- 中国語
- 英語
- フランス語
- ドイツ語
- ポルトガル語
- スペイン語
- ロシア
- 日本語
- 韓国語
- アラビア語
- アイルランド
- ギリシャ語
- トルコ語
- イタリア語
- デンマーク語
- ルーマニア人
- インドネシア語
- チェコ
- アフリカーンス
- スウェーデン語
- 研磨
- バスク
- カタロニア
- エスペラント
- ヒンディー語
- ラオス
- アルバニア語
- アムハラ語
- アルメニア人
- アゼルバイジャン
- ベラルーシ人
- ベンガル語
- ボスニア人
- ブルガリア
- セブアノ
- チチェワ
- コルシカ人
- クロアチア語
- オランダ語
- エストニアン
- フィリピン
- フィンランド語
- フリジアン
- ガリシア語
- ジョージアン
- グジャラート語
- ハイチ人
- ハウサ
- ハワイアン
- ヘブライ語
- hmong
- ハンガリー
- アイスランド語
- イボ
- Javanese
- カンナダ
- カザフ
- クメール
- クルド
- キルギス
- ラテン
- ラトビアン
- リトアニアン
- ルクセンボウ..
- マケドニア語
- マラガシー
- マレー
- マラヤーラム語
- マルタ
- マオリ
- マラーティー
- モンゴル人
- ビルマ
- ネパール
- ノルウェー語
- パシュ
- ペルシャ語
- パンジャブ
- セルビア人
- セソト
- シンハラ
- スロバキア
- スロベニア人
- ソマリア
- サモアン
- スコットランドゲール語
- ショナ
- シンディ
- スンダネーゼ
- スワヒリ
- タジク
- タミル語
- テルグ語
- タイ
- ウクライナ人
- ウルドゥー語
- ウズベック
- ベトナム人
- ウェールズ
- xhosa
- イディッシュ語
- ヨルバ
- ズールー
- キニャルワンダ
- タタール
- オリヤ
- タークメン
- uyghur
メモリ（10402）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | EDBM432B3PB-1D-FD | - |  | 6305 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 168-VFBGA | EDBM432 | SDRAM-モバイルLPDDR2 | 1.14V〜1.95V | 168-FBGA（12x12） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,680 | 533 MHz | 揮発性 | 12gbit | ドラム | 384m x 32 | 平行 | - | ||||
| MT62F1G32D2DS-023 WT：B TR | 22.8450 | | 2715 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -25°C〜85°C | 表面マウント | 200-WFBGA | SDRAM- lpddr5 | 1.05V | 200-WFBGA （10x14.5 | - | 557-MT62F1G32D2DS-023WT：BTR | 2,000 | 3.2 GHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 1g x 32 | 平行 | - | ||||||||
| MT29F1T08EBLCEJ4-ES：C Tr | - | | 6510 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | 557-MT29F1T08EBLCEJ4-ES：CTR | 2,000 | |||||||||||||||||||||
 | MT29F1G16ABCHC-ET：c | - | | 8726 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F1G16 | フラッシュ -ナンド | 1.7V〜1.95V | 63-VFBGA（10.5x13） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 1gbit | フラッシュ | 64m x 16 | 平行 | - | ||||
| MT29C1G12MAACVAML -5 IT | - | | 1318 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 153-VFBGA | MT29C1G12 | フラッシュ-nand 、モバイルlpdram | 1.7V〜1.95V | 153-VFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 200 MHz | 不揮発性、揮発性 | 1gbit（nand | フラッシュ、ラム | 64m x 16 | 平行 | - | ||||
 | MT29F1G08ABAEAWP：e | 2.9000 | | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT29F1G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | 不揮発性 | 1gbit | フラッシュ | 128m x 8 | 平行 | - | ||||
| MT29FEN64GDKCAAXDQ-10：TR | - | | 4920 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | MT29FEN64 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | |||||||||||||||||
 | MT29F256G08CECABH6-6R：a | - | | 1270 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 152-VBGA | MT29F256G08 | フラッシュ-nand （mlc） | 2.7V〜3.6V | 152-VBGA（14x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 166 MHz | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | 平行 | - | ||||
| MT53D768M16D1Z3BMWC1 | 63.5400 | | 9249 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 557-MT53D768M16D1Z3BMWC1 | 1 | |||||||||||||||||||||
| mt29c8g96mazbadkd-5 it tr | - | | 4261 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 168-VFBGA | MT29C8G96 | フラッシュ-nand 、モバイルlpdram | 1.7V〜1.95V | 168-VFBGA（12x12） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 200 MHz | 不揮発性、揮発性 | 8gbit（nand | フラッシュ、ラム | 512M x 16 | 平行 | - | ||||
| mtfc32gamalam-wt tr | - | | 3935 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -25°C〜85°C（タタ | - | - | mtfc32g | フラッシュ -ナンド | - | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,000 | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | MMC | - | ||||
 | MT40A512M8SA-062E：g | - | | 5887 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 78-TFBGA | MT40A512M8 | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 78-FBGA （7.5x11） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 557-MT40A512M8SA-062E：g | 廃止 | 1,260 | 1.6 GHz | 揮発性 | 4gbit | 19 ns | ドラム | 512m x 8 | 平行 | 15ns | |||
| MT47H256M8EB-3：c | - | | 7023 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 60-TFBGA | MT47H256M8 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 60-FBGA （9x11.5 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,320 | 333 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 450 PS | ドラム | 256m x 8 | 平行 | 15ns | |||
 | MT46V128M8P-6T IT：a | - | | 4392 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | MT46V128M8 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 66-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 167 MHz | 揮発性 | 1gbit | 700 ps | ドラム | 128m x 8 | 平行 | 15ns | ||
 | mtfc16gjddq-4m it | - | | 9831 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 100-lbga | mtfc16g | フラッシュ -ナンド | 1.65v〜3.6V | 100-lbga（14x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | MMC | - | ||||
| MT29VZZZAD9FQKSM-046 W.12I | 59.7600 | | 7581 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 557-MT29VZZZAD9FQKSM-046W.12I | 1 | |||||||||||||||||||||
| MT52L512M64D4PQ-093 WT：b | - | | 4921 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 253-VFBGA | MT52L512 | SDRAM- lpddr3 | 1.2V | 253-VFBGA （11x11.5 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,890 | 1067 MHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 512m x 64 | - | - | |||
| MT42L128M64D2LL-25 WT：A TR | - | | 8891 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 216-WFBGA | MT42L128M64 | SDRAM-モバイルLPDDR2 | 1.14V〜1.3V | 216-FBGA（12x12） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 400 MHz | 揮発性 | 8gbit | ドラム | 128m x 64 | 平行 | - | |||
 | MT48LC64M4A2P-6A：G TR | - | | 2247 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | MT48LC64M4A2 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 167 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.4 ns | ドラム | 64m x 4 | 平行 | 12ns | ||
 | MT29C1G12MAADAFAMD-6 IT | - | | 6382 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 130-VFBGA | MT29C1G12 | フラッシュ-nand 、モバイルlpdram | 1.7V〜1.95V | 130-VFBGA （8x9） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 166 MHz | 不揮発性、揮発性 | 1gbit（nand | フラッシュ、ラム | 128m x 8 | 平行 | - | |||
| MT62F768M64D4EJ-031AAT：A TR | 102.7800 | | 7008 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | MT62F768 | - | 影響を受けていない | 557-MT62F768M64D4EJ-031AAT：ATR | 1,500 | |||||||||||||||||||
| MT41K2G4RKB-107：p | 24.1650 | | 9447 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Twindie™ | トレイ | アクティブ | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 78-TFBGA | MT41K2G4 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-FBGA （8x10.5 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,440 | 933 MHz | 揮発性 | 8gbit | 20 ns | ドラム | 2g x 4 | 平行 | 15ns | ||
| MT40A512M8RH-062E：b | - | | 8774 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 78-TFBGA | MT40A512M8 | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 78-FBGA （9x10.5 | - | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,260 | 1.6 GHz | 揮発性 | 4gbit | ドラム | 512m x 8 | 平行 | - | ||||
 | MT41K256M16TW-107 at：P Tr | - | | 4116 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 96-TFBGA | MT41K256M16 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-FBGA （8x14） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | MT41K256M16TW-107AT：PTR | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 933 MHz | 揮発性 | 4gbit | 20 ns | ドラム | 256m x 16 | 平行 | - | ||
| MT29VZZZBC9FQOPR-053 W ES.G9G | - | | 7858 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | 廃止 | mt29vzzzbc9 | - | 1 （無制限） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,140 | ||||||||||||||||||
 | RC28F256P33B85A | - | | 8547 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（TC） | 表面マウント | 64-TBGA | RC28F256 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 64-easybga | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 144 | 52 MHz | 不揮発性 | 256mbit | 85 ns | フラッシュ | 16m x 16 | 平行 | 85ns | ||
 | N25Q032A13ESE40F | - | | 9320 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） | N25Q032A13 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-sop2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,800 | 108 MHz | 不揮発性 | 32mbit | フラッシュ | 8m x 4 | spi | 8ms、5ms | ||||
| PC28F128J3F75A | 6.5000 | | 8 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash™ | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 64-TBGA | フラッシュ - （slc） | 2.7V〜3.6V | 64-easybga （10x13） | - | ROHS準拠 | 864 | 不揮発性 | 128mbit | 75 ns | フラッシュ | 8m x 16、16m x 8 | CFI | 75ns | ||||||||
| PF48F4400P0VBQEA | - | | 8567 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | axcell™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（TC） | 表面マウント | 88-TFBGA 、CSPBGA | 48F4400P0 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 88-scsp（ 8x11） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0051 | 172 | 52 MHz | 不揮発性 | 512mbit | 100 ns | フラッシュ | 32m x 16 | 平行 | 100ns | ||
 | JS28F064M29EWHA | - | | 6390 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | JS28F064M29 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 56-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 576 | 不揮発性 | 64mbit | 70 ns | フラッシュ | 8m x 8、4m x 16 | 平行 | 70ns |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
在庫倉庫
ウィッシュリスト（0アイテム）