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メモリ（10402）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MT47H64M16HR-3 IT:H TR Micron Technology Inc. MT47H64M16HR-3 IT：H TR -
RFQ
 ECAD 1213 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 84-TFBGA MT47H64M16 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-FBGA （8x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,000 333 MHz 揮発性 1gbit 450 PS ドラム 64m x 16 平行 15ns
MT42L16M32D1AC-25 AAT:A TR Micron Technology Inc. MT42L16M32D1AC-25 AAT：A TR -
RFQ
 ECAD 6641 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 134-VFBGA MT42L16M32 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.95V 134-VFBGA （10x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 400 MHz 揮発性 512mbit ドラム 16m x 32 平行 -
JS28F128J3F75G Micron Technology Inc. JS28F128J3F75G -
RFQ
 ECAD 8587 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） JS28F128J3 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 96 不揮発性 128mbit 75 ns フラッシュ 16m x 8、8m x 16 平行 75ns
MT53D512M32D2NP-046 WT:E Micron Technology Inc. MT53D512M32D2NP-046 WT：e -
RFQ
 ECAD 6085 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 200-WFBGA MT53D512 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 1,360 2.133 GHz 揮発性 16gbit ドラム 512m x 32 - -
MT25QU01GBBB8E12-0SIT Micron Technology Inc. MT25QU01GBBB8E12-0SIT 18.0400
RFQ
 ECAD 696 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga MT25QU01 フラッシュ - 1.7V〜2V 24-T-PBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 166 MHz 不揮発性 1gbit フラッシュ 128m x 8 spi 8ms、2.8ms
MT48V4M32LFB5-10 IT:G Micron Technology Inc. MT48V4M32LFB5-10 IT：g -
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 ECAD 2621 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 90-VFBGA mt48v4m32 SDRAM- lPSDR 2.3V〜2.7V 90-VFBGA （8x13 ダウンロード ROHS3準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 100 MHz 揮発性 128mbit 7 ns ドラム 4m x 32 平行 15ns
MT42L128M64D2LL-18 WT:A Micron Technology Inc. MT42L128M64D2LL-18 WT：a -
RFQ
 ECAD 9451 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 216-WFBGA MT42L128M64 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.3V 216-FBGA（12x12） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,008 533 MHz 揮発性 8gbit ドラム 128m x 64 平行 -
MT48LC4M16A2TG-75 IT:G TR Micron Technology Inc. MT48LC4M16A2TG-75 IT：G TR -
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 ECAD 7283 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC4M16A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 揮発性 64mbit 5.4 ns ドラム 4m x 16 平行 15ns
MT28EW512ABA1LPC-0AAT Micron Technology Inc. MT28EW512ABA1LPC-0AAT -
RFQ
 ECAD 5023 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 64-lbga MT28EW512 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-lbga（11x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,104 不揮発性 512mbit 105 ns フラッシュ 64m x 8、32m x 16 平行 60ns
MT28F400B5WG-8 B TR Micron Technology Inc. MT28F400B5WG-8 B TR -
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 ECAD 8115 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT28F400B5 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 48-tsop i ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1,000 不揮発性 4mbit 80 ns フラッシュ 512K x 8、256K x 16 平行 80ns
MT28F320J3RG-11 ET TR Micron Technology Inc. mt28f320j3rg-11 et tr -
RFQ
 ECAD 2305 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT28F320J3 フラッシュ 2.7V〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 32mbit 110 ns フラッシュ 4m x 8、2m x 16 平行 -
MT48LC8M8A2P-75 IT:G Micron Technology Inc. MT48LC8M8A2P-75 IT：g -
RFQ
 ECAD 5794 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC8M8A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 揮発性 64mbit 5.4 ns ドラム 8m x 8 平行 15ns
MT48LC32M8A2TG-7E:D TR Micron Technology Inc. MT48LC32M8A2TG-7E：D TR -
RFQ
 ECAD 4739 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC32M8A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 32m x 8 平行 14ns
MTFC8GAMALNA-AIT ES Micron Technology Inc. mtfc8gamalna-ait es -
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 ECAD 4783 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-TBGA mtfc8 フラッシュ -ナンド - 100-TBGA - 1 （無制限） 3A991B1A 8542.32.0071 980 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 MMC -
MT46V128M4BN-6:F TR Micron Technology Inc. mt46v128m4bn-6：f tr -
RFQ
 ECAD 5111 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 60-TFBGA MT46V128M4 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 60-FBGA （10x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 128m x 4 平行 15ns
MT29F256G08CJAABWP-12Z:A Micron Technology Inc. MT29F256G08CJAABWP-12Z：a -
RFQ
 ECAD 8935 0.00000000 Micron Technology Inc. - チューブ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F256G08 フラッシュ-nand （mlc） 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83 MHz 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 平行 -
MT46V16M16CY-5B IT:M Micron Technology Inc. mt46v16m16cy-5b it：m 7.6900
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 60-TFBGA MT46V16M16 SDRAM -DDR 2.5V〜2.7V 60-FBGA （8x12.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 1,368 200 MHz 揮発性 256mbit 700 ps ドラム 16m x 16 平行 15ns
MT53D1024M32D4DT-053 WT ES:D TR Micron Technology Inc. MT53D1024M32D4DT-053 WT ES：D TR -
RFQ
 ECAD 5863 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 200-VFBGA MT53D1024 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-VFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 1.866 GHz 揮発性 32gbit ドラム 1g x 32 - -
MT48V4M32LFB5-8:G Micron Technology Inc. MT48V4M32LFB5-8：g -
RFQ
 ECAD 7437 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 90-VFBGA mt48v4m32 SDRAM- lPSDR 2.3V〜2.7V 90-VFBGA （8x13 ダウンロード ROHS3準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 125 MHz 揮発性 128mbit 7 ns ドラム 4m x 32 平行 15ns
MT40A2G8NRE-083E:B TR Micron Technology Inc. MT40A2G8NRE-083E：B TR -
RFQ
 ECAD 1252 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA MT40A2G8 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 78-FBGA （8x12） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 1.2 GHz 揮発性 16gbit ドラム 2g x 8 平行 -
MT53E2G32D4DT-046 AAT:A Micron Technology Inc. MT53E2G32D4DT-046 AAT：a 63.1350
RFQ
 ECAD 6496 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ アクティブ -40°C〜105°C （TC） MT53E2G32 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない MT53E2G32D4DT-046AAT：a 0000.00.0000 1,360 2.133 GHz 揮発性 64gbit ドラム 2g x 32 - -
MT62F1G64D4ZV-023 WT:B Micron Technology Inc. MT62F1G64D4ZV-023 WT：b 37.2450
RFQ
 ECAD 7877 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ - 557-MT62F1G64D4ZV-023WT：b 1
MT41K256M16TW-107 AAT:P Micron Technology Inc. MT41K256M16TW-107 AAT：p 6.9134
RFQ
 ECAD 7475 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 96-TFBGA MT41K256M16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA （8x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,368 933 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 256m x 16 平行 -
EDB1316BDBH-1DAUT-F-D Micron Technology Inc. EDB1316BDBH-1DAUT-FD -
RFQ
 ECAD 3529 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 134-VFBGA EDB1316 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.95V 134-VFBGA （10x11.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 2,100 533 MHz 揮発性 1gbit ドラム 64m x 16 平行 -
MT46V64M8P-5B:F Micron Technology Inc. mt46v64m8p-5b：f -
RFQ
 ECAD 6242 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） mt46v64m8 SDRAM -DDR 2.5V〜2.7V 66-tsop ダウンロード ROHS3準拠 5 （48 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 200 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 64m x 8 平行 15ns
M29W320DB70ZA6 Micron Technology Inc. M29W320DB70ZA6 -
RFQ
 ECAD 1403 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-TFBGA M29W320 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 63-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,020 不揮発性 32mbit 70 ns フラッシュ 4m x 8、2m x 16 平行 70ns
MT46V64M8FN-75 IT:D Micron Technology Inc. mt46v64m8fn-75 it：d -
RFQ
 ECAD 8030 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 60-TFBGA mt46v64m8 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 60-FBGA （10x12.5 - ROHS非準拠 5 （48 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 揮発性 512mbit 750 PS ドラム 64m x 8 平行 15ns
MT48V8M32LFB5-8 TR Micron Technology Inc. MT48V8M32LFB5-8 TR -
RFQ
 ECAD 5171 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 90-VFBGA mt48v8m32 SDRAM- lPSDR 2.3V〜2.7V 90-VFBGA （8x13 ダウンロード ROHS3準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 125 MHz 揮発性 256mbit 7 ns ドラム 8m x 32 平行 15ns
MT58L64L32PT-7.5 Micron Technology Inc. MT58L64L32PT-7.5 6.3000
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 ECAD 13 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst™ バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp MT58L64L32 sram 3.135V〜3.6V 100-TQFP（14x20.1 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 揮発性 2mbit 4 ns sram 64k x 32 平行 -
MT29F2T08CQCBBG2-37ES:B TR Micron Technology Inc. MT29F2T08CQCBBG2-37ES：B Tr -
RFQ
 ECAD 8139 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント - MT29F2T08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 272-TBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 267 MHz 不揮発性 2tbit フラッシュ 256g x 8 平行 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

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    世界的なメーカー

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    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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