （10x14.5） | - | 557-MT53E1536M32D4DE-046WT：BTR | 2,000 | 2.133 GHz | 揮発性 | 48gbit | 3.5 ns | ドラム | 1.5GX 32 | 平行 | 18ns | |||||||
 | MT47H64M16HR-3 AAT：H TR | - | | 8765 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜105°C （TC） | 表面マウント | 84-TFBGA | MT47H64M16 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-FBGA （8x12.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 333 MHz | 揮発性 | 1gbit | 450 PS | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns | ||
 | MT29F64G08AECABJ1-10Z：a | - | | 8239 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 132-VBGA | MT29F64G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 132-VBGA（12x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 100 MHz | 不揮発性 | 64gbit | フラッシュ | 8g x 8 | 平行 | - | ||||
 | mt47h512m4thn-3：e tr | - | | 6676 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 63-TFBGA | MT47H512M4 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 63-fbga （8x10） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0036 | 2,000 | 333 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 450 PS | ドラム | 512m x 4 | 平行 | 15ns | ||
 | M29DW323DT70N6F TR | - | | 6401 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | M29DW323 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 48-tsop | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,500 | 不揮発性 | 32mbit | 70 ns | フラッシュ | 4m x 8、2m x 16 | 平行 | 70ns | |||
| MT28F400B5WP-8 B TR | - | | 1798 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT28F400B5 | フラッシュ - | 4.5v〜5.5V | 48-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 2（1 年） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 4mbit | 80 ns | フラッシュ | 512K x 8、256K x 16 | 平行 | 80ns | |||
| MT29RZ4C4DZZMGMF-18W.8C TR | - | | 8774 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | mt29rz4 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 1,000 | |||||||||||||||||
| MT41K1G16DGA-125：TR | - | | 3590 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 96-TFBGA | MT41K1G16 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-FBGA （9.5x14） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 800 MHz | 揮発性 | 16gbit | 13.75 ns | ドラム | 1g x 16 | 平行 | - | |||
| M58LR256KT70ZQ5F TR | - | | 4093 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -30°C〜85°C（TA） | 表面マウント | 88-TFBGA | M58LR256 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 88-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 66 MHz | 不揮発性 | 256mbit | 70 ns | フラッシュ | 16m x 16 | 平行 | 70ns | ||
| MT55L256V32PT-7.5 | 8.9300 | | 345 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | ZBT® | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 100-lqfp | MT55L256V | sram- zbt | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP（14x20.1 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 未定義のベンダー | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | 揮発性 | 8mbit | 4.2 ns | sram | 256k x 32 | 平行 | - | ||
 | MT40A4G4DVN-075H：e | - | | 8926 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 78-TFBGA | MT40A4G4 | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 78-FBGA （7.5x11） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 557-MT40A4G4DVN-075H：e | 廃止 | 210 | 1.33 GHz | 揮発性 | 16gbit | 27 ns | ドラム | 4g x 4 | 平行 | - | |||
| MT29F4G08AACWC-ET：C Tr | - | | 5868 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT29F4G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 4gbit | フラッシュ | 512m x 8 | 平行 | - | ||||
| MT53D768M64D4SQ-053 WT ES：A TR | - | | 8332 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | MT53D768 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | 1 （無制限） | 廃止 | 0000.00.0000 | 2,000 | 1.866 GHz | 揮発性 | 48gbit | ドラム | 768m x 64 | - | - | ||||||||
 | mt29f4g01abafdwb-it：f tr | - | | 1109 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-udfn | MT29F4G01 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 8-updfn | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 不揮発性 | 4gbit | フラッシュ | 4g x 1 | spi | - | ||||
| M29F200FB55M3F2 TR | - | | 6396 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 44-SOIC （0.496 "、12.60mm 幅） | M29F200 | フラッシュ - | 4.5v〜5.5V | 44-SO | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 500 | 不揮発性 | 2mbit | 55 ns | フラッシュ | 256K x 8、128K x 16 | 平行 | 55ns | |||
| MT46H256M32L4JV-5それ：a | - | | 5199 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 168-VFBGA | MT46H256M32 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 168-VFBGA（12x12） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 200 MHz | 揮発性 | 8gbit | 5 ns | ドラム | 256m x 32 | 平行 | 15ns | ||
 | MT46V64M8CV-5B：J TR | - | | 3014 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 60-VFBGA | mt46v64m8 | SDRAM -DDR | 2.5V〜2.7V | 60-FBGA （8x12.5） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 200 MHz | 揮発性 | 512mbit | 700 ps | ドラム | 64m x 8 | 平行 | 15ns | |||
| M29W800DT70N1 | - | | 7726 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | M29W800 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 96 | 不揮発性 | 8mbit | 70 ns | フラッシュ | 1M x 8、512K x 16 | 平行 | 70ns | |||
 | mtfc64gajaedn-it tr | - | | 4000 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 169-lfbga | mtfc64 | フラッシュ -ナンド | - | 169-lfbga | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | MMC | - | ||||
 | MT29F256G08CMAAAC5：a | - | | 1251 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 52-VLGA | MT29F256G08 | フラッシュ-nand （mlc） | 2.7V〜3.6V | 52-VLGA（18x14） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 200 MHz | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | 平行 | - | ||||
 | MT29F2G08ABAEAWP-AT：E TR | - | | 5203 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT29F2G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 2Gbit | フラッシュ | 256m x 8 | 平行 | - | ||||
| EMBA232B2PB-DV-FD | - | | 9872 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,680 |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
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