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メモリ（10402）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MT29F4T08EMLCHD4-M:C Micron Technology Inc. MT29F4T08EMLCHD4-M：c 83.9100
RFQ
 ECAD 9550 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ - 557-MT29F4T08EMLCHD4-M：c 1
MT46H16M32LFCM-6 TR Micron Technology Inc. MT46H16M32LFCM-6 TR -
RFQ
 ECAD 5128 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 90-VFBGA MT46H16M32 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 90-VFBGA （10x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 166 MHz 揮発性 512mbit 5 ns ドラム 16m x 32 平行 15ns
MT58V512V36FT-7.5 Micron Technology Inc. MT58V512V36FT-7.5 18.7900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst™ バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp sram-標準 2.375V〜2.625V 100-TQFP（14x20.1 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1 揮発性 18mbit sram 512K x 36 平行 -
MTFC128GASAQJP-AIT TR Micron Technology Inc. mtfc128gasaqjp-ait tr 51.9900
RFQ
 ECAD 7683 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 153-VFBGA MTFC128 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 153-VFBGA （11.5x13 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MTFC128GASAQJP-AITTR 2,000 200 MHz 不揮発性 1tbit フラッシュ 128g x 8 EMMC -
N25Q128A13E1241F TR Micron Technology Inc. N25Q128A13E1241F TR -
RFQ
 ECAD 3917 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga N25Q128A13 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-T-PBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 108 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 32m x 4 spi 8ms、5ms
MT61K512M32KPA-16:C TR Micron Technology Inc. MT61K512M32KPA-16：C Tr 19.4100
RFQ
 ECAD 9461 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 180-tfbga sgram -gddr6 1.3095V〜1.3905V 180-FBGA（12x14） - 557-MT61K512M32KPA-16：CTR 2,000 8 GHz 揮発性 16gbit ドラム 512m x 32 pod_135 -
MT29RZ4C4DZZMGGM-18W.80C Micron Technology Inc. MT29RZ4C4DZZMGGM-18W.80C -
RFQ
 ECAD 1789 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -25°C〜85°C（タタ - - MT29RZ4C4 フラッシュ-nand、dram -lpddr2 1.8V - - 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 980 533 MHz 不揮発性、揮発性 4gbit （nand ）、4gbit （lpddr2） フラッシュ、ラム 256M x 16 平行 -
MT53D384M32D2DS-053 AAT ES:E Micron Technology Inc. MT53D384M32D2DS-053 AAT ES：e -
RFQ
 ECAD 8366 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 200-WFBGA MT53D384 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,360 1.866 GHz 揮発性 12gbit ドラム 384m x 32 - -
MT47H64M8CF-25E AIT:G TR Micron Technology Inc. MT47H64M8CF-25E AIT：G TR -
RFQ
 ECAD 7168 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 60-TFBGA MT47H64M8 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-fbga （8x10） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 400 MHz 揮発性 512mbit 400 PS ドラム 64m x 8 平行 15ns
MT61K512M32KPA-16:B Micron Technology Inc. MT61K512M32KPA-16：b 26.2200
RFQ
 ECAD 3815 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 180-tfbga MT61K512 sgram -gddr6 1.31V〜1.391V 180-FBGA（12x14） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,260 8 GHz 揮発性 16gbit ドラム 512m x 32 平行 -
MT29F1T08EEHBFJ4-R:B TR Micron Technology Inc. MT29F1T08EEHBFJ4-R：B TR -
RFQ
 ECAD 5266 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 132-VBGA MT29F1T08 フラッシュ-Nand （TLC） 1.7V〜1.95V 132-VBGA（12x18） - 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MT29F1T08EEHBFJ4-R：BTR 廃止 8542.32.0071 1,000 不揮発性 1tbit フラッシュ 128g x 8 平行 -
MT40A1G4SA-062E:F Micron Technology Inc. MT40A1G4SA-062E：F -
RFQ
 ECAD 8361 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA MT40A1G4 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 78-FBGA （7.5x11） - 3 （168 時間） 557-MT40A1G4SA-062E：F 廃止 100 1.6 GHz 揮発性 4gbit 19 ns ドラム 1g x 4 平行 15ns
MT29GZ5A3BPGGA-53AIT.87K TR Micron Technology Inc. MT29GZ5A3BPGGA-53AIT.87K TR 11.1900
RFQ
 ECAD 3929 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ MT29GZ5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない MT29GZ5A3BPGGA-53AIT.87KTR 0000.00.0000 2,000
M29W256GH70ZS3F TR Micron Technology Inc. M29W256GH70ZS3F TR -
RFQ
 ECAD 8993 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜125°C（タタ - - M29W256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1,800 不揮発性 256mbit 70 ns フラッシュ 32m x 8、16m x 16 平行 70ns
M29F160FT55N3E2 Micron Technology Inc. M29F160FT55N3E2 -
RFQ
 ECAD 7491 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） M29F160 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 48-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 96 不揮発性 16mbit 55 ns フラッシュ 2m x 8、1m x 16 平行 55ns
MT53B512M64D4TX-053 WT:C TR Micron Technology Inc. MT53B512M64D4TX-053 WT：C TR -
RFQ
 ECAD 8717 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C （TC） - - MT53B512 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 1.866 GHz 揮発性 32gbit ドラム 512m x 64 - -
MTC20C2085S1EC48BAZ Micron Technology Inc. MTC20C2085S1EC48BAZ 290.8500
RFQ
 ECAD 2876 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ - 557-MTC20C2085S1EC48BAZ 1
MT53E128M32D2FW-046 AIT:A TR Micron Technology Inc. MT53E128M32D2FW-046AIT：A TR 7.9500
RFQ
 ECAD 4748 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ - 557-MT53E128M32D2FW-046AIT：ATR 2,000
MT53E1G64D4SQ-046 WT:A TR Micron Technology Inc. MT53E1G64D4SQ-046 WT：A TR -
RFQ
 ECAD 1707 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C （TC） MT53E1G64 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - ROHS3準拠 3 （168 時間） MT53E1G64D4SQ-046WT：ATR 廃止 0000.00.0000 2,000 2.133 GHz 揮発性 64gbit ドラム 1g x 64 - -
MT53B384M32D2NP-053 WT:B TR Micron Technology Inc. MT53B384M32D2NP-053 WT：B TR -
RFQ
 ECAD 3808 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 200-WFBGA MT53B384 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 1.866 GHz 揮発性 12gbit ドラム 384m x 32 - -
MT46V64M8CY-5B IT:J TR Micron Technology Inc. MT46V64M8CY-5B IT：J TR -
RFQ
 ECAD 1289 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 60-TFBGA mt46v64m8 SDRAM -DDR 2.5V〜2.7V 60-FBGA （8x12.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 200 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 64m x 8 平行 15ns
MT29F2G08ABBEAHC-AIT:E TR Micron Technology Inc. MT29F2G08888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888」 -
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 ECAD 1882年年 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA MT29F2G08 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 63-VFBGA（10.5x13） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 2Gbit フラッシュ 256m x 8 平行 -
MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E Micron Technology Inc. MT29F1G08ABAEAH4-AATX：e 2.6952
RFQ
 ECAD 5559 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 63-VFBGA MT29F1G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 63-VFBGA （9x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 不揮発性 1gbit フラッシュ 128m x 8 平行 -
NAND256W3A0BE06 Micron Technology Inc. NAND256W3A0BE06 -
RFQ
 ECAD 3517 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） NAND256 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 256mbit 50 ns フラッシュ 32m x 8 平行 50ns
MT46H16M32LFB5-6 IT:C TR Micron Technology Inc. MT46H16M32LFB5-6 IT：C Tr -
RFQ
 ECAD 3010 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 90-VFBGA MT46H16M32 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 90-VFBGA （8x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 166 MHz 揮発性 512mbit 5 ns ドラム 16m x 32 平行 15ns
MTFC32GAPALNA-AIT Micron Technology Inc. mtfc32gapalna-ait -
RFQ
 ECAD 3175 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ トレイ 前回購入します -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-TBGA mtfc32g フラッシュ -ナンド - 100-TBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 980 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 MMC -
MT29F64G08CECCBH1-12:C TR Micron Technology Inc. MT29F64G08CECCBH1-12：C Tr -
RFQ
 ECAD 8461 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-VBGA MT29F64G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 100-VBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83 MHz 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 平行 -
MT55L256L18F1T-12TR Micron Technology Inc. MT55L256L18F1T-12TR 4.4300
RFQ
 ECAD 51 0.00000000 Micron Technology Inc. ZBT® バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp SRAM -ZBT 3.135V〜3.465V 100-TQFP（14x20.1 ダウンロード 適用できない 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1 83 MHz 揮発性 4mbit 9 ns sram 256k x 18 平行 -
MT46H8M32LFB5-10 IT:A TR Micron Technology Inc. MT46H8M32LFB5-10 IT：A TR -
RFQ
 ECAD 3376 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 90-VFBGA MT46H8M32 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 90-VFBGA （8x13 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 104 MHz 揮発性 256mbit 7 ns ドラム 8m x 32 平行 15ns
RC28F128J3F95D Micron Technology Inc. RC28F128J3F95D -
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 ECAD 2778 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-TBGA RC28F128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-easybga （10x13） - ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 864 不揮発性 128mbit 95 ns フラッシュ 16m x 8、8m x 16 平行 95ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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