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メモリ（10402）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT46V128M4P-6T：F | - |  | 7395 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | MT46V128M4 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 66-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 167 MHz | 揮発性 | 512mbit | 700 ps | ドラム | 128m x 4 | 平行 | 15ns | ||
 | mt53d6dabe-dc | - | | 2172 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | sicで中止されました | - | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 1,360 | ||||||||||||||||||||
 | MT48V8M16LFB4-8 XT：G TR | - | | 2152 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | sicで中止されました | -20°C〜75°C（TA） | 表面マウント | 54-VFBGA | mt48v8m16 | SDRAM- lPSDR | 2.3V〜2.7V | 54-VFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 2（1 年） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 125 MHz | 揮発性 | 128mbit | 7 ns | ドラム | 8m x 16 | 平行 | 15ns | ||
| EDF8132A3PK-GD-FD | - | | 7417 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | - | - | EDF8132 | SDRAM- lpddr3 | 1.14V〜1.95V | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,520 | 800 MHz | 揮発性 | 8gbit | ドラム | 256m x 32 | 平行 | - | ||||
| MT53D2G32D8QD-062 WT：D TR | - | | 6529 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | MT53D2G32 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | 1 （無制限） | 廃止 | 0000.00.0000 | 2,000 | 1.6 GHz | 揮発性 | 64gbit | ドラム | 2g x 32 | - | - | ||||||||
 | MT29F16G08AJADAWP：d | - | | 9411 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT29F16G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 16gbit | フラッシュ | 2g x 8 | 平行 | - | |||||
| MTFC64GBCAQTC-AAT ES | 29.4000 | | 2937 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 557-MTFC64GBCAQTC-AATES | 1 | |||||||||||||||||||||
| N25Q064A13ESE4MF TR | - | | 9961 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） | N25Q064A13 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-sop2 | - | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,500 | 108 MHz | 不揮発性 | 64mbit | フラッシュ | 16m x 4 | spi | 8ms、5ms | ||||
| MT29F64G08CBEEBL84D3WC1 | - | | 1647 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 557-MT29F64G08CBEEBL84D3WC1 | 廃止 | 1,000 | ||||||||||||||||||
 | MT53E1G32D2FW-046 AIT：A TR | 29.8650 | | 2663 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 200-TFBGA | SDRAM -MOBILE LPDDR4X | 1.06V〜1.17V | 200-TFBGA （10x14.5） | ダウンロード | 557-MT53E1G32D2FW-046AIT：ATR | 2,000 | 2.133 GHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 1g x 32 | 平行 | 18ns | ||||||||
| MT62F1G32D2DS-023 AAT ES：B TR | 31.9350 | | 3905 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | 557-MT62F1G32D2DS-023AATE：Btr | 2,000 | |||||||||||||||||||||
| MT29F4T08EMLCHD4-T：c | 83.9100 | | 6270 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 557-MT29F4T08EMLCHD4-T：c | 1 | |||||||||||||||||||||
| MT29F4T08EULEEM4-QJ：e | 105.9600 | | 7820 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 557-MT29F4T08EULEEM4-QJ：e | 1 | |||||||||||||||||||||
| MT62F1G32DS-023 IT：b | 25.1400 | | 5420 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 表面マウント | 200-WFBGA | SDRAM- lpddr5 | 1.05V | 200-WFBGA （10x14.5 | - | 557-MT62F1G32D2DS-023IT：b | 1 | 4.266 GHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 1g x 32 | 平行 | - | ||||||||
 | MT40A2G8VA-062E：b | - | | 4454 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 78-TFBGA | MT40A2G8 | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 78-FBGA （10x11） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | ear99 | 8542.32.0036 | 1,140 | 1.6 GHz | 揮発性 | 16gbit | 19 ns | ドラム | 4g x 4 | 平行 | 15ns | |||
| MT53B512M64D4NH-062 WT ES：c | - | | 9552 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 272-WFBGA | MT53B512 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 272-WFBGA | - | 1 （無制限） | ear99 | 8542.32.0036 | 1 | 1.6 GHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 512m x 64 | - | - | |||||
| MT53E1536M32D4NQ-046 WT：B TR | - | | 2162 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | - | 557-MT53E1536M32D4NQ-046WT：BTR | 廃止 | 2,000 | ||||||||||||||||||||
| mtfc256gaxatea-wt | 27.5700 | | 8315 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | -25°C〜85°C | 表面マウント | 153-VFBGA | フラッシュ-nand（slc） | - | 153-VFBGA （11.5x13 | - | 557-MTFC256GAXATEA-WT | 1 | 不揮発性 | 2tbit | フラッシュ | 256g x 8 | 平行 | - | |||||||||
| MT28HL32GQBB3ERK-0GCT TR | 73.5000 | | 6084 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | MT28HL32 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | MT28HL32GQBB3ERK-0GCTTR | 0000.00.0000 | 1,000 | ||||||||||||||||
| mtfc16gapalht-aat | - | | 8882 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 前回購入します | -40°C〜105°C（Ta） | MTFC16 | フラッシュ -ナンド | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 557-MTFC16GAPALHT-AAT | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | MMC | - | ||||||
 | MT55L256V18P1T-10 | 3.1400 | | 69 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | ZBT® | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 100-lqfp | MT55L256V | sram- zbt | 3.135V〜3.6V | 100-TQFP（14x20.1 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 未定義のベンダー | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | 揮発性 | 4mbit | 5 ns | sram | 256k x 18 | 平行 | - | ||
| MT29F16G08888ABACAWP-AAT：C Tr | 33.8100 | | 995 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT29F16G08 | フラッシュ-nand（slc） | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 16gbit | 20 ns | フラッシュ | 2g x 8 | onfi | 20ns | |||
| MT29F1G08ABAEAWP-IT：e | 2.9400 | | 2 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT29F1G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | 不揮発性 | 1gbit | フラッシュ | 128m x 8 | 平行 | - | ||||
 | MT29F2T08EMHAFJ4-3ITFES：a | 77.9550 | | 9339 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 132-VBGA | MT29F2T08 | フラッシュ -ナンド | 2.5V〜3.6V | 132-VBGA（12x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 8542.32.0071 | 1,120 | 333 MHz | 不揮発性 | 2tbit | フラッシュ | 256g x 8 | 平行 | - | ||||
| MT29F4G08ABAFAWP-AATES：F | - | | 2692 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C （TC） | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT29F4G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | 不揮発性 | 4gbit | フラッシュ | 512m x 8 | 平行 | - | |||||
| MT40A1G16KD-062E IT：E TR | - | | 3338 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 96-TFBGA | MT40A1G16 | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 96-FBGA （9x13） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 557-MT40A1G16KD-062EIT：ETR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 1.6 GHz | 揮発性 | 16gbit | 19 ns | ドラム | 1g x 16 | 平行 | 15ns | ||
| MT29F128G08CBCEBJ4-37ITRES：e | - | | 6985 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 132-VBGA | MT29F128G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 132-VBGA（12x18） | - | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,120 | 267 MHz | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | 平行 | - | ||||
| MT60B1G16HT-48B AAT：a | 31.3050 | | 9032 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | 箱 | アクティブ | -40°C〜105°C | 表面マウント | 144-TFBGA | SDRAM -DDR5 | - | 144-FBGA （11x18.5 | - | 557-MT60B1G16HT-48BAAT：a | 1 | 2.4 GHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 1g x 16 | 平行 | - | ||||||||
 | MT25QL128ABB8E12-0AUT | 6.2700 | | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | 箱 | アクティブ | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 24-tbga | MT25QL128 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-T-PBGA | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | -MT25QL128ABB8E12-0AUT | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,122 | 133 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi | 8ms、2.8ms | ||
| mtfc128gasaqea-wt tr | - | | 8966 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | 557-MTFC128GASAQEA-WTTR | 1 |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
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