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メモリ（10402）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT29F64G08AJABAWP-IT：B TR | - |  | 1213 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | フラッシュ-nand（slc） | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | 557-MT29F64G08AJABAWP-IT：BTR | 廃止 | 1,000 | 不揮発性 | 64gbit | 16 ns | フラッシュ | 8g x 8 | onfi | 20ns | |||||||
 | RC28F128M29EWLA | - | | 1978年年 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 64-lbga | RC28F128 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA （11x13 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | -RC28F128M29EWLA | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,104 | 不揮発性 | 128mbit | 60 ns | フラッシュ | 16m x 8、8m x 16 | 平行 | 60ns | ||
 | MT29F4G16ABAFAH4-AIT：F | - | | 2680 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F4G16 | フラッシュ-nand（slc） | 2.7V〜3.6V | 63-VFBGA （9x11） | - | 1 （無制限） | 廃止 | 1,260 | 不揮発性 | 4gbit | フラッシュ | 256m x 16 | 平行 | - | |||||||
 | MT53D1024M32D4DT-046 AAT：e | - | | 4428 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | 廃止 | -40°C〜105°C （TC） | 表面マウント | 200-VFBGA | MT53D1024 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-VFBGA （10x14.5 | - | 1 （無制限） | ear99 | 8542.32.0036 | 1 | 2.133 GHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 1g x 32 | - | - | |||||
 | MT53E128M32D2DS-053 IT：a | 10.4200 | | 2532 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | アクティブ | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 200-WFBGA | MT53E128 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA （10x14.5 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 557-MT53E128M32D2DS-053IT：a | ear99 | 8542.32.0036 | 1,360 | 1.866 GHz | 揮発性 | 4gbit | ドラム | 128m x 32 | - | - | ||
| MT25QU01GBBB8E12E-0AUT TR | 19.8600 | | 1990年 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | 557-MT25QU01GBBB8E12E-0AUTTR | 2,500 | |||||||||||||||||||||
| mt38q40deb10dbdxau.y64 | 12.7200 | | 6219 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | mt38q40 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 1,360 | |||||||||||||||||
| MT53D768M32D2NP-046 WT：a | - | | 1875年 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 557-MT53D768M32D2NP-046WT：a | 廃止 | 1,360 | ||||||||||||||||||
| MT29F4T08GMLCEJ4-QM：C Tr | 78.1500 | | 1542 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | 557-MT29F4T08GMLCEJ4-QM：CTR | 2,000 | |||||||||||||||||||||
| mtfc256gaxathf-wt tr | 27.5700 | | 2030 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | 557-MTFC256GAXATHF-WTTR | 2,000 | |||||||||||||||||||||
 | MT46H64M32LFMA-6 wt：b | - | | 7407 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -25°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 168-wfbga | MT46H64M32 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 168-WFBGA（12x12） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 166 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 5 ns | ドラム | 64m x 32 | 平行 | 15ns | |||
| MT53E1G64D4HJ-046AAT：A TR | 63.1350 | | 9183 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | 557-MT53E1G64D4HJ-046AAT：ATR | 2,000 | |||||||||||||||||||||
| MT62F3G32D8DV-026 AAT：b | 94.8300 | | 3569 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | 箱 | アクティブ | -40°C〜105°C | - | - | SDRAM- lpddr5 | - | - | - | 557-MT62F3G32D8DV-026AAT：b | 1 | 3.2 GHz | 揮発性 | 96gbit | ドラム | 3g x 32 | 平行 | - | ||||||||
 | MT29F64G08TAAWP：TR | - | | 3091 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT29F64G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0051 | 1,000 | 不揮発性 | 64gbit | フラッシュ | 8g x 8 | 平行 | - | ||||
| N25Q064A13ESE40R01 TR | - | | 9418 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） | N25Q064A13 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-sop2 | - | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,500 | 108 MHz | 不揮発性 | 64mbit | フラッシュ | 16m x 4 | spi | 8ms、5ms | ||||
 | MT53E256M32D2FW-046 IT：B TR | 12.8100 | | 7773 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 200-TFBGA | SDRAM -MOBILE LPDDR4X | 1.06V〜1.17V | 200-TFBGA （10x14.5） | ダウンロード | 557-MT53E256M32D2FW-046IT：BTR | 2,000 | 2.133 GHz | 揮発性 | 8gbit | 3.5 ns | ドラム | 256m x 32 | 平行 | 18ns | |||||||
| MT29F512G08EBLKEB47T3WC1-F | 14.0300 | | 2499 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 557-MT29F512G08EBLKEB47T3WC1-F | 1 | |||||||||||||||||||||
 | MT53D512M64D4NW-053 WT ES：D | - | | 6706 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 432-VFBGA | MT53D512 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 432-VFBGA | - | 1 （無制限） | ear99 | 8542.32.0036 | 1,190 | 1.866 GHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 512m x 64 | - | - | |||||
 | MT29F2G01ABBGD12-AAT：G TR | 2.7665 | | 6447 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 24-tbga | MT29F2G01 | フラッシュ-nand（slc） | 1.7V〜1.95V | 24-T-PBGA | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 557-MT29F2G01ABBGD12-AAT：GTR | 8542.32.0071 | 2,000 | 83 MHz | 不揮発性 | 2Gbit | フラッシュ | 2g x 1 | spi | - | |||
 | MT53D512M32D2NP-046 AAT ES：D TR | - | | 8857 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C （TC） | 表面マウント | 200-WFBGA | MT53D512 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA （10x14.5 | - | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 2.133 GHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 512m x 32 | - | - | ||||
| MT62F1G64D4EK-023 FAAT：B TR | 63.8550 | | 5248 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C | 表面マウント | 441-TFBGA | SDRAM- lpddr5 | 1.05V | 441-TFBGA | - | 557-MT62F1G64D4EK-023FAAT：BTR | 2,000 | 2.133 GHz | 揮発性 | 64gbit | ドラム | 1g x 64 | 平行 | - | ||||||||
 | MT28EW01GABA1LPC-1SIT TR | - | | 2254 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 64-lbga | MT28EW01 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-lbga（11x13） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 不揮発性 | 1gbit | 95 ns | フラッシュ | 128m x 8、64m x 16 | 平行 | 60ns | ||||
 | MT57V1MH18AF-6 | 23.0000 | | 262 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 165-TBGA | sram-同期 | 2.4V〜2.6V | 165-FBGA | ダウンロード | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 167 MHz | 揮発性 | 18mbit | 3 ns | sram | 1m x 18 | HSTL | - | ||||||
 | MT58L32L32PT-6TR | 10.9700 | | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst™ | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 100-lqfp | sram-標準 | 3.135V〜3.6V | 100-TQFP（14x20.1 | ダウンロード | 適用できない | 3 （168 時間） | 未定義のベンダー | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 500 | 166 MHz | 揮発性 | 1mbit | 3.5 ns | sram | 32K x 32 | 平行 | - | |||
| MT53E1G32D2NP-053 RS WT：b | 18.6300 | | 8974 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 557-MT53E1G32D2NP-053RSWT：b | 1,360 | ||||||||||||||||||
 | NP5Q128A13ESFC0E | - | | 1361 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | OMN EO™ | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） | NP5Q128A | PCM （プラム） | 2.7V〜3.6V | 16-SO | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B | 8542.32.0051 | 1,440 | 66 MHz | 不揮発性 | 128mbit | 360 µs | PCM （プラム） | 16m x 8 | spi | 350µs | ||
| MT29F1G01ABAFDSF-IT：F Tr | - | | 4700 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） | MT29F1G01 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 16-SO | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 1gbit | フラッシュ | 1g x 1 | spi | - | ||||
 | JS28F128P30TF75A | - | | 2447 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | JS28F128P30 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 56-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 576 | 40 MHz | 不揮発性 | 128mbit | 75 ns | フラッシュ | 8m x 16 | 平行 | 75ns | ||
 | MT29F128G08AKCDBJ5-6：D TR | - | | 3630 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | - | MT29F128G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 132-TBGA（12x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,000 | 167 MHz | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | 平行 | - | ||||
| MT40A4G4NEA-062E：R | 21.7650 | | 7196 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 78-TFBGA | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 78-FBGA （7.5x11） | - | 557-MT40A4G4NEA-062E：R | 1 | 1.6 GHz | 揮発性 | 16gbit | 19 ns | ドラム | 4g x 4 | ポッド | 15ns |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
在庫倉庫
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