SIC
close

メモリ（10402）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MT29F1T208EGCBBG1-37ES:B TR Micron Technology Inc. MT29F1T208EGCBBG1-37ES：B Tr -
RFQ
 ECAD 7736 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 272-VFBGA MT29F1T208 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 272-VBGA（14x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 267 MHz 不揮発性 1.125tbit フラッシュ 144g x 8 平行 -
MT40A512M16Z11BWC1 Micron Technology Inc. MT40A512M16Z11BWC1 9.0100
RFQ
 ECAD 4406 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ - 表面マウント 死ぬ MT40A512M16 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V ウェーハ - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1 揮発性 8gbit ドラム 512m x 16 平行 -
MT48LC16M16A2P-6A AIT:G TR Micron Technology Inc. MT48LC16M16A2P-6A AIT：G TR -
RFQ
 ECAD 2895 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC16M16A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 2,000 167 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 16m x 16 平行 12ns
MT53B384M64D4NH-062 WT:B Micron Technology Inc. MT53B384M64D4NH-062 WT：b -
RFQ
 ECAD 7200 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 272-WFBGA MT53B384 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 272-WFBGA - 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,190 1.6 GHz 揮発性 24Gbit ドラム 384m x 64 - -
MT42L16M32D1HE-18 IT:E Micron Technology Inc. MT42L16M32D1HE-18それ：e 5.7043
RFQ
 ECAD 3201 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 134-VFBGA MT42L16M32 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.3V 134-VFBGA （10x11.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MT42L16M32D1HE-18IT：e ear99 8542.32.0028 1,680 533 MHz 揮発性 512mbit ドラム 16m x 32 平行 15ns
MT29F2G08ABBEAHC-IT:E TR Micron Technology Inc. MT29F2G08ABBEAHC-IT：E TR 4.2400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA MT29F2G08 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 63-VFBGA（10.5x13） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 2Gbit フラッシュ 256m x 8 平行 -
MT29F2G08ABAGAH4-IT:G TR Micron Technology Inc. MT29F2G080808ABAGAH4-IT：G TR 2.8500
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA MT29F2G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 2Gbit フラッシュ 256m x 8 平行 -
MT48LC4M32LFF5-8 IT:G Micron Technology Inc. MT48LC4M32LFF5-8 IT：g -
RFQ
 ECAD 1027 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 90-VFBGA MT48LC4M32 SDRAM- lPSDR 3V〜3.6V 90-VFBGA （8x13 ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 125 MHz 揮発性 128mbit 7 ns ドラム 4m x 32 平行 15ns
MT48LC32M16A2P-75:C TR Micron Technology Inc. MT48LC32M16A2P-75：C Tr -
RFQ
 ECAD 3469 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC32M16A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 4 （72 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 1,000 133 MHz 揮発性 512mbit 5.4 ns ドラム 32m x 16 平行 15ns
MT62F2G64D8EK-023 AUT:C Micron Technology Inc. MT62F2G64D8EK-023 AUT：c 145.4250
RFQ
 ECAD 8853 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ - 557-MT62F2G64D8EK-023AUT：c 1
MT53D1024M64D8WF-053 WT ES:D Micron Technology Inc. MT53D1024M64D8WF-053 WT ES：D -
RFQ
 ECAD 7115 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -30°C〜85°C （TC） - - MT53D1024 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - - 1 （無制限） 廃止 0000.00.0000 1,190 1.866 GHz 揮発性 64gbit ドラム 1g x 64 - -
NAND512W3A2CZA6E Micron Technology Inc. NAND512W3A2CZA6E -
RFQ
 ECAD 3387 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-TFBGA NAND512 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 63-VFBGA （9x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない -NAND512W3A2CZA6E 3A991B1A 8542.32.0071 210 不揮発性 512mbit 50 ns フラッシュ 64m x 8 平行 50ns
MT46V32M4P-6T:D Micron Technology Inc. mt46v32m4p-6t：d -
RFQ
 ECAD 8505 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT46V32M4 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 167 MHz 揮発性 128mbit 700 ps ドラム 32m x 4 平行 15ns
MT46V8M16P-75:D TR Micron Technology Inc. MT46V8M16P-75：D Tr -
RFQ
 ECAD 4529 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT46V8M16 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-tsop ダウンロード ROHS3準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 揮発性 128mbit 750 PS ドラム 8m x 16 平行 15ns
M25P80-VMP6T TR Micron Technology Inc. M25P80-VMP6T TR -
RFQ
 ECAD 5400 0.00000000 Micron Technology Inc. - カットテープ（CT） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-vdfn露出パッド M25P80 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-VDFPN ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 4,000 75 MHz 不揮発性 8mbit フラッシュ 1m x 8 spi 15ms、5ms
MT41J64M16JT-15E XIT:G TR Micron Technology Inc. MT41J64M16JT-15E XIT：G TR -
RFQ
 ECAD 1425 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA MT41J64M16 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-FBGA （8x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 667 MHz 揮発性 1gbit ドラム 64m x 16 平行 -
MTFC128GBCAVTC-AAT ES Micron Technology Inc. mtfc128gbcavtc-aat es 60.4800
RFQ
 ECAD 1573 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ - 557-MTFC128GBCAVTC-AATES 1
MT45W2MW16BGB-701 IT TR Micron Technology Inc. mt45w2mw16bgb-701 it tr -
RFQ
 ECAD 1680 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 54-VFBGA MT45W2MW16 psram（pseudo sram 1.7V〜1.95V 54-VFBGA （6x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 揮発性 32mbit 70 ns psram 2m x 16 平行 70ns
MT29F2T08CTCCBJ7-6R:C TR Micron Technology Inc. MT29F2T08CTCCBJ7-6R：C Tr -
RFQ
 ECAD 1982年年 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 152-lbga MT29F2T08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 152-lbga - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 1,000 167 MHz 不揮発性 2tbit フラッシュ 256g x 8 平行 -
MT53D512M64D8HR-053 WT ES:B TR Micron Technology Inc. MT53D512M64D8HR-053 WT ES：B TR -
RFQ
 ECAD 4285 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 366-WFBGA MT53D512 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 366-WFBGA（12x12.7） - 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 1.866 GHz 揮発性 32gbit ドラム 512m x 64 - -
MT47H64M16B7-5E:A Micron Technology Inc. MT47H64M16B7-5E：a -
RFQ
 ECAD 9907 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ sicで中止されました 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 92-TFBGA MT47H64M16 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 92-FBGA （11x19） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,000 200 MHz 揮発性 1gbit 600 PS ドラム 64m x 16 平行 15ns
MT46H128M32L2KQ-48 WT:C Micron Technology Inc. MT46H128M32L2KQ-48 WT：c -
RFQ
 ECAD 9972 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -25°C〜85°C（タタ 表面マウント 168-wfbga MT46H128M32 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 168-WFBGA（12x12） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,008 208 MHz 揮発性 4gbit 5 ns ドラム 128m x 32 平行 14.4ns
N25Q064A13EW7DFF Micron Technology Inc. N25Q064A13EW7DFF -
RFQ
 ECAD 6777 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド N25Q064A13 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-wpdfn ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 廃止 0000.00.0000 1 108 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 16m x 4 spi 8ms、5ms
MT28F004B5VG-8 TET TR Micron Technology Inc. MT28F004B5VG-8 TET TR -
RFQ
 ECAD 7553 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 40-tfsop （0.724 "、18.40mm MT28F004B5 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 40-tsop i ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1,000 不揮発性 4mbit 80 ns フラッシュ 512k x 8 平行 80ns
MT46V32M4TG-75:D Micron Technology Inc. MT46V32M4TG-75：d -
RFQ
 ECAD 8843 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT46V32M4 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-tsop ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 揮発性 128mbit 750 PS ドラム 32m x 4 平行 15ns
MT29F4G08ABADAWP-AITX:D Micron Technology Inc. MT29F4G08ABADAWP-AITX：d 7.1900
RFQ
 ECAD 256 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F4G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 960 不揮発性 4gbit フラッシュ 512m x 8 平行 -
MTFC32GAPALGT-S1 IT Micron Technology Inc. mtfc32gapalgt-s1 it 25.8300
RFQ
 ECAD 6204 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ 箱 アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 153-TFBGA フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 153-TFBGA （11.5x13 - 557-MTFC32GAPALGT-S1IT 1 200 MHz 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 EMMC_5.1 -
MT41K256M16TW-107 AAT:P Micron Technology Inc. MT41K256M16TW-107 AAT：p 6.9134
RFQ
 ECAD 7475 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 96-TFBGA MT41K256M16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA （8x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,368 933 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 256m x 16 平行 -
MT53D512M64D4NW-053 WT:D TR Micron Technology Inc. MT53D512M64D4NW-053 WT：D TR -
RFQ
 ECAD 3713 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 432-VFBGA MT53D512 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 432-VFBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 1.866 GHz 揮発性 32gbit ドラム 512m x 64 - -
MT29F4G08ABBFAH4-AAT:F TR Micron Technology Inc. MT29F4G08ABBFAH4-AAT：F Tr 3.8498
RFQ
 ECAD 3606 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 63-VFBGA MT29F4G08 フラッシュ-nand（slc） 1.7V〜1.95V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない MT29F4G08ABBFAH4-AAT：FTR 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 不揮発性 4gbit フラッシュ 512m x 8 平行 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

RFQリスト（0アイテム）
カートリスト（0アイテム）
Wishlistウィッシュリスト（0アイテム）
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

リストを比較する（0アイテム）
Enterを押して検索するか、ESCを閉じます