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メモリ（10402）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT53E4G32D8GS-046 AIT：C TR | 109.4700 |  | 1764 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜95°C | - | - | SDRAM-モバイルLPDDR4 | - | - | - | 557-MT53E4G32D8GS-046AIT：CTR | 2,000 | 2.133 GHz | 揮発性 | 128GBIT | ドラム | 4g x 32 | 平行 | - | ||||||||
| MT29F1T08EELEEJ4-QA：e | 26.4750 | | 9414 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 557-MT29F1T08EELEEJ4-QA：e | 1 | |||||||||||||||||||||
 | MT29F2G080808ABAGAWP-AITES：G TR | 3.6385 | | 3601 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT29F2G08 | フラッシュ-nand（slc） | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | MT29F2G08ABAGAWP-AITES：GTR | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 2Gbit | フラッシュ | 256m x 8 | 平行 | - | ||||
| MT42L256M64D4EV-18 WT：TR | - | | 8844 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 253-TFBGA | MT42L256M64 | SDRAM-モバイルLPDDR2 | 1.14V〜1.3V | 253-FBGA （11x11） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 533 MHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 256m x 64 | 平行 | - | ||||
 | mtfc64gasaons-it | 44.8100 | | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | トレイ | アクティブ | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 153-TFBGA | mtfc64 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 153-TFBGA （11.5x13 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 557-MTFC64GASAONS-IT | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,520 | 52 MHz | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | UFS2.1 | - | ||
 | MT53E512M32D1ZW-046BAUT：B TR | - | | 5392 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜125°C | 表面マウント | 200-TFBGA | SDRAM -MOBILE LPDDR4X | 1.06V〜1.17V | 200-TFBGA （10x14.5） | - | 557-MT53E512M32D1ZW-046BAUT：BTR | 1 | 2.133 GHz | 揮発性 | 16gbit | 3.5 ns | ドラム | 512m x 32 | 平行 | 18ns | |||||||
| MT41J64M16LA-15E：B Tr | - | | 3052 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 96-FBGA | MT41J64M16 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-FBGA （9x15.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 667 MHz | 揮発性 | 1gbit | ドラム | 64m x 16 | 平行 | - | |||
 | TE28F640J3D75A | - | | 1864年年 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | 28F640J3 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 56-tsop | ダウンロード | ROHS非準拠 | 2（1 年） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | 不揮発性 | 64mbit | 75 ns | フラッシュ | 8m x 8、4m x 16 | 平行 | 75ns | |||
 | MT46H64M32LFMA-6それ：b | - | | 4627 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 168-wfbga | MT46H64M32 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 168-WFBGA（12x12） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 166 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 5 ns | ドラム | 64m x 32 | 平行 | 15ns | |||
| mtfc32gapalgt-s1 aat tr | 28.4250 | | 8049 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | - | - | フラッシュ-nand（slc） | 2.7V〜3.6V | - | - | 557-MTFC32GAPALGT-S1AATTR | 2,000 | 200 MHz | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | EMMC_5.1 | - | ||||||||
| MT29F1T08EELEEJ4-M：E TR | 21.4500 | | 4423 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | 557-MT29F1T08EELEEJ4-M：ETR | 2,000 | |||||||||||||||||||||
| MT53D1G64D4NW-046 WT：a | - | | 8617 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 557-MT53D1G64D4NW-046WT：a | 廃止 | 1,190 | ||||||||||||||||||
| MT46H64M32LFCX-5 AT：B TR | - | | 2215 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 90-VFBGA | MT46H64M32 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 90-VFBGA （9x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 200 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 5 ns | ドラム | 64m x 32 | 平行 | 15ns | |||
 | MT40A2G8VA-062E：b | - | | 4454 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 78-TFBGA | MT40A2G8 | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 78-FBGA （10x11） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | ear99 | 8542.32.0036 | 1,140 | 1.6 GHz | 揮発性 | 16gbit | 19 ns | ドラム | 4g x 4 | 平行 | 15ns | |||
| MT53B512M64D4NH-062 WT ES：c | - | | 9552 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 272-WFBGA | MT53B512 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 272-WFBGA | - | 1 （無制限） | ear99 | 8542.32.0036 | 1 | 1.6 GHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 512m x 64 | - | - | |||||
| MT53E1536M32D4NQ-046 WT：B TR | - | | 2162 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | - | 557-MT53E1536M32D4NQ-046WT：BTR | 廃止 | 2,000 | ||||||||||||||||||||
 | MT25QL128ABB8E12-0AUT | 6.2700 | | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | 箱 | アクティブ | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 24-tbga | MT25QL128 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-T-PBGA | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | -MT25QL128ABB8E12-0AUT | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,122 | 133 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi | 8ms、2.8ms | ||
 | MT41J128M16JT-093G：K Tr | - | | 5926 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 96-TFBGA | MT41J128M16 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-FBGA （8x14） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.066 GHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 16 | 平行 | - | ||
| mtfc128gasaqea-wt tr | - | | 8966 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | 557-MTFC128GASAQEA-WTTR | 1 | |||||||||||||||||||||
| MT28HL32GQBB3ERK-0GCT TR | 73.5000 | | 6084 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | MT28HL32 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | MT28HL32GQBB3ERK-0GCTTR | 0000.00.0000 | 1,000 | ||||||||||||||||
 | MT46H8M16LFBF-5：K Tr | - | | 6984 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 60-VFBGA | MT46H8M16 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 60-VFBGA （8x9） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 200 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5 ns | ドラム | 8m x 16 | 平行 | 15ns | ||
 | MT48H16M32LFCM-6 IT：b | - | | 1844年年 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 90-VFBGA | MT48H16M32 | SDRAM- lPSDR | 1.7V〜1.95V | 90-VFBGA （10x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 166 MHz | 揮発性 | 512mbit | 5 ns | ドラム | 16m x 32 | 平行 | 15ns | ||
| MT53D768M16D1Z3BMWC1 | 63.5400 | | 9249 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 557-MT53D768M16D1Z3BMWC1 | 1 | |||||||||||||||||||||
| N25Q064A13ESE4MF TR | - | | 9961 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） | N25Q064A13 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-sop2 | - | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,500 | 108 MHz | 不揮発性 | 64mbit | フラッシュ | 16m x 4 | spi | 8ms、5ms | ||||
| MTFC64GBCAQTC-AAT ES | 29.4000 | | 2937 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 557-MTFC64GBCAQTC-AATES | 1 | |||||||||||||||||||||
| MT29F64G08CBEEBL84D3WC1 | - | | 1647 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 557-MT29F64G08CBEEBL84D3WC1 | 廃止 | 1,000 | ||||||||||||||||||
 | MT53E1G32D2FW-046 AIT：A TR | 29.8650 | | 2663 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 200-TFBGA | SDRAM -MOBILE LPDDR4X | 1.06V〜1.17V | 200-TFBGA （10x14.5） | ダウンロード | 557-MT53E1G32D2FW-046AIT：ATR | 2,000 | 2.133 GHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 1g x 32 | 平行 | 18ns | ||||||||
| mtfc16gapalht-aat | - | | 8882 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 前回購入します | -40°C〜105°C（Ta） | MTFC16 | フラッシュ -ナンド | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 557-MTFC16GAPALHT-AAT | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | MMC | - | ||||||
 | MT29F4G08ABBEAH4：e | - | | 2380 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F4G08 | フラッシュ -ナンド | 1.7V〜1.95V | 63-VFBGA （9x11） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,260 | 不揮発性 | 4gbit | フラッシュ | 512m x 8 | 平行 | - | ||||
| MT62F1G32DS-023 IT：b | 25.1400 | | 5420 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 表面マウント | 200-WFBGA | SDRAM- lpddr5 | 1.05V | 200-WFBGA （10x14.5 | - | 557-MT62F1G32D2DS-023IT：b | 1 | 4.266 GHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 1g x 32 | 平行 | - |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
在庫倉庫
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