SIC
close

メモリ（10402）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MT29F1G01ABAFDWB-IT:F TR Micron Technology Inc. mt29f1g01abafdwb-it：f tr 3.1800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-udfn MT29F1G01 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 8-updfn - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 不揮発性 1gbit フラッシュ 1g x 1 spi -
MT29F256G08CJABBWP-12:B Micron Technology Inc. MT29F256G08CJABBWP-12：b -
RFQ
 ECAD 2026 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F256G08 フラッシュ-nand （mlc） 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 960 83 MHz 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 平行 -
MT41J64M16TW-093:J TR Micron Technology Inc. MT41J64M16TW-093：J TR -
RFQ
 ECAD 1336 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-TFBGA MT41J64M16 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-FBGA （8x14） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 2,000 1.066 GHz 揮発性 1gbit ドラム 64m x 16 平行 -
MT47H128M8BT-5E:A Micron Technology Inc. MT47H128M8BT-5E：a -
RFQ
 ECAD 9559 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 sicで中止されました 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 92-TFBGA MT47H128M8 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 92-FBGA （11x19） ダウンロード ROHS3準拠 5 （48 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,000 200 MHz 揮発性 1gbit 600 PS ドラム 128m x 8 平行 15ns
MT48LC4M16A2TG-75 L:G TR Micron Technology Inc. MT48LC4M16A2TG-75 L：G TR -
RFQ
 ECAD 7913 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC4M16A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 揮発性 64mbit 5.4 ns ドラム 4m x 16 平行 15ns
MT53E1G64D4SQ-046 AAT:A Micron Technology Inc. MT53E1G64D4SQ-046AAT：a -
RFQ
 ECAD 7094 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ 廃止 -40°C〜105°C （TC） MT53E1G64 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - ROHS3準拠 3 （168 時間） MT53E1G64D4SQ-046AAT：a 廃止 0000.00.0000 1,360 2.133 GHz 揮発性 64gbit ドラム 1g x 64 - -
MT29F32G08ABAAAWP-ITZ:A TR Micron Technology Inc. MT29F32G08ABAAAWP-ITZ：TR 38.7300
RFQ
 ECAD 9683 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F32G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 32gbit フラッシュ 4g x 8 平行 -
MT53B1536M32D8QD-053 WT ES:D TR Micron Technology Inc. MT53B1536M32D8QD-053 WT ES：D TR -
RFQ
 ECAD 9269 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C （TC） - - MT53B1536 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - - 1 （無制限） ear99 8542.32.0036 2,000 1.866 GHz 揮発性 6gbit ドラム 1.5GX 32 - -
MT53D512M32D2NP-046 WT:E Micron Technology Inc. MT53D512M32D2NP-046 WT：e -
RFQ
 ECAD 6085 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 200-WFBGA MT53D512 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 1,360 2.133 GHz 揮発性 16gbit ドラム 512m x 32 - -
MT29F512G08EBLCEJ4-R:C TR Micron Technology Inc. MT29F512G08EBLCEJ4-R：C Tr -
RFQ
 ECAD 4651 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 132-VBGA MT29F512G08 フラッシュ-Nand （TLC） 2.6V〜3.6V 132-VBGA（12x18） - 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MT29F512G08EBLCEJ4-R：CTR 廃止 8542.32.0071 2,000 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 平行 -
MT29F4G08ABBDAH4:D TR Micron Technology Inc. MT29F4G08ABBDAH4：D TR 5.6000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 63-VFBGA MT29F4G08 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 4gbit フラッシュ 512m x 8 平行 -
MT35XU01GBBA1G12-0AAT TR Micron Technology Inc. MT35XU01GBBA1G12-0AAT TR -
RFQ
 ECAD 7372 0.00000000 Micron Technology Inc. Xccela™-MT35X テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C 表面マウント 24-tbga mt35xu01 フラッシュ - 1.7V〜2V 24-T-PBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 200 MHz 不揮発性 1gbit フラッシュ 128m x 8 xccelaバス -
MT46V32M16TG-5B:J TR Micron Technology Inc. MT46V32M16TG-5B：J TR -
RFQ
 ECAD 4425 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT46V32M16 SDRAM -DDR 2.5V〜2.7V 66-tsop ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0024 1,000 200 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 32m x 16 平行 15ns
MT58V512V32FT-7.5 Micron Technology Inc. MT58V512V32FT-7.5 18.7900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst™ バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp sram-標準 2.375V〜2.625V 100-TQFP（14x20.1 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1 揮発性 18mbit sram 512K x 32 平行 -
MT46V128M4TG-75:D Micron Technology Inc. MT46V128M4TG-75：d -
RFQ
 ECAD 9836 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT46V128M4 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-tsop - ROHS非準拠 4 （72 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 揮発性 512mbit 750 PS ドラム 128m x 4 平行 15ns
MT53B384M32D2DS-062 AIT:B TR Micron Technology Inc. MT53B384M32D2DS-062 AIT：B TR -
RFQ
 ECAD 1305 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 200-WFBGA MT53B384 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 1.6 GHz 揮発性 12gbit ドラム 384m x 32 - -
MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80D Micron Technology Inc. MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80D -
RFQ
 ECAD 9010 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -25°C〜85°C（タタ - - MT29RZ4C8 フラッシュ-nand、dram -lpddr2 1.8V - - 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 980 533 MHz 不揮発性、揮発性 4gbit （nand ）、4gbit （lpddr2） フラッシュ、ラム 256M x 16 平行 -
MT25QU01GBBB8E12-0AAT Micron Technology Inc. MT25QU01GBBB8E12-0AAT 21.4400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 バルク アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 24-tbga MT25QU01 フラッシュ - 1.7V〜2V 24-T-PBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 133 MHz 不揮発性 1gbit フラッシュ 128m x 8 spi 8ms、2.8ms
MTFC32GJVED-WT Micron Technology Inc. mtfc32gjved-wt -
RFQ
 ECAD 1404 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ トレイ 廃止 -25°C〜85°C（タタ 表面マウント 169-VFBGA mtfc32g フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 169-VFBGA（14x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 MMC -
MT25QU128ABA8ESF-0SIT Micron Technology Inc. MT25QU128ABA8ESF-0SIT 4.4800
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） MT25QU128 フラッシュ - 1.7V〜2V 16-SO ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,440 133 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi 8ms、2.8ms
MT35XU512ABA2G12-0AUT TR Micron Technology Inc. MT35XU512ABA2G12-0AUT TR -
RFQ
 ECAD 9829 0.00000000 Micron Technology Inc. Xccela™-MT35X テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 24-tbga mt35xu512 フラッシュ - 1.7V〜2V 24-T-PBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 200 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 64m x 8 xccelaバス -
MT46V16M16CY-5B AIT:M TR Micron Technology Inc. MT46V16M16CY-5B AIT：M TR -
RFQ
 ECAD 2976 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 60-TFBGA MT46V16M16 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 60-FBGA （8x12.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 200 MHz 揮発性 256mbit 700 ps ドラム 16m x 16 平行 15ns
EMB4432BBBBJ-DV-F-D Micron Technology Inc. emb432bbbbj-dv-fd -
RFQ
 ECAD 7586 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク アクティブ EMB4432 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 0000.00.0000 2,100
MT29F128G08CECDBJ4-6R:D TR Micron Technology Inc. MT29F128G08CECDBJ4-6R：D TR -
RFQ
 ECAD 5317 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 132-VBGA MT29F128G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 132-VBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 166 MHz 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 平行 -
MT29C2G24MAAAAHAMD-5 IT TR Micron Technology Inc. MT29C2G24MAAAAHAMD-5 IT TR -
RFQ
 ECAD 8040 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 130-VFBGA MT29C2G24 フラッシュ-nand 、モバイルlpdram 1.7V〜1.95V 130-VFBGA （8x9） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200 MHz 不揮発性、揮発性 2GBIT （NAND）、1GBIT （LPDRAM） フラッシュ、ラム 256m x 8 平行 -
MT49H16M18FM-25 IT:B Micron Technology Inc. MT49H16M18FM-25 IT：b -
RFQ
 ECAD 2830 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 144-TFBGA MT49H16M18 ドラム 1.7V〜1.9V 144-µbga（18.5x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0028 1,000 400 MHz 揮発性 288mbit 20 ns ドラム 16m x 18 平行 -
MTFC128GAPALNA-AIT ES Micron Technology Inc. mtfc128gapalna-ait es -
RFQ
 ECAD 8710 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 廃止 MTFC128 - 1 （無制限） 廃止 0000.00.0000 980
M45PE40S-VMP6G Micron Technology Inc. M45PE40S-VMP6G -
RFQ
 ECAD 9926 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-vdfn露出パッド M45PE40 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-VFQFPN （6x5） - ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0071 490 75 MHz 不揮発性 4mbit フラッシュ 512k x 8 spi 15ms、3ms
MT28EW256ABA1HPC-0SIT Micron Technology Inc. MT28EW256ABA1HPC-0SIT 9.0300
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-lbga MT28EW256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-lbga（11x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,104 不揮発性 256mbit 75 ns フラッシュ 32m x 8、16m x 16 平行 60ns
MT40A256M16GE-083E AUT:B TR Micron Technology Inc. MT40A256M16GE-083E AUT：B TR -
RFQ
 ECAD 3313 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜125°C 表面マウント 96-TFBGA MT40A256M16 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 96-FBGA （9x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 1.2 GHz 揮発性 4gbit ドラム 256m x 16 平行 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

RFQリスト（0アイテム）
カートリスト（0アイテム）
Wishlistウィッシュリスト（0アイテム）
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

リストを比較する（0アイテム）
Enterを押して検索するか、ESCを閉じます