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メモリ（10402）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MT28F800B3WG-9 TET Micron Technology Inc. MT28F800B3WG-9テット -
RFQ
 ECAD 7029 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT28F800B3 フラッシュ - 3V〜3.6V 48-tsop i ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1,000 不揮発性 8mbit 90 ns フラッシュ 1M x 8、512K x 16 平行 90ns
MT46V32M16BN-6:C Micron Technology Inc. MT46V32M16BN-6：c -
RFQ
 ECAD 1157 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 60-TFBGA MT46V32M16 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 60-FBGA （10x12.5 - ROHS3準拠 5 （48 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 32m x 16 平行 15ns
M25P10-AVMN3TP/X TR Micron Technology Inc. M25P10-AVMN3TP/X TR -
RFQ
 ECAD 3641 0.00000000 Micron Technology Inc. - カットテープ（CT） 廃止 -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） M25P10 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 8-SO ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 2,500 50 MHz 不揮発性 1mbit フラッシュ 128k x 8 spi 15ms、5ms
MT29F512G08EEHAFJ4-3RES:A Micron Technology Inc. MT29F512G08EEHAFJ4-3RES：a -
RFQ
 ECAD 3574 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 132-VBGA MT29F512G08 フラッシュ-Nand （TLC） 2.5V〜3.6V 132-VBGA（12x18） - 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 333 MHz 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 平行 -
EDF8164A3MA-JD-F-D Micron Technology Inc. EDF8164A3MA-JD-FD -
RFQ
 ECAD 8037 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント - EDF8164 SDRAM- lpddr3 1.14V〜1.95V 253-FBGA （11x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1,980 933 MHz 揮発性 8gbit ドラム 128m x 64 平行 -
MT41K64M16JT-125:G TR Micron Technology Inc. MT41K64M16JT-125：G TR -
RFQ
 ECAD 8153 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-TFBGA MT41K64M16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA （8x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0036 2,000 800 MHz 揮発性 1gbit 13.75 ns ドラム 64m x 16 平行 -
MT29F512G08EBLGEB27C3WC1-M Micron Technology Inc. MT29F512G08EBLGEB27C3WC1-M 10.6800
RFQ
 ECAD 2586 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ - 557-MT29F512G08EBLGEB27C3WC1-M 1
TE28F256J3F105A Micron Technology Inc. TE28F256J3F105A -
RFQ
 ECAD 2096 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） 28F256J3 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0051 96 不揮発性 256mbit 105 ns フラッシュ 32m x 8、16m x 16 平行 105ns
MT29E768G08EEHBBJ4-3ES:B TR Micron Technology Inc. MT29E768G08EEHBBJ4-3ES：B Tr -
RFQ
 ECAD 1589 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 132-VBGA MT29E768G08 フラッシュ -ナンド 2.5V〜3.6V 132-VBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 333 MHz 不揮発性 768GBIT フラッシュ 96g x 8 平行 -
MT29F256G08CJABBWP-12IT:B TR Micron Technology Inc. MT29F256G08CJABBWP-12IT：B TR -
RFQ
 ECAD 3849 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F256G08 フラッシュ-nand （mlc） 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83 MHz 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 平行 -
MT49H32M18BM-18:B TR Micron Technology Inc. MT49H32M18BM-18：B TR -
RFQ
 ECAD 2027 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 144-TFBGA MT49H32M18 ドラム 1.7V〜1.9V 144-µbga（18.5x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 533 MHz 揮発性 576mbit 15 ns ドラム 32m x 18 平行 -
MT41K512M16HA-107 IT:A Micron Technology Inc. MT41K512M16HA-107 IT：a -
RFQ
 ECAD 8491 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA MT41K512M16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA （9x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,020 933 MHz 揮発性 8gbit 20 ns ドラム 512m x 16 平行 -
MT29F32G08CBADAWP:D TR Micron Technology Inc. MT29F32G08CBADAWP：D Tr -
RFQ
 ECAD 9907 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F32G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 32gbit フラッシュ 4g x 8 平行 -
M29F080D70N6E Micron Technology Inc. M29F080D70N6E -
RFQ
 ECAD 3407 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 40-tfsop （0.724 "、18.40mm M29F080 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 40-tsop - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 120 不揮発性 8mbit 70 ns フラッシュ 1m x 8 平行 70ns
MT53E256M16D1FW-046 AIT:B TR Micron Technology Inc. MT53E256M16D1FW-046AIT：B TR 9.0450
RFQ
 ECAD 9333 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C（TC） MT53E256 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MT53E256M16D1FW-046AIT：BTR 2,000 2.133 GHz 揮発性 4gbit ドラム 256m x 16 - -
NAND512W3A2DZA6E Micron Technology Inc. NAND512W3A2DZA6E -
RFQ
 ECAD 2127 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-TFBGA NAND512 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない -NAND512W3A2DZA6E 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 不揮発性 512mbit 50 ns フラッシュ 64m x 8 平行 50ns
MT29F4G08ABADAWP-AATX:D TR Micron Technology Inc. MT29F4G08ABADAWP-AATX：D TR 5.4563
RFQ
 ECAD 4924 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F4G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 4gbit フラッシュ 512m x 8 平行 -
MT46V32M16FN-5B:C Micron Technology Inc. MT46V32M16FN-5B：c -
RFQ
 ECAD 6386 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 60-TFBGA MT46V32M16 SDRAM -DDR 2.5V〜2.7V 60-FBGA （10x12.5 - ROHS非準拠 5 （48 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 200 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 32m x 16 平行 15ns
MT29F16G08ABABAWP-IT:B TR Micron Technology Inc. MT29F16G088888ABABAWP-IT：B TR -
RFQ
 ECAD 7018 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F16G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 16gbit フラッシュ 2g x 8 平行 -
MT53E128M32D2FW-046 AAT:A TR Micron Technology Inc. MT53E128M32D2FW-046AAT：A TR 8.7450
RFQ
 ECAD 3095 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ - 557-MT53E128M32D2FW-046AAT：ATR 2,000
MT40A1G16TB-062E:F TR Micron Technology Inc. MT40A1G16TB-062E：F Tr 13.5900
RFQ
 ECAD 9072 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-TFBGA MT40A1G16 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 96-FBGA （7.5x13 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MT40A1G16TB-062E：FTR 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 1.5 GHz 揮発性 16gbit 19 ns ドラム 1g x 16 平行 15ns
N25Q128A11ESE40F TR Micron Technology Inc. N25Q128A11ESE40F TR -
RFQ
 ECAD 8727 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） N25Q128A11 フラッシュ - 1.7V〜2V 8-SO ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,500 108 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 32m x 4 spi 8ms、5ms
MT47H128M8JN-3 IT:H Micron Technology Inc. MT47H128M8JN-3 IT：h -
RFQ
 ECAD 8145 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 60-TFBGA MT47H128M8 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-fbga （8x10） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,000 333 MHz 揮発性 1gbit 450 PS ドラム 128m x 8 平行 15ns
M29DW128F70ZA6F TR Micron Technology Inc. M29DW128F70ZA6F TR -
RFQ
 ECAD 2943 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-TBGA M29DW128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-TBGA （10x13 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 不揮発性 128mbit 70 ns フラッシュ 16m x 8、8m x 16 平行 70ns
MT29C4G48MAAGBBAKS-48 IT TR Micron Technology Inc. MT29C4G48MAAGBBAKS-48 IT TR -
RFQ
 ECAD 1927年年 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 137-VFBGA MT29C4G48 フラッシュ-nand 、モバイルlpdram 1.7V〜1.95V 137-VFBGA（13x10.5） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 208 MHz 不揮発性、揮発性 4gbit（nand フラッシュ、ラム 512m x 8 平行 -
M25PX16-VZM6TP TR Micron Technology Inc. M25PX16-VZM6TP TR -
RFQ
 ECAD 3403 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga M25PX16 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 24-T-PBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 2,500 75 MHz 不揮発性 16mbit フラッシュ 2m x 8 spi 15ms、5ms
MT29F16G08ABECBM72A3WC1 TR Micron Technology Inc. MT29F16G08ABECBM72A3WC1 TR -
RFQ
 ECAD 5384 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 死ぬ MT29F16G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 死ぬ - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1 不揮発性 16gbit フラッシュ 2g x 8 平行 -
MT29F2G16ABBEAHC:E TR Micron Technology Inc. MT29F2G16ABBEAHC：E Tr -
RFQ
 ECAD 9183 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 63-VFBGA MT29F2G16 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 63-VFBGA（10.5x13） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 2Gbit フラッシュ 128m x 16 平行 -
MT47H128M8SH-187E:M TR Micron Technology Inc. MT47H128M8SH-187E：M Tr -
RFQ
 ECAD 7565 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 60-TFBGA MT47H128M8 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-fbga （8x10） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 2,000 533 MHz 揮発性 1gbit 350 PS ドラム 128m x 8 平行 15ns
MT46V32M8P-5B L:M Micron Technology Inc. MT46V32M8P-5B L：M -
RFQ
 ECAD 6925 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT46V32M8 SDRAM -DDR 2.5V〜2.7V 66-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0028 1,000 200 MHz 揮発性 256mbit 700 ps ドラム 32m x 8 平行 15ns
  • Daily average RFQ Volume

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    毎日の平均RFQボリューム

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    標準製品ユニット

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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