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メモリ（10402）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT29F256G08CMCBBH2-10：b | - |  | 3831 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 100-TBGA | MT29F256G08 | フラッシュ-nand （mlc） | 2.7V〜3.6V | 100-tbga（12x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,120 | 100 MHz | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | 平行 | - | |||
 | MT44K64M18RB-093E：TR | 80.5650 | | 1885 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 168-TBGA | MT44K64M18 | rldram 3 | 1.28V〜1.42V | 168-BGA（13.5x13.5） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 1.066 GHz | 揮発性 | 1.125Gbit | 8 ns | ドラム | 64m x 18 | 平行 | - | ||
| M50FW080N5TG TR | - | | 5426 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -20°C〜85°C（Ta） | 表面マウント | 40-tfsop （0.724 "、18.40mm | M50FW080 | フラッシュ - | 3V〜3.6V | 40-tsop | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 1,500 | 33 MHz | 不揮発性 | 8mbit | 250 ns | フラッシュ | 1m x 8 | 平行 | - | ||
| mtfc128gaoanam-wt es tr | - | | 4711 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | MTFC128 | - | 1 （無制限） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,000 | ||||||||||||||||||
| MT29E1T08CUCCBH8-6：C TR | - | | 5356 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 152-lbga | MT29E1T08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 152-lbga | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 167 MHz | 不揮発性 | 1tbit | フラッシュ | 128g x 8 | 平行 | - | |||
 | MT29F256G08CKCDBJ5-6R：d | - | | 3863 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | - | MT29F256G08 | フラッシュ-nand （mlc） | 2.7V〜3.6V | 132-TBGA（12x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 167 MHz | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | 平行 | - | ||||
 | MT45V512KW16PEGA-55 WT TR | - | | 5921 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 48-VFBGA | MT45V512KW16 | psram（pseudo sram | 2.7V〜3.6V | 48-VFBGA （6x8） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 揮発性 | 8mbit | 55 ns | psram | 512K x 16 | 平行 | 55ns | |||
 | MT29F4G08ABCWC：C Tr | - | | 4782 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT29F4G08 | フラッシュ -ナンド | 1.7V〜1.95V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 4gbit | フラッシュ | 512m x 8 | 平行 | - | ||||
 | MT41K256M8DA-107 AAT：k | 5.5415 | | 2537 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | 箱 | アクティブ | -40°C〜105°C （TC） | 表面マウント | 78-TFBGA | MT41K256M8 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-FBGA （8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,260 | 933 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 256m x 8 | 平行 | - | ||
 | MT53D384M32D2DS-046AAT：C TR | - | | 8644 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜105°C （TC） | 表面マウント | 200-WFBGA | MT53D384 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA （10x14.5 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 2,000 | 2.133 GHz | 揮発性 | 12gbit | ドラム | 384m x 32 | - | - | ||||
| MT40A512M8RH-083EAAT：B TR | - | | 1546 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜105°C （TC） | 表面マウント | 78-TFBGA | MT40A512M8 | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 78-FBGA （9x10.5 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.2 GHz | 揮発性 | 4gbit | ドラム | 512m x 8 | 平行 | - | |||
| MT48H16M16LFBF-6：h | - | | 4622 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 54-VFBGA | MT48H16M16 | SDRAM- lPSDR | 1.7V〜1.95V | 54-VFBGA （8x9） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 166 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5 ns | ドラム | 16m x 16 | 平行 | 15ns | ||
| MT46H32M32LFCG-5 IT：A TR | - | | 5538 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 152-VFBGA | MT46H32M32 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 152-VFBGA（14x14） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 200 MHz | 揮発性 | 1gbit | 5 ns | ドラム | 32m x 32 | 平行 | 15ns | ||
| MT53E128M32D2DS-046 WT：a | 9.6800 | | 7519 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 200-WFBGA | MT53E128 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA （10x14.5 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | MT53E128M32D2DS-046WT：a | ear99 | 8542.32.0036 | 1,360 | 2.133 GHz | 揮発性 | 4gbit | ドラム | 128m x 32 | - | - | ||
| MT29F256G08CMCABH2-12：a | - | | 3713 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 100-TBGA | MT29F256G08 | フラッシュ-nand （mlc） | 2.7V〜3.6V | 100-tbga（12x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 83 MHz | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | 平行 | - | ||||
 | RC48F4400P0VB0EJ | - | | 4534 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | axcell™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（TC） | 表面マウント | 64-TBGA | RC48F4400 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 64-easybga | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | -RC48F4400P0VB0EJ | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 864 | 52 MHz | 不揮発性 | 512mbit | 100 ns | フラッシュ | 32m x 16 | 平行 | 100ns | |
 | MT53D1G64D8NZ-046 WT：E TR | 98.1150 | | 4375 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 376-WFBGA | MT53D1G64 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 376-WFBGA（14x14） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 2.133 GHz | 揮発性 | 64gbit | ドラム | 1g x 64 | - | - | |||
| MT48LC4M16A2B4-7E：J | - | | 4790 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 54-VFBGA | MT48LC4M16A2 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-VFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 133 MHz | 揮発性 | 64mbit | 5.4 ns | ドラム | 4m x 16 | 平行 | 14ns | ||
 | MT29F512G08CEHBBJ4-3R：B TR | - | | 3056 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 132-VBGA | MT29F512G08 | フラッシュ-nand （mlc） | 2.5V〜3.6V | 132-VBGA（12x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 333 MHz | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | 平行 | - | |||
 | mtfc128gazaqjp-it tr | 52.2300 | | 4295 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 153-VFBGA | MTFC128 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 153-VFBGA （11.5x13 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 557-MTFC128GAZAQJP-ITTR | 2,000 | 200 MHz | 不揮発性 | 1tbit | フラッシュ | 128g x 8 | EMMC | - | ||||
 | MT25QU512ABB8ESF-0AAT | 10.3400 | | 810 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） | MT25QU512 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 16-SO | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | -791-MT25QU512ABB8ESF-0AAT | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,440 | 133 MHz | 不揮発性 | 512mbit | フラッシュ | 64m x 8 | spi | 8ms、2.8ms | ||
| mtfc128gasaons-it tr | 60.9450 | | 6996 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | 557-MTFC128GASAONS-ITTR | 2,000 | |||||||||||||||||||||
| MT40A1G16TD-062EAAT：F | 27.8700 | | 4228 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | 箱 | アクティブ | -40°C〜105°C （TC） | - | - | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | - | - | 557-MT40A1G16TD-062EAAT：f | 1 | 1.6 GHz | 揮発性 | 16gbit | 19 ns | ドラム | 1g x 16 | ポッド | 15ns | |||||||
 | MT29F64G08CBCGBWP-B：g | - | | 1525 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT29F64G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | 不揮発性 | 64gbit | フラッシュ | 8g x 8 | 平行 | - | ||||
| MT29E4T08EYHBBG9-3：b | - | | 7622 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | - | - | MT29E4T08 | フラッシュ -ナンド | 2.5V〜3.6V | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 333 MHz | 不揮発性 | 4tbit | フラッシュ | 512g x 8 | 平行 | - | |||
| MT29F2G01ABAGDSF-AAT：g | - | | 7870 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜105°C （TC） | 表面マウント | 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） | MT29F2G01 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 16-SO | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,440 | 不揮発性 | 2Gbit | フラッシュ | 2g x 1 | spi | - | ||||
| MT62F2G64D8EK-023 WT ES：b | 90.4650 | | 5248 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | -25°C〜85°C | 表面マウント | 441-TFBGA | SDRAM- lpddr5 | 1.05V | 441-TFBGA | - | 557-MT62F2G64D8EK-023WTES：b | 1 | 4.266 GHz | 揮発性 | 128GBIT | ドラム | 2g x 64 | 平行 | - | ||||||||
| MT53B512M64D4NZ-062 WT ES：D TR | - | | 7352 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -30°C〜85°C （TC） | - | - | MT53B512 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | - | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 1.6 GHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 512m x 64 | - | - | ||||
| MT29F1T08EEHAFJ4-3ITF：TR | 37.2900 | | 1307 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 132-VBGA | MT29F1T08 | フラッシュ -ナンド | 2.5V〜3.6V | 132-VBGA（12x18） | - | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 557-MT29F1T08EEHAFJ4-3ITF：ATR | 2,000 | 333 MHz | 不揮発性 | 1tbit | フラッシュ | 128g x 8 | 平行 | - | |||||
| MT53D1536M32D4NQ-046 WT：a | - | | 7693 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 557-MT53D1536M32D4NQ-046WT：a | 廃止 | 1,360 |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
在庫倉庫
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