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メモリ（10402）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT35XU01GBBA2G12-0AAT TR | - |  | 4166 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Xccela™-MT35X | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C | 表面マウント | 24-tbga | mt35xu01 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 24-T-PBGA | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 200 MHz | 不揮発性 | 1gbit | フラッシュ | 128m x 8 | xccelaバス | - | |||
 | MT52L256M64D2LZ-107 WT：B TR | 24.1050 | | 7148 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 216-WFBGA | MT52L256 | SDRAM- lpddr3 | 1.2V | 216-FBGA（12x12） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 933 MHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 256m x 64 | - | - | |||
 | MT48LC8M32LFF5-10 IT | - | | 9417 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 90-VFBGA | MT48LC8M32 | SDRAM- lPSDR | 3V〜3.6V | 90-VFBGA （8x13 | - | ROHS非準拠 | 2（1 年） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 100 MHz | 揮発性 | 256mbit | 7 ns | ドラム | 8m x 32 | 平行 | 15ns | ||
| MT41K256M4JP-125：g | - | | 8838 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | sicで中止されました | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 78-TFBGA | MT41K256M4 | SDRAM -DDR3 | 1.283V〜1.45V | 78-FBGA （8x11.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 800 MHz | 揮発性 | 1gbit | 13.75 ns | ドラム | 256m x 4 | 平行 | - | ||
 | M29W800DT70N6F TR | - | | 6169 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | M29W800 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 1,500 | 不揮発性 | 8mbit | 70 ns | フラッシュ | 1M x 8、512K x 16 | 平行 | 70ns | |||
 | MT29F2G08ABBFAH4-IT：F TR | - | | 9556 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F2G08 | フラッシュ -ナンド | 1.7V〜1.95V | 63-VFBGA （9x11） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,000 | 不揮発性 | 2Gbit | フラッシュ | 256m x 8 | 平行 | - | |||||
 | PC28F064M29EWHX | - | | 8220 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 64-lbga | PC28F064 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA （11x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 184 | 不揮発性 | 64mbit | 60 ns | フラッシュ | 8m x 8、4m x 16 | 平行 | 60ns | |||
| MT29RZ4C4DZZHGPL-18 W.80U TR | - | | 6543 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | mt29rz4 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | ||||||||||||||||
| MT53D1536M64D8EG-046 WT：a | - | | 6779 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 557-MT53D1536M64D8EG-046WT：a | 廃止 | 1,360 | ||||||||||||||||||
 | MT47H128M8BT-5E：a | - | | 9559 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | sicで中止されました | 0°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 92-TFBGA | MT47H128M8 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 92-FBGA （11x19） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 5 （48 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 200 MHz | 揮発性 | 1gbit | 600 PS | ドラム | 128m x 8 | 平行 | 15ns | ||
 | MT28F640J3RG-115 MET | - | | 4394 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT28F640J3 | フラッシュ | 2.7V〜3.6V | 56-tsop | ダウンロード | ROHS非準拠 | 2（1 年） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 64mbit | 115 ns | フラッシュ | 8m x 8、4m x 16 | 平行 | - | |||
 | MT53D512M64D4NW-053 WT：D TR | - | | 3713 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 432-VFBGA | MT53D512 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 432-VFBGA | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 1.866 GHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 512m x 64 | - | - | |||
 | MT48LC4M16A2P-7E：G TR | - | | 3342 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | MT48LC4M16A2 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 133 MHz | 揮発性 | 64mbit | 5.4 ns | ドラム | 4m x 16 | 平行 | 14ns | ||
 | MT29F256G08AUCDBJ6-6IT：d | - | | 7154 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 132-lbga | MT29F256G08 | フラッシュ-nand（slc） | 2.7V〜3.6V | 132-lbga（12x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,120 | 167 MHz | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | 平行 | - | |||
| M29F200FT55M3E2 | - | | 7759 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 44-SOIC （0.496 "、12.60mm 幅） | M29F200 | フラッシュ - | 4.5v〜5.5V | 44-SO | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 40 | 不揮発性 | 2mbit | 55 ns | フラッシュ | 256K x 8、128K x 16 | 平行 | 55ns | |||
| MT25QU512ABB8E12-0AUT TR | 10.5450 | | 6418 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 24-tbga | MT25QU512 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 24-T-PBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 133 MHz | 不揮発性 | 512mbit | フラッシュ | 64m x 8 | spi | 8ms、2.8ms | |||
| MT53D1024M32D4BD-053 WT ES：D | - | | 1883 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | - | - | MT53D1024 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | - | 1 （無制限） | ear99 | 8542.32.0036 | 1,360 | 1.866 GHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 1g x 32 | - | - | |||||
 | N25Q064A13ESE40G | - | | 9477 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） | N25Q064A13 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-SO w | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,800 | 108 MHz | 不揮発性 | 64mbit | フラッシュ | 16m x 4 | spi | 8ms、5ms | |||
| mt29az2b2bhgtn-18it.110 | - | | 5534 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | mt29az2 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 557-MT29AZ2B2BHGTN-18IT.110 | 1,560 | |||||||||||||||||
 | MT28F400B3SG-8テット | - | | 7473 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 44-SOIC （0.496 "、12.60mm 幅） | MT28F400B3 | フラッシュ - | 3V〜3.6V | 44-SO | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 500 | 不揮発性 | 4mbit | 80 ns | フラッシュ | 512K x 8、256K x 16 | 平行 | 80ns | |||
| MT28F400B3WG-8 B TR | - | | 7339 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT28F400B3 | フラッシュ - | 3V〜3.6V | 48-tsop i | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 4mbit | 80 ns | フラッシュ | 512K x 8、256K x 16 | 平行 | 80ns | |||
 | MT53E128M32D2FW-046 AUT：a | 8.7450 | | 9329 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | 箱 | アクティブ | -40°C〜125°C | 表面マウント | 200-TFBGA | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.06V〜1.17V | 200-TFBGA （10x14.5） | - | 557-MT53E128M32D2FW-046AUT：a | 1 | 2.133 GHz | 揮発性 | 4gbit | 3.5 ns | ドラム | 128m x 32 | 平行 | 18ns | |||||||
| MT29F1G08ABBDAHC：d | - | | 3965 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F1G08 | フラッシュ -ナンド | 1.7V〜1.95V | 63-VFBGA（10.5x13） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,140 | 不揮発性 | 1gbit | フラッシュ | 128m x 8 | 平行 | - | ||||
 | MTFC32GAKAECN-5M AIT | - | | 7042 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 153-VFBGA | mtfc32g | フラッシュ -ナンド | - | 153-VFBGA （11.5x13 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,520 | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | MMC | - | ||||
 | MT41K256M16TW-107 AAT：p | 6.9134 | | 7475 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C （TC） | 表面マウント | 96-TFBGA | MT41K256M16 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-FBGA （8x14） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,368 | 933 MHz | 揮発性 | 4gbit | 20 ns | ドラム | 256m x 16 | 平行 | - | ||
 | MT53E128M16D1DS-046 WT：a | - | | 3795 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | MT53E128 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | MT53E128M16D1DS-046WT：a | ear99 | 8542.32.0036 | 1,360 | 2.133 GHz | 揮発性 | 2Gbit | ドラム | 128m x 16 | - | - | ||||||
| MT29F4G08ABCWC：c | - | | 2098 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT29F4G08 | フラッシュ -ナンド | 1.7V〜1.95V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 4gbit | フラッシュ | 512m x 8 | 平行 | - | ||||
| MT29F4G08ABBFAH4-AAT：F Tr | 3.8498 | | 3606 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F4G08 | フラッシュ-nand（slc） | 1.7V〜1.95V | 63-VFBGA （9x11） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | MT29F4G08ABBFAH4-AAT：FTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 不揮発性 | 4gbit | フラッシュ | 512m x 8 | 平行 | - | |||
| M29F040B70K6 | - | | 4341 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 32-lcc | M29F040 | フラッシュ - | 4.5v〜5.5V | 32-PLCC（11.35x13.89） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 32 | 不揮発性 | 4mbit | 70 ns | フラッシュ | 512k x 8 | 平行 | 70ns | |||
 | MT46V32M16FN-6 IT：c | - | | 4399 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 60-TFBGA | MT46V32M16 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 60-FBGA （10x12.5 | - | ROHS非準拠 | 5 （48 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 167 MHz | 揮発性 | 512mbit | 700 ps | ドラム | 32m x 16 | 平行 | 15ns |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
在庫倉庫
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