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メモリ（10402）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MT53D384M32D2DS-053 AUT:E Micron Technology Inc. MT53D384M32D2DS-053自動：e -
RFQ
 ECAD 5107 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 200-WFBGA MT53D384 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,360 1.866 GHz 揮発性 12gbit ドラム 384m x 32 - -
MT29F1T08CQCCBG2-6R:C Micron Technology Inc. MT29F1T08CQCCBG2-6R：c -
RFQ
 ECAD 1018 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 272-LFBGA MT29F1T08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 272-lfbga - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 980 167 MHz 不揮発性 1tbit フラッシュ 128g x 8 平行 -
MT55V512V32FT-8.8 Micron Technology Inc. MT55V512V32FT-8.8 17.3600
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 ECAD 206 0.00000000 Micron Technology Inc. ZBT® バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp MT55V512V sram- zbt 3.135V〜3.465V 100-TQFP（14x20.1 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1 113 MHz 揮発性 18mbit 6.5 ns sram 512K x 32 平行 -
MTFC8GLWDM-AIT A Micron Technology Inc. mtfc8glwdm-ait a -
RFQ
 ECAD 7180 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 153-TFBGA mtfc8 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 153-TFBGA （11.5x13 - ROHS3準拠 3 （168 時間） mtfc8glwdm-aita 廃止 8542.32.0071 1,360 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 MMC -
MT53E512M32D2FW-046 WT:D Micron Technology Inc. MT53E512M32D2FW-046 WT：d -
RFQ
 ECAD 4749 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 廃止 - 557-MT53E512M32D2FW-046WT：D 廃止 1
MT29F4T08EMLCHD4-R:C TR Micron Technology Inc. MT29F4T08EMLCHD4-R：C Tr 83.9100
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 ECAD 7038 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ - 557-MT29F4T08EMLCHD4-R：CTR 2,000
MT53B256M64D2NV-062 XT:C TR Micron Technology Inc. MT53B256M64D2NV-062 XT：C TR -
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 ECAD 9735 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -30°C〜105°C（TC） - - MT53B256 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 1.6 GHz 揮発性 16gbit ドラム 256m x 64 - -
MT40A256M16LY-062E AIT:F Micron Technology Inc. MT40A256M16LY-062E AIT：F 11.8350
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 ECAD 4701 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 バルク アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA MT40A256M16 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 96-FBGA （7.5x13.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない MT40A256M16LY-062EAIT：F ear99 8542.32.0036 1,080 1.6 GHz 揮発性 4gbit 19 ns ドラム 256m x 16 平行 15ns
MT62F1G64D4EK-023 FAAT:C Micron Technology Inc. MT62F1G64D4EK-023 FAAT：c 94.8900
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 ECAD 8366 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 箱 アクティブ -40°C〜105°C 表面マウント 441-TFBGA SDRAM- lpddr5 1.05V 441-TFBGA - 557-MT62F1G64D4EK-023FAAT：c 1 2.133 GHz 揮発性 64gbit ドラム 1g x 64 平行 -
MT53E1G32D2FW-046 IT:B TR Micron Technology Inc. MT53E1G32D2FW-046 IT：B TR 28.7250
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 ECAD 3020 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 200-TFBGA SDRAM -MOBILE LPDDR4X 1.06V〜1.17V 200-TFBGA （10x14.5） - 557-MT53E1G32D2FW-046IT：Btr 2,000 2.133 GHz 揮発性 32gbit 3.5 ns ドラム 1g x 32 平行 18ns
MT53E1G32D2FW-046 AIT:B TR Micron Technology Inc. MT53E1G32D2FW-046 AIT：B TR 29.9700
RFQ
 ECAD 5017 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 200-TFBGA SDRAM -MOBILE LPDDR4X 1.06V〜1.17V 200-TFBGA （10x14.5） ダウンロード 557-MT53E1G32D2FW-046AIT：BTR 2,000 2.133 GHz 揮発性 32gbit 3.5 ns ドラム 1g x 32 平行 18ns
MTFC4GLGDQ-AIT A TR Micron Technology Inc. mtfc4glgdq-ait a tr 10.0800
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 ECAD 4795 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 前回購入します -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-lbga mtfc4 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 100-lbga（14x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MTFC4GLGDQ-AITATR 1,000 52 MHz 不揮発性 32gbit フラッシュ 4g x 8 MMC -
MT48LC64M4A2BB-6A:G Micron Technology Inc. MT48LC64M4A2BB-6A：g -
RFQ
 ECAD 5332 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 60-TFBGA MT48LC64M4A2 SDRAM 3V〜3.6V 60-TFBGA （8x16 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 64m x 4 平行 12ns
M29W128GH7AN6F TR Micron Technology Inc. M29W128GH7AN6F TR -
RFQ
 ECAD 8222 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） M29W128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,200 不揮発性 128mbit 70 ns フラッシュ 16m x 8、8m x 16 平行 70ns
MT40A4G4NEA-062E:J Micron Technology Inc. MT40A4G4NEA-062E：J -
RFQ
 ECAD 7173 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ 0°C〜95°C （TC MT40A4G4 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MT40A4G4NEA-062E：j ear99 8473.30.1140 1,140 1.6 GHz 揮発性 16gbit ドラム 4g x 4 平行 -
MT29F512G08EBHAFJ4-3ITFES:A Micron Technology Inc. MT29F512G08EBHAFJ4-3ITFES：a 19.4850
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 ECAD 8851 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 132-VBGA MT29F512G08 フラッシュ-Nand （TLC） 2.5V〜3.6V 132-VBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 8542.32.0071 1,120 333 MHz 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 平行 -
MT40A1G16KD-062E:E Micron Technology Inc. MT40A1G16KD-062E：e -
RFQ
 ECAD 5611 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-TFBGA MT40A1G16 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 96-FBGA （9x13） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MT40A1G16KD-062E：e 3A991B1A 8542.32.0071 1,140 1.6 GHz 揮発性 16gbit 19 ns ドラム 1g x 16 平行 15ns
MT62F768M32D2DS-023 AUT:B Micron Technology Inc. MT62F768M32D2DS-023 AUT：b 40.9050
RFQ
 ECAD 8487 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ - 557-MT62F768M32D2DS-023AUT：b 1
MT53E512M32D1NP-053 RS WT:B Micron Technology Inc. MT53E512M32D1NP-053 RS WT：b 9.3150
RFQ
 ECAD 7996 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク アクティブ 表面マウント 200-WFBGA 200-WFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MT53E512M32D1NP-053RSWT：b 1,360
MT53E2D1CCY-DC Micron Technology Inc. mt53e2d1ccy-dc -
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 ECAD 2358 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 mt53e2 - 557-MT53E2D1CCY-DC 廃止 1,360
M29W128GL70ZS6F TR Micron Technology Inc. M29W128GL70ZS6F TR -
RFQ
 ECAD 7999 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-lbga M29W128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-FBGA （11x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 不揮発性 128mbit 70 ns フラッシュ 16m x 8、8m x 16 平行 70ns
MT29F4G16ABAFAH4-AIT:F TR Micron Technology Inc. mt29f4g16666abafah4-ait：f tr -
RFQ
 ECAD 4464 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA MT29F4G16 フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 63-VFBGA （9x11） - 1 （無制限） MT29F4G16ABAFAH4-AIT：FTR 廃止 2,000 不揮発性 4gbit フラッシュ 256m x 16 平行 -
MT53E1G32D2FW-046 AIT:C TR Micron Technology Inc. MT53E1G32D2FW-046 AIT：C TR -
RFQ
 ECAD 7688 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 200-TFBGA SDRAM -MOBILE LPDDR4X 1.06V〜1.17V 200-TFBGA （10x14.5） - 557-MT53E1G32D2FW-046AIT：CTR 1 2.133 GHz 揮発性 32gbit 3.5 ns ドラム 1g x 32 平行 18ns
PC28F128J3F75F Micron Technology Inc. PC28F128J3F75F -
RFQ
 ECAD 5578 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-TBGA PC28F128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-easybga （10x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 136 不揮発性 128mbit 75 ns フラッシュ 16m x 8、8m x 16 平行 75ns
MT29VZZZCDAFQKWL-046 W.G0L TR Micron Technology Inc. mt29vzzzcdafqkwl-046 w.g0l tr 119.5650
RFQ
 ECAD 8347 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -25°C〜85°C 表面マウント 254-BGA フラッシュnand、dram -lpddr4x - 254-MCP - 557-MT29VZZZCDAFQKWL-046W.G0LTR 2,000 2.133 GHz 不揮発性、揮発性 2tbit （nand）、64gbit （lpddr4x） フラッシュ、ラム 256G X 8 UFS2.1 -
MTFC8GAMALGT-AAT Micron Technology Inc. mtfc8gamalgt-aat 11.1750
RFQ
 ECAD 7891 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） mtfc8 フラッシュ -ナンド - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MTFC8GAMALGT-AAT 8542.32.0071 152 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 MMC -
MT53E2D1BFW-DC TR Micron Technology Inc. mt53e2d1bfw-dc tr 22.5000
RFQ
 ECAD 3801 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ mt53e2 - 影響を受けていない 557-MT53E2D1BFW-DCTR 2,000
MT29GZ5A5BPGGA-046AAT.87J Micron Technology Inc. MT29GZ5A5BPGGA-046AAT.87J 12.4500
RFQ
 ECAD 3866 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 箱 アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 149-WFBGA フラッシュnand（ slc ）、 dram -lpddr4 1.06V〜1.17V 149-WFBGA （8x9.5） - 557-MT29GZ5A5BPGGA-046AAT.87J 1 不揮発性、揮発性 4gbit 25 ns フラッシュ、ラム 512m x 8 onfi 30ns
MT53E1536M32D4DE-046 AAT:C TR Micron Technology Inc. MT53E1536M32D4DE-046 AAT：C TR 40.2450
RFQ
 ECAD 1021 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 200-TFBGA SDRAM-モバイルLPDDR4 1.06V〜1.17V 200-TFBGA （10x14.5） - ROHS3準拠 557-MT53E1536M32D4DE-046AAT：CTR 2,000 2.133 GHz 揮発性 48gbit 3.5 ns ドラム 1.5GX 32 平行 18ns
MT48LC8M16A2P-75 IT:G Micron Technology Inc. MT48LC8M16A2P-75 IT：g -
RFQ
 ECAD 3463 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC8M16A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 8m x 16 平行 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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