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メモリ（10402）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT52L256M64D2QB-125 XT ES：b | - |  | 9984 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | - | - | - | MT52L256 | SDRAM- lpddr3 | 1.2V | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,190 | 800 MHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 256m x 64 | - | - | |||
| ECF840AAACN-C1-Y3 | - | | 2530 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | ECF840A | SDRAM- lpddr3 | 1.14V〜1.95V | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | ear99 | 8542.32.0036 | 1 | 揮発性 | 8gbit | ドラム | 512m x 16 | 平行 | - | |||||||||
 | MT46H128M32L2KQ-48 WT：C TR | - | | 1172 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -25°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 168-wfbga | MT46H128M32 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 168-WFBGA（12x12） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 208 MHz | 揮発性 | 4gbit | 5 ns | ドラム | 128m x 32 | 平行 | 14.4ns | ||
| MT29F1T08CUCABK8-6：a | - | | 6161 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | - | - | MT29F1T08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 167 MHz | 不揮発性 | 1tbit | フラッシュ | 128g x 8 | 平行 | - | ||||
| M50FW080NB5TG TR | - | | 9626 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -20°C〜85°C（Ta） | 表面マウント | 32-TFSOP （0.488 "、幅 12.40mm） | M50FW080 | フラッシュ - | 3V〜3.6V | 32-tsop | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 1,500 | 33 MHz | 不揮発性 | 8mbit | 250 ns | フラッシュ | 1m x 8 | 平行 | - | ||
| M29W256GL7AZA6E | - | | 8919 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 64-TBGA | M29W256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-TBGA （10x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 136 | 不揮発性 | 256mbit | 70 ns | フラッシュ | 32m x 8、16m x 16 | 平行 | 70ns | ||||
 | MT52L256M32D1PF-107 WT：b | 15.1400 | | 976 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 178-VFBGA | MT52L256 | SDRAM- lpddr3 | 1.2V | 178-FBGA （11.5x11） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,890 | 933 MHz | 揮発性 | 8gbit | ドラム | 256m x 32 | - | - | |||
| MT53B256M16D1Z00MWC1S | 10.4800 | | 5744 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 557-MT53B256M16D1Z00MWC1S | 1 | |||||||||||||||||||||
| MT62F768M64D4ZU-031 RF WT：B TR | 27.9300 | | 5757 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | MT62F768 | - | 557-MT62F768M64D4ZU-031RFWT：BTR | 2,500 | ||||||||||||||||||||
 | mt46v64m8bn-6：d | - | | 9138 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 60-TFBGA | mt46v64m8 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 60-FBGA （10x12.5 | - | ROHS3準拠 | 5 （48 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 167 MHz | 揮発性 | 512mbit | 700 ps | ドラム | 64m x 8 | 平行 | 15ns | ||
 | MT48H16M16LFBF-75 IT：H TR | - | | 7815 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 54-VFBGA | MT48H16M16 | SDRAM- lPSDR | 1.7V〜1.95V | 54-VFBGA （8x9） | - | ROHS3準拠 | 2（1 年） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.4 ns | ドラム | 16m x 16 | 平行 | 15ns | ||
| M29W128GH70ZS3E | - | | 5437 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 64-lbga | M29W128 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA （11x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 160 | 不揮発性 | 128mbit | 70 ns | フラッシュ | 16m x 8、8m x 16 | 平行 | 70ns | |||
 | MT40A2G8NEA-062E：J | - | | 4815 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 78-TFBGA | MT40A2G8 | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 78-FBGA （7.5x11） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 557-MT40A2G8NEA-062E：j | 廃止 | 1,260 | 1.6 GHz | 揮発性 | 16gbit | 19 ns | ドラム | 2g x 8 | 平行 | 15ns | |||
| M29F400FB5AM6T2 TR | - | | 5988 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 44-SOIC （0.496 "、12.60mm 幅） | M29F400 | フラッシュ - | 4.5v〜5.5V | 44-SO | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 500 | 不揮発性 | 4mbit | 55 ns | フラッシュ | 512K x 8、256K x 16 | 平行 | 55ns | ||||
 | mtfc16gakaena-4m it | - | | 5346 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 100-TBGA | MTFC16 | フラッシュ -ナンド | 1.7V〜1.9V | 100-TBGA | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | MMC | - | |||||
| MT29F2T08ELLEEG7-QD：E TR | 52.9800 | | 1704 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | 557-MT29F2T08ELLEEG7-QD：ETR | 2,000 | |||||||||||||||||||||
 | EDB2432B4MA-1DAAT-FD | - | | 1852年 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -40°C〜105°C （TC） | 表面マウント | 134-VFBGA | EDB2432 | SDRAM-モバイルLPDDR2 | 1.14V〜1.95V | 134-VFBGA （10x11.5 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,100 | 533 MHz | 揮発性 | 2Gbit | ドラム | 64m x 32 | 平行 | - | |||
 | mtfc64gakaeey-3m wt tr | - | | 3875 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -25°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 153-LFBGA | mtfc64 | フラッシュ -ナンド | - | 153-lfbga（11.5x13 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | MMC | - | ||||
 | MT29F1G01ABAFD12-AATES：F | - | | 1819年 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 24-tbga | MT29F1G01 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 24-T-PBGA | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 1gbit | フラッシュ | 1g x 1 | spi | - | ||||
| EDFA164A2PF-GD-FR TR | - | | 8711 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | - | - | EDFA164 | SDRAM- lpddr3 | 1.14V〜1.95V | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,000 | 800 MHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 256m x 64 | 平行 | - | ||||
| M25P40-VMB3TPB TR | - | | 5118 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 8-ufdfn露出パッド | M25P40 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 8-ufdfpn （2x3） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 2,500 | 75 MHz | 不揮発性 | 4mbit | フラッシュ | 512k x 8 | spi | 15ms、5ms | |||
 | MT47H128M8CF-3 IT：h | - | | 8073 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 60-TFBGA | MT47H128M8 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 60-fbga （8x10） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 333 MHz | 揮発性 | 1gbit | 450 PS | ドラム | 128m x 8 | 平行 | 15ns | ||
 | MT46V16M16CY-5B AIT：M TR | - | | 2976 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 60-TFBGA | MT46V16M16 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 60-FBGA （8x12.5） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 200 MHz | 揮発性 | 256mbit | 700 ps | ドラム | 16m x 16 | 平行 | 15ns | ||
| JR28F064M29EWLA | - | | 4409 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | JR28F064M29 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 576 | 不揮発性 | 64mbit | 70 ns | フラッシュ | 8m x 8、4m x 16 | 平行 | 70ns | |||
| MT53E2G64D8EG-046 WT：c | - | | 5062 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 557-MT53E2G64D8EG-046WT：c | 1,260 | ||||||||||||||||||
| MT48LC16M16A2B4-7E：G TR | - | | 6643 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 54-VFBGA | MT48LC16M16A2 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-VFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.4 ns | ドラム | 16m x 16 | 平行 | 14ns | ||
| MT29F32G08CBECBL73A3WC1P | - | | 3610 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 死ぬ | MT29F32G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 死ぬ | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 32gbit | フラッシュ | 4g x 8 | 平行 | - | ||||
| MT25QU128ABB1ESE-0AUT TR | 4.2442 | | 4077 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） | MT25QU128 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 8-SO | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | MT25QU128ABB1ESE-0AUTTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,500 | 166 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi | 1.8ms | ||
 | MT57W1MH18CF-4 | 30.4500 | | 587 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 165-TBGA | sram-同期 | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 250 MHz | 揮発性 | 18mbit | 450 PS | sram | 1m x 18 | HSTL | - | |||
| MT35XL512ABA1G12-0AAT TR | - | | 9876 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Xccela™-MT35X | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C | 表面マウント | 24-tbga | mt35xl512 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-T-PBGA | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 133 MHz | 不揮発性 | 512mbit | フラッシュ | 64m x 8 | xccelaバス | - |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
在庫倉庫
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