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メモリ（10402）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MT40A1G8WE-083E AUT:B Micron Technology Inc. mt40a1g8we-083e aut：b -
RFQ
 ECAD 3739 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ 廃止 -40°C〜125°C 表面マウント 78-TFBGA MT40A1G8 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 78-FBGA （8x12） ダウンロード 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,900 1.2 GHz 揮発性 8gbit ドラム 1g x 8 平行 -
MT40A256M16GE-062E IT:B Micron Technology Inc. MT40A256M16GE-062E IT：b -
RFQ
 ECAD 4753 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA MT40A256M16 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 96-FBGA （9x14） - 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,020 1.6 GHz 揮発性 4gbit ドラム 256m x 16 平行 -
MT40A2G8NEA-062E:J TR Micron Technology Inc. MT40A2G8NEA-062E：J TR -
RFQ
 ECAD 1208 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA MT40A2G8 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 78-FBGA （7.5x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 557-MT40A2G8NEA-062E：JTR 廃止 2,000 1.6 GHz 揮発性 16gbit 19 ns ドラム 2g x 8 平行 15ns
MT62F4G32D8DV-023 IT:B TR Micron Technology Inc. MT62F4G32D8DV-023 IT：B TR 99.5250
RFQ
 ECAD 6240 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C - - SDRAM- lpddr5 - - - 557-MT62F4G32D8DV-023IT：BTR 2,000 4.266 GHz 揮発性 128GBIT ドラム 4g x 32 平行 -
MT48LC32M8A2BB-75:D Micron Technology Inc. MT48LC32M8A2BB-75：d -
RFQ
 ECAD 5802 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 60-FBGA MT48LC32M8A2 SDRAM 3V〜3.6V 60-FBGA （8x16） ダウンロード ROHS3準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 32m x 8 平行 15ns
MT53B4DABNK-DC Micron Technology Inc. mt53b4dabnk-dc -
RFQ
 ECAD 2600 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 表面マウント 366-WFBGA mt53b4 SDRAM-モバイルLPDDR4 366-WFBGA （15x15） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 1,190 揮発性 ドラム
MT48LC32M4A2P-7E:G Micron Technology Inc. MT48LC32M4A2P-7E：g -
RFQ
 ECAD 4856 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 sicで中止されました 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC32M4A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 32m x 4 平行 14ns
TE28F256P33TFA Micron Technology Inc. TE28F256P33TFA -
RFQ
 ECAD 1406 0.00000000 Micron Technology Inc. axcell™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） 28F256p33 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0051 576 40 MHz 不揮発性 256mbit 105 ns フラッシュ 16m x 16 平行 105ns
MT29F8G08ADAFAWP-AIT:F Micron Technology Inc. MT29F8G0808ADAFAWP-AIT：f 11.6600
RFQ
 ECAD 999 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F8G08 フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1 不揮発性 8gbit フラッシュ 1g x 8 平行 -
MT40A512M8SA-075:F Micron Technology Inc. MT40A512M8SA-075：F 8.3250
RFQ
 ECAD 5562 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 78-FBGA （7.5x11） ダウンロード 557-MT40A512M8SA-075：F 1 1.333 GHz 揮発性 4gbit 19 ns ドラム 512m x 8 ポッド 15ns
MT29RZ4B2DZZHHPS-18I.84F TR Micron Technology Inc. MT29RZ4B2DZZHHPS-18I.84F TR -
RFQ
 ECAD 6113 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ mt29rz4 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 0000.00.0000 1,000
MT28F400B5SG-8 T TR Micron Technology Inc. mt28f400b5sg-8 t tr -
RFQ
 ECAD 3459 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 44-SOIC （0.496 "、12.60mm 幅） MT28F400B5 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 44-SO ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 500 不揮発性 4mbit 80 ns フラッシュ 512K x 8、256K x 16 平行 80ns
MT29VZZZBDAFQKWL-046 W.G0J TR Micron Technology Inc. mt29vzzzbdafqkwl-046 w.g0j tr 83.2350
RFQ
 ECAD 3193 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -25°C〜85°C 表面マウント 254-BGA フラッシュnand、dram -lpddr4x - 254-MCP - 557-MT29VZZZBDAFQKWL-046W.G0JTR 2,000 2.133 GHz 不揮発性、揮発性 2tbit （nand ）、48gbit （lpddr4x） フラッシュ、ラム 256g x 8 UFS2.1 -
MT29C4G96MAYAPCMJ-5 IT Micron Technology Inc. MT29C4G96MAYAPCMJ-5 IT -
RFQ
 ECAD 6255 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 廃止 -40°C〜85°C（タタ - - MT29C4G96 フラッシュ-nand 、モバイルlpdram 1.7V〜1.95V - ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200 MHz 不揮発性、揮発性 4gbit（nand フラッシュ、ラム 512M x 8 平行 -
MT29F64G08AECABH1-10ITZ:A TR Micron Technology Inc. MT29F64G08AECABH1-10ITZ：TR 73.5900
RFQ
 ECAD 6310 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-VBGA MT29F64G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 100-VBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100 MHz 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 平行 -
MTFC32GAKAEJP-5M AIT TR Micron Technology Inc. mtfc32gakaejp-5m ait tr -
RFQ
 ECAD 5747 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 153-VFBGA mtfc32g フラッシュ -ナンド - 153-VFBGA （11.5x13 - 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 MMC -
MT29F2G08ABAGAWP-ITE:G Micron Technology Inc. MT29F2G088888ABAGAWP-IT：g 2.8500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F2G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 960 不揮発性 2Gbit フラッシュ 256m x 8 平行 -
MT42L64M32D1TK-18 IT:C Micron Technology Inc. MT42L64M32D1TK-18それ：c -
RFQ
 ECAD 3494 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -25°C〜85°C（TC） 表面マウント 134-wfbga MT42L64M32 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.3V 134-FBGA （10x11.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0036 1,260 533 MHz 揮発性 2Gbit ドラム 64m x 32 平行 -
MT55L64L36P1T-10 Micron Technology Inc. MT55L64L36P1T-10 5.5100
RFQ
 ECAD 281 0.00000000 Micron Technology Inc. ZBT® バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp SRAM -ZBT 3.135V〜3.465V 100-TQFP（14x20.1 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A991B2A 8542.32.0041 1 100 MHz 揮発性 2mbit 5 ns sram 64k x 36 平行 -
MT46V32M16BN-6 IT:F TR Micron Technology Inc. mt46v32m16bn-6 it：f tr -
RFQ
 ECAD 6533 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 60-TFBGA MT46V32M16 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 60-FBGA （10x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 32m x 16 平行 15ns
PC28F128P30T85A Micron Technology Inc. PC28F128P30T85A -
RFQ
 ECAD 3569 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-TBGA PC28F128 フラッシュ - 1.7V〜2V 64-easybga （10x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 864 52 MHz 不揮発性 128mbit 85 ns フラッシュ 8m x 16 平行 85ns
MT40A512M16TB-062E:R Micron Technology Inc. MT40A512M16TB-062E：R 6.2003
RFQ
 ECAD 8632 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-TFBGA MT40A512M16 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 96-FBGA （7.5x13 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MT40A512M16TB-062E：R 3A991B1A 8542.32.0071 1,020 1.6 GHz 揮発性 8gbit 19 ns ドラム 512m x 16 平行 15ns
MT29F8G08ABACAH4-S:C TR Micron Technology Inc. MT29F8G080808ABACAH4-S：C TR -
RFQ
 ECAD 2800 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 63-VFBGA MT29F8G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 8gbit フラッシュ 1g x 8 平行 -
MT53B1G32D4NQ-062 WT ES:D TR Micron Technology Inc. MT53B1G32D4NQ-062 WT ES：D TR -
RFQ
 ECAD 7602 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C （TC） MT53B1G32 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - 1 （無制限） 廃止 0000.00.0000 2,000 1.6 GHz 揮発性 32gbit ドラム 1g x 32 - -
MTFC128GAJAECE-IT TR Micron Technology Inc. mtfc128gajaece-it tr -
RFQ
 ECAD 8429 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 169-lfbga MTFC128 フラッシュ -ナンド - 169-lfbga - 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 1tbit フラッシュ 128g x 8 MMC -
MT49H32M18BM-33:B TR Micron Technology Inc. MT49H32M18BM-33：B TR -
RFQ
 ECAD 2345 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 144-TFBGA MT49H32M18 ドラム 1.7V〜1.9V 144-µbga（18.5x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 300 MHz 揮発性 576mbit 20 ns ドラム 32m x 18 平行 -
MT46H16M32LFCM-6:B TR Micron Technology Inc. MT46H16M32LFCM-6：B TR -
RFQ
 ECAD 2315 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 90-VFBGA MT46H16M32 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 90-VFBGA （10x13 ダウンロード ROHS3準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 166 MHz 揮発性 512mbit 5 ns ドラム 16m x 32 平行 15ns
MT40A1G16RC-062E:B Micron Technology Inc. MT40A1G16RC-062E：b -
RFQ
 ECAD 8406 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-TFBGA MT40A1G16 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 96-FBGA （10x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0036 1,360 1.6 GHz 揮発性 16gbit 19 ns ドラム 1g x 16 平行 15ns
N25Q064A13EF640FN02 TR Micron Technology Inc. N25Q064A13EF640FN02 TR -
RFQ
 ECAD 6782 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-vdfn露出パッド N25Q064A13 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-VDFPN - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 4,000 108 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 16m x 4 spi 8ms、5ms
MT53D384M16D1NP-046 XT ES:D TR Micron Technology Inc. MT53D384M16D1NP-046 XT ES：D TR -
RFQ
 ECAD 4393 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -30°C〜105°C（TC） MT53D384 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - 3 （168 時間） 影響を受けていない 0000.00.0000 2,000 2.133 GHz 揮発性 6gbit ドラム 384m x 16 - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

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    世界的なメーカー

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    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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