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メモリ（10402）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MT52L768M32D3PU-107 WT ES:B TR Micron Technology Inc. MT52L768M32D3PU-107 WT ES：B TR -
RFQ
 ECAD 5570 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 168-wfbga MT52L768 SDRAM- lpddr3 1.2V 168-FBGA（12x12） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 933 MHz 揮発性 24Gbit ドラム 768m x 32 - -
MT47H32M16CC-3E:B TR Micron Technology Inc. MT47H32M16CC-3E：B Tr -
RFQ
 ECAD 4273 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 84-TFBGA MT47H32M16 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-FBGA（12x12.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 333 MHz 揮発性 512mbit 450 PS ドラム 32m x 16 平行 15ns
MT28F004B3VG-8 B TR Micron Technology Inc. MT28F004B3VG-8 B TR -
RFQ
 ECAD 6153 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 40-tfsop （0.724 "、18.40mm MT28F004B3 フラッシュ - 3V〜3.6V 40-tsop i ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1,000 不揮発性 4mbit 80 ns フラッシュ 512k x 8 平行 80ns
PC48F4400P0VB0EF TR Micron Technology Inc. PC48F4400P0VB0EF TR -
RFQ
 ECAD 7095 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 64-lbga PC48F4400 フラッシュ - 1.7V〜2V 64-easybga （10x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 52 MHz 不揮発性 512mbit 85 ns フラッシュ 32m x 16 平行 85ns
MT47H16M16BG-5E:B TR Micron Technology Inc. MT47H16M16BG-5E：B Tr -
RFQ
 ECAD 4143 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 84-FBGA MT47H16M16 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-FBGA （8x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 200 MHz 揮発性 256mbit 600 PS ドラム 16m x 16 平行 15ns
MT55L64L32F1T-12 Micron Technology Inc. MT55L64L32F1T-12 5.7500
RFQ
 ECAD 582 0.00000000 Micron Technology Inc. ZBT® バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp SRAM -ZBT 3.135V〜3.6V 100-TQFP（14x20.1 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A991B2A 8542.32.0041 1 83 MHz 揮発性 2mbit 9 ns sram 64k x 32 平行 -
MT46V32M16P-5B L:J Micron Technology Inc. MT46V32M16P-5B L：J -
RFQ
 ECAD 5448 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT46V32M16 SDRAM -DDR 2.5V〜2.7V 66-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 200 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 32m x 16 平行 15ns
MT48LC64M4A2P-75:D Micron Technology Inc. MT48LC64M4A2P-75：d -
RFQ
 ECAD 2458 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC64M4A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 64m x 4 平行 15ns
MT47H256M4B7-5E:A TR Micron Technology Inc. MT47H256M4B7-5E：TR -
RFQ
 ECAD 2457 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 92-TFBGA MT47H256M4 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 92-FBGA （11x19） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,000 200 MHz 揮発性 1gbit 600 PS ドラム 256m x 4 平行 15ns
MT41K64M16TW-107 AIT:J TR Micron Technology Inc. MT41K64M16TW-107 AIT：J TR 5.6400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA MT41K64M16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA （8x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 2,000 933 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 平行 -
M50FLW040BNB5G Micron Technology Inc. M50FLW040BNB5G -
RFQ
 ECAD 7640 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -20°C〜85°C（Ta） 表面マウント 32-TFSOP （0.488 "、幅 12.40mm） M50FLW040 フラッシュ - 3V〜3.6V 32-tsop - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 208 33 MHz 不揮発性 4mbit 250 ns フラッシュ 512k x 8 平行 -
PC28F256P30B85F Micron Technology Inc. PC28F256P30B85F -
RFQ
 ECAD 8229 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-TBGA PC28F256 フラッシュ - 1.7V〜2V 64-easybga （10x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 144 52 MHz 不揮発性 256mbit 85 ns フラッシュ 16m x 16 平行 85ns
JS28F640J3F75G Micron Technology Inc. JS28F640J3F75G -
RFQ
 ECAD 2999 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） JS28F640J3 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない -JS28F640J3F75G 3A991B1A 8542.32.0071 96 不揮発性 64mbit 75 ns フラッシュ 8m x 8、4m x 16 平行 75ns
MT29F256G08CECCBH6-6ITR:C TR Micron Technology Inc. MT29F256G08CECCBH6-6ITR：C TR -
RFQ
 ECAD 3563 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 152-VBGA MT29F256G08 フラッシュ-nand （mlc） 2.7V〜3.6V 152-VBGA（14x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 167 MHz 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 平行 -
MT29F64G08AECABH1-10:A Micron Technology Inc. MT29F64G08AECABH1-10：a -
RFQ
 ECAD 6654 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-VBGA MT29F64G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 100-VBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100 MHz 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 平行 -
MT48LC8M32LFB5-10 IT TR Micron Technology Inc. MT48LC8M32LFB5-10 IT TR -
RFQ
 ECAD 3814 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 90-VFBGA MT48LC8M32 SDRAM- lPSDR 3V〜3.6V 90-VFBGA （8x13 - ROHS3準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 100 MHz 揮発性 256mbit 7 ns ドラム 8m x 32 平行 15ns
MT29F4G01AAADDHC-IT:D TR Micron Technology Inc. MT29F4G01AAADDHC-IT：D TR -
RFQ
 ECAD 5656 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA MT29F4G01 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 63-VFBGA（10.5x13） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 4gbit フラッシュ 4g x 1 spi -
MT28F800B5SG-8 TET Micron Technology Inc. MT28F800B5SG-8テット -
RFQ
 ECAD 7660 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 44-SOIC （0.496 "、12.60mm 幅） MT28F800B5 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 44-SO ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 500 不揮発性 8mbit 80 ns フラッシュ 1M x 8、512K x 16 平行 80ns
M28W640FCB70N6F TR Micron Technology Inc. M28W640FCB70N6F TR -
RFQ
 ECAD 9345 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） M28W640 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,500 不揮発性 64mbit 70 ns フラッシュ 4m x 16 平行 70ns
MT46V8M16P-75:D TR Micron Technology Inc. MT46V8M16P-75：D Tr -
RFQ
 ECAD 4529 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT46V8M16 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-tsop ダウンロード ROHS3準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 揮発性 128mbit 750 PS ドラム 8m x 16 平行 15ns
M29F400FB55M3T2 TR Micron Technology Inc. M29F400FB55M3T2 TR -
RFQ
 ECAD 6437 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 44-SOIC （0.496 "、12.60mm 幅） M29F400 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 44-SO ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 500 不揮発性 4mbit 55 ns フラッシュ 512K x 8、256K x 16 平行 55ns
MT53D512M64D8HR-053 WT ES:B TR Micron Technology Inc. MT53D512M64D8HR-053 WT ES：B TR -
RFQ
 ECAD 4285 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 366-WFBGA MT53D512 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 366-WFBGA（12x12.7） - 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 1.866 GHz 揮発性 32gbit ドラム 512m x 64 - -
MT41J64M16JT-15E XIT:G TR Micron Technology Inc. MT41J64M16JT-15E XIT：G TR -
RFQ
 ECAD 1425 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA MT41J64M16 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-FBGA （8x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 667 MHz 揮発性 1gbit ドラム 64m x 16 平行 -
MT62F2G64D8EK-023 AUT:C Micron Technology Inc. MT62F2G64D8EK-023 AUT：c 145.4250
RFQ
 ECAD 8853 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ - 557-MT62F2G64D8EK-023AUT：c 1
MT47H64M16B7-5E:A Micron Technology Inc. MT47H64M16B7-5E：a -
RFQ
 ECAD 9907 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ sicで中止されました 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 92-TFBGA MT47H64M16 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 92-FBGA （11x19） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,000 200 MHz 揮発性 1gbit 600 PS ドラム 64m x 16 平行 15ns
MT46V32M4TG-75:D Micron Technology Inc. MT46V32M4TG-75：d -
RFQ
 ECAD 8843 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT46V32M4 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-tsop ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 揮発性 128mbit 750 PS ドラム 32m x 4 平行 15ns
M25P80-VMP6T TR Micron Technology Inc. M25P80-VMP6T TR -
RFQ
 ECAD 5400 0.00000000 Micron Technology Inc. - カットテープ（CT） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-vdfn露出パッド M25P80 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-VDFPN ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 4,000 75 MHz 不揮発性 8mbit フラッシュ 1m x 8 spi 15ms、5ms
MT48LC32M16A2P-75:C TR Micron Technology Inc. MT48LC32M16A2P-75：C Tr -
RFQ
 ECAD 3469 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC32M16A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 4 （72 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 1,000 133 MHz 揮発性 512mbit 5.4 ns ドラム 32m x 16 平行 15ns
MT28F004B5VG-8 TET TR Micron Technology Inc. MT28F004B5VG-8 TET TR -
RFQ
 ECAD 7553 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 40-tfsop （0.724 "、18.40mm MT28F004B5 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 40-tsop i ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1,000 不揮発性 4mbit 80 ns フラッシュ 512k x 8 平行 80ns
MT46H128M32L2KQ-48 WT:C Micron Technology Inc. MT46H128M32L2KQ-48 WT：c -
RFQ
 ECAD 9972 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -25°C〜85°C（タタ 表面マウント 168-wfbga MT46H128M32 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 168-WFBGA（12x12） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,008 208 MHz 揮発性 4gbit 5 ns ドラム 128m x 32 平行 14.4ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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