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メモリ（10402）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT29F64G08CBABAWP-IT：B TR | - |  | 4659 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT29F64G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 64gbit | フラッシュ | 8g x 8 | 平行 | - | ||||
 | MT28F128J3BS-12 et | - | | 7133 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 64-FBGA | MT28F128J3 | フラッシュ | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA （10x13） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 4 （72 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 128mbit | 120 ns | フラッシュ | 16m x 8、8m x 16 | 平行 | - | |||
 | MT47H32M8BP-5E：b | - | | 2307 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 60-FBGA | MT47H32M8B | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 60-FBGA （8x12） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 2（1 年） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 200 MHz | 揮発性 | 256mbit | 600 PS | ドラム | 32m x 8 | 平行 | 15ns | ||
 | MT29F2T08CTCCBJ7-6C：c | - | | 3344 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 152-lbga | MT29F2T08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 152-lbga | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 167 MHz | 不揮発性 | 2tbit | フラッシュ | 256g x 8 | 平行 | - | |||
 | MT46V128M4TG-6T：D Tr | 15.9900 | | 13 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | MT46V128M4 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 66-tsop | ダウンロード | ROHS非準拠 | 4 （72 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 167 MHz | 揮発性 | 512mbit | 700 ps | ドラム | 128m x 4 | 平行 | 15ns | ||
 | M25P05-AVDW6TP TR | - | | 7261 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） | M25P05-A | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-tssop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 4,000 | 50 MHz | 不揮発性 | 512kbit | フラッシュ | 64k x 8 | spi | 15ms、5ms | |||
 | MT29C1G12MAADYAMD-5 IT | - | | 5245 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 130-VFBGA | MT29C1G12 | フラッシュ-nand 、モバイルlpdram | 1.7V〜1.95V | 130-VFBGA （8x9） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 200 MHz | 不揮発性、揮発性 | 1gbit（nand | フラッシュ、ラム | 128m x 8 | 平行 | - | ||||
 | MT53E512M64D2NW-046 WT：B TR | 23.5200 | | 1097 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 表面マウント | 432-VFBGA | MT53E512 | 432-VFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 557-MT53E512M64D2NW-046WT：BTR | 2,000 | ||||||||||||||
 | MT48H4M16LFB4-10 | - | | 7031 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -25°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 54-VFBGA | MT48H4M16 | SDRAM- lPSDR | 1.7V〜1.9V | 54-VFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 2（1 年） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 104 MHz | 揮発性 | 64mbit | 7 ns | ドラム | 4m x 16 | 平行 | 15ns | ||
 | MT48LC4M16A2P-6 IT：G TR | - | | 6056 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | MT48LC4M16A2 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 2（1 年） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 167 MHz | 揮発性 | 64mbit | 5.5 ns | ドラム | 4m x 16 | 平行 | 12ns | ||
 | MT29E128G08CECDBJ4-6：D TR | - | | 1164 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 132-VBGA | MT29E128G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 132-VBGA（12x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | 平行 | - | |||||
| MT46V64M16TG-6T：a | - | | 8515 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | mt46v64m16 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 66-tsop | ダウンロード | ROHS非準拠 | 5 （48 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 167 MHz | 揮発性 | 1gbit | 700 ps | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns | ||
 | M36P0R8060E0ZAQF TR | - | | 7984 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | M36P0R8060 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | ||||||||||||||||
| mt38w201daa033jzzi.x68 tr | - | | 1322 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,000 | ||||||||||||||||||
| mt46v64m8p-75 it：d | - | | 3004 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | mt46v64m8 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 66-tsop | - | ROHS3準拠 | 4 （72 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | 揮発性 | 512mbit | 750 PS | ドラム | 64m x 8 | 平行 | 15ns | ||
 | MT29F256G08CMCABH2-12Z：a | - | | 5478 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 100-TBGA | MT29F256G08 | フラッシュ-nand （mlc） | 2.7V〜3.6V | 100-TBGA（12x18） | - | 1 （無制限） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,120 | 83 MHz | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | 平行 | - | |||||
| MT42L128M32D1TK-25 AAT：A TR | - | | 3354 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜105°C （TC） | 表面マウント | 134-wfbga | MT42L128M32 | SDRAM-モバイルLPDDR2 | 1.14V〜1.3V | 134-FBGA （10x11.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,000 | 400 MHz | 揮発性 | 4gbit | ドラム | 128m x 32 | 平行 | - | ||||
| mt48h4m16lfb4-8 it tr | - | | 8483 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 54-VFBGA | MT48H4M16 | SDRAM- lPSDR | 1.7V〜1.9V | 54-VFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 125 MHz | 揮発性 | 64mbit | 6 ns | ドラム | 4m x 16 | 平行 | 15ns | ||
 | M25PX64SOVZM6P | - | | 4474 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 24-tbga | M25PX64 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-T-PBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 187 | 75 MHz | 不揮発性 | 64mbit | フラッシュ | 8m x 8 | spi | 15ms、5ms | ||||
 | MT28F800B5WP-8 BET TR | - | | 2666 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT28F800B5 | フラッシュ - | 4.5v〜5.5V | 48-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 2（1 年） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 8mbit | 80 ns | フラッシュ | 1M x 8、512K x 16 | 平行 | 80ns | |||
| MT46V16M8P-75：D Tr | - | | 8425 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | MT46V16M8 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 66-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 2（1 年） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 133 MHz | 揮発性 | 128mbit | 750 PS | ドラム | 16m x 8 | 平行 | 15ns | ||
 | MT53D512M32D2DS-046 AIT：D TR | - | | 3752 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | 前回購入します | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 200-WFBGA | MT53D512 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA （10x14.5 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 2.133 GHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 512m x 32 | - | - | |||
 | MT45W4MW16BFB-706 L WT TR | - | | 9416 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | sicで中止されました | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 54-VFBGA | MT45W4MW16 | psram（pseudo sram | 1.7V〜1.95V | 54-VFBGA （6x9） | ダウンロード | ROHS非準拠 | 2（1 年） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 揮発性 | 64mbit | 70 ns | psram | 4m x 16 | 平行 | 70ns | |||
| N25Q064A13EW7DFF | - | | 6777 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | N25Q064A13 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-wpdfn | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 | 108 MHz | 不揮発性 | 64mbit | フラッシュ | 16m x 4 | spi | 8ms、5ms | ||||
| mt46v32m4p-6t：d | - | | 8505 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | MT46V32M4 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 66-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 167 MHz | 揮発性 | 128mbit | 700 ps | ドラム | 32m x 4 | 平行 | 15ns | ||
 | NAND512W3A2CZA6E | - | | 3387 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 63-TFBGA | NAND512 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 63-VFBGA （9x11） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | -NAND512W3A2CZA6E | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 210 | 不揮発性 | 512mbit | 50 ns | フラッシュ | 64m x 8 | 平行 | 50ns | ||
| MT29F2T08CTCCBJ7-6R：C Tr | - | | 1982年年 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 152-lbga | MT29F2T08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 152-lbga | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,000 | 167 MHz | 不揮発性 | 2tbit | フラッシュ | 256g x 8 | 平行 | - | |||
| MT28F800B3WP-9T | - | | 9938 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT28F800B3 | フラッシュ - | 3V〜3.6V | 48-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 2（1 年） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 8mbit | 90 ns | フラッシュ | 1M x 8、512K x 16 | 平行 | 90ns | |||
| MT48LC8M16A2B4-75 IT：g | - | | 6867 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 54-VFBGA | MT48LC8M16A2 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-VFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 133 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5.4 ns | ドラム | 8m x 16 | 平行 | 15ns | ||
 | M29W128GL70N6F TR | - | | 1186 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | M29W128 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 56-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,200 | 不揮発性 | 128mbit | 70 ns | フラッシュ | 16m x 8、8m x 16 | 平行 | 70ns |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
在庫倉庫
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