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メモリ（10402）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MT53D4DBBP-DC TR Micron Technology Inc. mt53d4dbbbbp-dc tr -
RFQ
 ECAD 8427 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました - - mt53d4 SDRAM-モバイルLPDDR4 - - 影響を受けていない 0000.00.0000 2,000 揮発性 ドラム
MT28EW512ABA1HPN-0SIT TR Micron Technology Inc. MT28EW512ABA1HPN-0SIT TR -
RFQ
 ECAD 6321 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-VFBGA MT28EW512 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 56-VFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） MT28EW512ABA1HPN-0SITTR 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 不揮発性 512mbit 95 ns フラッシュ 64m x 8、32m x 16 平行 60ns
MT29F1G01ABBFD12-AAT:F TR Micron Technology Inc. MT29F1G01ABBFD12-AAT：F Tr 2.9665
RFQ
 ECAD 3763 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 24-tbga MT29F1G01 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 24-T-PBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない MT29F1G01ABBFD12-AAT：FTR 8542.32.0071 2,000 不揮発性 1gbit フラッシュ 1g x 1 spi -
M29F400BT70M1 Micron Technology Inc. M29F400BT70M1 -
RFQ
 ECAD 8944 0.00000000 Micron Technology Inc. - チューブ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 44-SOIC （0.496 "、12.60mm 幅） M29F400 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 44-SO - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 16 不揮発性 4mbit 70 ns フラッシュ 512K x 8、256K x 16 平行 70ns
MT53E1G32D2FW-046 AAT:A Micron Technology Inc. MT53E1G32D2FW-046AAT：a 32.8500
RFQ
 ECAD 1545 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 箱 アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 200-TFBGA SDRAM -MOBILE LPDDR4X 1.06V〜1.17V 200-TFBGA （10x14.5） ダウンロード 557-MT53E1G32D2FW-046AAT：a 1 2.133 GHz 揮発性 32gbit ドラム 1g x 32 平行 18ns
M29W400BT90N1 Micron Technology Inc. M29W400BT90N1 -
RFQ
 ECAD 9610 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） M29W400 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-tsop - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 96 不揮発性 4mbit 90 ns フラッシュ 512K x 8、256K x 16 平行 90ns
MT48H4M16LFB4-8:H TR Micron Technology Inc. MT48H4M16LFB4-8：H TR -
RFQ
 ECAD 6716 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-VFBGA MT48H4M16 SDRAM- lPSDR 1.7V〜1.9V 54-VFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 125 MHz 揮発性 64mbit 6 ns ドラム 4m x 16 平行 15ns
MT53E512M32D1ZW-046 IT:B Micron Technology Inc. MT53E512M32D1ZW-046 IT：b 14.6250
RFQ
 ECAD 8386 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 200-TFBGA MT53E512 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.06V〜1.17V 200-TFBGA （10x14.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MT53E512M32D1ZW-046IT：b 1,360 2.133 GHz 揮発性 16gbit 3.5 ns ドラム 512m x 32 平行 18ns
MT25QU256ABA8E12-0AUT Micron Technology Inc. MT25QU256ABA8E12-0AUT 8.2300
RFQ
 ECAD 7361 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 24-tbga MT25QU256 フラッシュ - 1.7V〜2V 24-T-PBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 166 MHz 不揮発性 256mbit 5 ns フラッシュ 32m x 8 spi -quad i/o 1.8ms
MT51J256M32HF-70:A Micron Technology Inc. MT51J256M32HF-70：a -
RFQ
 ECAD 5570 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 170-TFBGA MT51J256 sgram -gddr5 1.31V〜1.39V、1.46V〜1.55V 170-FBGA（12x14） ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1,260 1.75 GHz 揮発性 8gbit ラム 256m x 32 平行 -
M29W800DT45ZE6F TR Micron Technology Inc. M29W800DT45ZE6F TR -
RFQ
 ECAD 9358 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFBGA M29W800 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0071 2,500 不揮発性 8mbit 45 ns フラッシュ 1M x 8、512K x 16 平行 45ns
MT29F2T08GELBEJ4:B TR Micron Technology Inc. MT29F2T08GELBEJ4：B TR -
RFQ
 ECAD 1922年年 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 132-VBGA MT29F2T08 フラッシュ-Nand （TLC） 2.7V〜3.6V 132-VBGA（12x18） - 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MT29F2T08GELBEJ4：BTR 廃止 2,000 不揮発性 2tbit フラッシュ 256g x 8 平行 -
MT46H32M16LFBF-5 AIT:C TR Micron Technology Inc. MT46H32M16LFBF-5 AIT：C Tr 6.7800
RFQ
 ECAD 575 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 60-VFBGA MT46H32M16 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 60-VFBGA （8x9） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 200 MHz 揮発性 512mbit 5 ns ドラム 32m x 16 平行 15ns
MT53E128M32D2DS-053 IT:A TR Micron Technology Inc. MT53E128M32D2DS-053 IT：A TR 7.2300
RFQ
 ECAD 3509 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 200-WFBGA MT53E128 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MT53E128M32D2DS-053IT：ATR 2,000 1.866 GHz 揮発性 4gbit ドラム 128m x 32 - -
MT29F128G08AMCABH2-10:A Micron Technology Inc. MT29F128G08AMCABH2-10：a -
RFQ
 ECAD 4533 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-TBGA MT29F128G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 100-tbga（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100 MHz 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 平行 -
MT25QU128ABB8ESF-0AUT TR Micron Technology Inc. MT25QU128ABB8ESF-0AUT TR -
RFQ
 ECAD 8883 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） MT25QU128 フラッシュ - 1.7V〜2V 16-sop2 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 133 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi 8ms、2.8ms
MT29F128G08CFAAAWP:A Micron Technology Inc. MT29F128G08CFAAAWP：a -
RFQ
 ECAD 1524 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F128G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 平行 -
MT53E2DDDS-DC Micron Technology Inc. MT53E2DDDS-DC 22.5000
RFQ
 ECAD 7291 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク アクティブ mt53e2 - 影響を受けていない 557-MT53E2DDDS-DC 1,360
M29W640GT7AN6E Micron Technology Inc. M29W640GT7AN6E -
RFQ
 ECAD 6502 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） M29W640 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 96 不揮発性 64mbit 70 ns フラッシュ 8m x 8、4m x 16 平行 70ns
MT62F2G64D8EK-023 FAAT:B Micron Technology Inc. MT62F2G64D8EK-023 FAAT：b 126.4350
RFQ
 ECAD 6573 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ - 557-MT62F2G64D8EK-023FAAT：b 1
MT29F1T08EELEEJ4-QC:E TR Micron Technology Inc. MT29F1T08EELEEJ4-QC：E Tr 26.4750
RFQ
 ECAD 3563 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ - 557-MT29F1T08EELEEJ4-QC：ETR 2,000
MT53D1G64D8SQ-046 WT:E TR Micron Technology Inc. MT53D1G64D8S​​ Q-046 WT：E TR -
RFQ
 ECAD 9337 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 mt53d1 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 557-MT53D1G64D8S​​ Q-046WT：ETR 廃止 2,000
MT40A1G16TD-062E AUT:F TR Micron Technology Inc. MT40A1G16TD-062E AUT：F TR 22.8450
RFQ
 ECAD 3545 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C - - SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V - - 557-MT40A1G16TD-062EAUT：FTR 2,000 1.6 GHz 揮発性 16gbit 19 ns ドラム 1g x 16 平行 15ns
RC28F512M29EWLA Micron Technology Inc. RC28F512M29EWLA -
RFQ
 ECAD 2971 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-lbga RC28F512 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-FBGA （11x13 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,104 不揮発性 512mbit 100 ns フラッシュ 64m x 8、32m x 16 平行 100ns
M28W320HSU70ZA6F TR Micron Technology Inc. M28W320HSU70ZA6F TR -
RFQ
 ECAD 9466 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-TFBGA M28W320 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-TFBGA（10.5x6.39） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 不揮発性 32mbit 70 ns フラッシュ 2m x 16 平行 70ns
MTFC8GACAANA-4M IT TR Micron Technology Inc. mtfc8gacaana-4m it tr -
RFQ
 ECAD 5998 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-TBGA mtfc8 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.3V 100-TBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） mtfc8gacaana-4mittr 廃止 1,000 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 MMC -
MT25QL256ABA8E12-1SIT TR Micron Technology Inc. MT25QL256ABA8E12-1SIT TR 6.2400
RFQ
 ECAD 8980 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga MT25QL256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-T-PBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 133 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 32m x 8 spi 8ms、2.8ms
MT48LC4M16A2F4-75:G TR Micron Technology Inc. MT48LC4M16A2FF4-75：G TR -
RFQ
 ECAD 6098 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-VFBGA MT48LC4M16A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-VFBGA ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0002 1,000 133 MHz 揮発性 64mbit 5.4 ns ドラム 4m x 16 平行 15ns
MT53E512M32D1ZW-046 AAT:B Micron Technology Inc. MT53E512M32D1ZW-046AAT：b 17.7000
RFQ
 ECAD 1426 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 箱 アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 200-TFBGA SDRAM -MOBILE LPDDR4X 1.06V〜1.17V 200-TFBGA （10x14.5） - 557-MT53E512M32D1ZW-046AAT：b 1 2.133 GHz 揮発性 16gbit 3.5 ns ドラム 512m x 32 平行 18ns
MT53B384M32D2DS-062 XT:B Micron Technology Inc. MT53B384M32D2DS-062 XT：b -
RFQ
 ECAD 9734 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜105°C（TC） 表面マウント 200-WFBGA MT53B384 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,360 1.6 GHz 揮発性 12gbit ドラム 384m x 32 - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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