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メモリ（10402）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ sicプログラム可能
MT53E1G32D2FW-046 AIT:C TR Micron Technology Inc. MT53E1G32D2FW-046 AIT：C TR -
RFQ
 ECAD 7688 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 200-TFBGA SDRAM -MOBILE LPDDR4X 1.06V〜1.17V 200-TFBGA （10x14.5） - 557-MT53E1G32D2FW-046AIT：CTR 1 2.133 GHz 揮発性 32gbit 3.5 ns ドラム 1g x 32 平行 18ns
PC28F128J3F75F Micron Technology Inc. PC28F128J3F75F -
RFQ
 ECAD 5578 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-TBGA PC28F128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-easybga （10x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 136 不揮発性 128mbit 75 ns フラッシュ 16m x 8、8m x 16 平行 75ns
MT29VZZZCDAFQKWL-046 W.G0L TR Micron Technology Inc. mt29vzzzcdafqkwl-046 w.g0l tr 119.5650
RFQ
 ECAD 8347 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -25°C〜85°C 表面マウント 254-BGA フラッシュnand、dram -lpddr4x - 254-MCP - 557-MT29VZZZCDAFQKWL-046W.G0LTR 2,000 2.133 GHz 不揮発性、揮発性 2tbit （nand）、64gbit （lpddr4x） フラッシュ、ラム 256G X 8 UFS2.1 -
MTFC8GAMALGT-AAT Micron Technology Inc. mtfc8gamalgt-aat 11.1750
RFQ
 ECAD 7891 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） mtfc8 フラッシュ -ナンド - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MTFC8GAMALGT-AAT 8542.32.0071 152 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 MMC -
MT53E2D1BFW-DC TR Micron Technology Inc. mt53e2d1bfw-dc tr 22.5000
RFQ
 ECAD 3801 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ mt53e2 - 影響を受けていない 557-MT53E2D1BFW-DCTR 2,000
MT29GZ5A5BPGGA-046AAT.87J Micron Technology Inc. MT29GZ5A5BPGGA-046AAT.87J 12.4500
RFQ
 ECAD 3866 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 箱 アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 149-WFBGA フラッシュnand（ slc ）、 dram -lpddr4 1.06V〜1.17V 149-WFBGA （8x9.5） - 557-MT29GZ5A5BPGGA-046AAT.87J 1 不揮発性、揮発性 4gbit 25 ns フラッシュ、ラム 512m x 8 onfi 30ns
MT53E1536M32D4DE-046 AAT:C TR Micron Technology Inc. MT53E1536M32D4DE-046 AAT：C TR 40.2450
RFQ
 ECAD 1021 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 200-TFBGA SDRAM-モバイルLPDDR4 1.06V〜1.17V 200-TFBGA （10x14.5） - ROHS3準拠 557-MT53E1536M32D4DE-046AAT：CTR 2,000 2.133 GHz 揮発性 48gbit 3.5 ns ドラム 1.5GX 32 平行 18ns
MT48LC8M16A2P-75 IT:G Micron Technology Inc. MT48LC8M16A2P-75 IT：g -
RFQ
 ECAD 3463 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC8M16A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 8m x 16 平行 15ns
MT53E384M32D2DS-046 AAT:E Micron Technology Inc. MT53E384M32D2DS-046 AAT：e -
RFQ
 ECAD 8090 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ 廃止 -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 200-WFBGA MT53E384 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない MT53E384M32D2DS-046AAT：e ear99 8542.32.0036 1,360 2.133 GHz 揮発性 12gbit ドラム 384m x 32 - -
MT47H128M8SH-25E:M TR Micron Technology Inc. MT47H128M8SH-25E：M Tr 3.0809
RFQ
 ECAD 6337 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 60-TFBGA MT47H128M8 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-fbga （8x10） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない MT47H128M8SH-25E：MTR ear99 8542.32.0032 2,000 揮発性 1gbit ドラム 128m x 8 平行 15ns 確認されていません
MT29F16G08ABACAWP-ITZ:C Micron Technology Inc. MT29F16G08ABACAWP-ITZ：c -
RFQ
 ECAD 5228 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F16G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 960 不揮発性 16gbit フラッシュ 2g x 8 平行 -
MT62F1G32D2DS-023 AAT:B TR Micron Technology Inc. MT62F1G32D2DS-023 AAT：B TR 31.9350
RFQ
 ECAD 5629 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C 表面マウント 200-WFBGA SDRAM- lpddr5 1.05V 200-WFBGA （10x14.5 - 557-MT62F1G32D2DS-023AAT：BTR 2,000 3.2 GHz 揮発性 32gbit ドラム 1g x 32 平行 -
MT29F1G08ABAFAWP-AAT:F TR Micron Technology Inc. MT29F1G08ABAFAWP-AAT：F Tr 2.9984
RFQ
 ECAD 6546 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F1G08 フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MT29F1G08ABAFAWP-AAT：FTR 8542.32.0071 1,000 不揮発性 1gbit 20 ns フラッシュ 128m x 8 平行 20ns
MT53E1G32D2FW-046 WT:B Micron Technology Inc. MT53E1G32D2FW-046 WT：b 24.1900
RFQ
 ECAD 3652 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -25°C〜85°C（TC） 表面マウント 200-TFBGA MT53E1G32 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.06V〜1.17V 200-TFBGA （10x14.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MT53E1G32D2FW-046WT：b 1 2.133 GHz 揮発性 32gbit 3.5 ns ドラム 1g x 32 平行 18ns
JR28F032M29EWHA Micron Technology Inc. JR28F032M29EWHA -
RFQ
 ECAD 8787 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） JR28F032M29 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 96 不揮発性 32mbit 70 ns フラッシュ 4m x 8、2m x 16 平行 70ns
JR28F064M29EWLB TR Micron Technology Inc. JR28F064M29EWLB TR -
RFQ
 ECAD 5728 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） JR28F064M29 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 不揮発性 64mbit 70 ns フラッシュ 8m x 8、4m x 16 平行 70ns
MT53E1536M64D8HJ-046 AAT:C Micron Technology Inc. MT53E1536M64D8HJ-046AAT：c 90.3150
RFQ
 ECAD 5713 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ - 557-MT53E1536M64D8HJ-046AAT：c 1
MT29F1T08EELEEJ4-QA:E Micron Technology Inc. MT29F1T08EELEEJ4-QA：e 26.4750
RFQ
 ECAD 9414 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ - 557-MT29F1T08EELEEJ4-QA：e 1
MT53E1G32D2FW-046 AAT:B Micron Technology Inc. MT53E1G32D2FW-046AAT：b 32.9700
RFQ
 ECAD 7178 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 箱 アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 200-TFBGA SDRAM -MOBILE LPDDR4X 1.06V〜1.17V 200-TFBGA （10x14.5） ダウンロード 557-MT53E1G32D2FW-046AAT：b 1 2.133 GHz 揮発性 32gbit 3.5 ns ドラム 1g x 32 平行 18ns
MT58L256L18F1T-8.5 Micron Technology Inc. MT58L256L18F1T-8.5 2.5900
RFQ
 ECAD 55 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst™ バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp sram-標準 3.135V〜3.6V 100-TQFP（14x20.1 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A991B2A 8542.32.0041 500 100 MHz 揮発性 4mbit 8.5 ns sram 256k x 18 平行 -
MT53E512M32D2NP-053 RS WT:G Micron Technology Inc. MT53E512M32D2NP-053 RS WT：G -
RFQ
 ECAD 8381 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 表面マウント 200-WFBGA 200-WFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 557-MT53E512M32D2NP-053RSWT：g 廃止 1,360
EDB8164B4PT-1DIT-F-R TR Micron Technology Inc. EDB8164B4PT-1DIT-FR TR -
RFQ
 ECAD 1960年 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 216-WFBGA EDB8164 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.95V 216-FBGA（12x12） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 533 MHz 揮発性 8gbit ドラム 128m x 64 平行 -
MT53E384M32D2FW-046 WT:E Micron Technology Inc. MT53E384M32D2FW-046 WT：e 10.4600
RFQ
 ECAD 2225 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク アクティブ -25°C〜85°C 表面マウント 200-TFBGA SDRAM-モバイルLPDDR4 1.06V〜1.17V 200-TFBGA （10x14.5） - ROHS3準拠 557-MT53E384M32D2FW-046WT：e 1 2.133 GHz 揮発性 12gbit 3.5 ns ドラム 384m x 32 平行 18ns
MT29F4G08ABADAH4-AITX:D Micron Technology Inc. MT29F4G08888888888888-AITX：d 5.1251
RFQ
 ECAD 7896 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA MT29F4G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 不揮発性 4gbit フラッシュ 512m x 8 平行 -
M29W256GL70ZA6E Micron Technology Inc. M29W256GL70ZA6E -
RFQ
 ECAD 3181 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-TBGA M29W256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-TBGA （10x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない -M29W256GL70ZA6E 3A991B1A 8542.32.0071 816 不揮発性 256mbit 70 ns フラッシュ 32m x 8、16m x 16 平行 70ns
MT29F4T08GMLCEJ4-QM:C TR Micron Technology Inc. MT29F4T08GMLCEJ4-QM：C Tr 78.1500
RFQ
 ECAD 1542 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ - 557-MT29F4T08GMLCEJ4-QM：CTR 2,000
MT28EW01GABA1LPC-1SIT TR Micron Technology Inc. MT28EW01GABA1LPC-1SIT TR -
RFQ
 ECAD 2254 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-lbga MT28EW01 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-lbga（11x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 不揮発性 1gbit 95 ns フラッシュ 128m x 8、64m x 16 平行 60ns
MT58L32L32PT-6TR Micron Technology Inc. MT58L32L32PT-6TR 10.9700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst™ バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp sram-標準 3.135V〜3.6V 100-TQFP（14x20.1 ダウンロード 適用できない 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A991B2B 8542.32.0041 500 166 MHz 揮発性 1mbit 3.5 ns sram 32K x 32 平行 -
MT62F1536M32D4DS-026 WT:B TR Micron Technology Inc. MT62F1536M32D4DS-026 WT：B TR 34.2750
RFQ
 ECAD 5002 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ - 557-MT62F1536M32D4DS-026WT：BTR 2,000
MT29F64G08TAAWP:A TR Micron Technology Inc. MT29F64G08TAAWP：TR -
RFQ
 ECAD 3091 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F64G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0051 1,000 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 平行 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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