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メモリ（10402）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT29F64G08CBEEBL84D3WC1 | - |  | 1647 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 557-MT29F64G08CBEEBL84D3WC1 | 廃止 | 1,000 | ||||||||||||||||||
 | MT53E1G32D2FW-046 AIT：A TR | 29.8650 | | 2663 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 200-TFBGA | SDRAM -MOBILE LPDDR4X | 1.06V〜1.17V | 200-TFBGA （10x14.5） | ダウンロード | 557-MT53E1G32D2FW-046AIT：ATR | 2,000 | 2.133 GHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 1g x 32 | 平行 | 18ns | ||||||||
| mtfc16gapalht-aat | - | | 8882 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 前回購入します | -40°C〜105°C（Ta） | MTFC16 | フラッシュ -ナンド | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 557-MTFC16GAPALHT-AAT | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | MMC | - | ||||||
 | MT29F4G08ABBEAH4：e | - | | 2380 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F4G08 | フラッシュ -ナンド | 1.7V〜1.95V | 63-VFBGA （9x11） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,260 | 不揮発性 | 4gbit | フラッシュ | 512m x 8 | 平行 | - | ||||
| MT62F1G32DS-023 IT：b | 25.1400 | | 5420 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 表面マウント | 200-WFBGA | SDRAM- lpddr5 | 1.05V | 200-WFBGA （10x14.5 | - | 557-MT62F1G32D2DS-023IT：b | 1 | 4.266 GHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 1g x 32 | 平行 | - | ||||||||
 | MT40A256M16LY-062E AUT：F | 18.8100 | | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | バルク | アクティブ | -40°C〜125°C | 表面マウント | 96-TFBGA | MT40A256M16 | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 96-FBGA （7.5x13.5） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 557-2038 | ear99 | 8542.32.0036 | 1,080 | 1.6 GHz | 揮発性 | 4gbit | 19 ns | ドラム | 256m x 16 | 平行 | 15ns | |
 | TE28F640P30B85A | - | | 9123 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | 28F640P30 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 56-tsop | ダウンロード | ROHS非準拠 | 2（1 年） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | 40 MHz | 不揮発性 | 64mbit | 85 ns | フラッシュ | 4m x 16 | 平行 | 85ns | ||
| MT42L128M32D1U80MWC1 | - | | 5443 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -25°C〜85°C（TC） | - | - | MT42L128M32 | SDRAM-モバイルLPDDR2 | 1.14V〜1.3V | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | ear99 | 8542.32.0036 | 1 | 揮発性 | 4gbit | ドラム | 128m x 32 | 平行 | - | |||||
| mtfc256gaxatea-wt | 27.5700 | | 8315 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | -25°C〜85°C | 表面マウント | 153-VFBGA | フラッシュ-nand（slc） | - | 153-VFBGA （11.5x13 | - | 557-MTFC256GAXATEA-WT | 1 | 不揮発性 | 2tbit | フラッシュ | 256g x 8 | 平行 | - | |||||||||
 | mtfc4gmwdq-3m ait a | - | | 7651 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 100-lbga | mtfc4 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 100-lbga（14x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | mtfc4gmwdq-3maita | 廃止 | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 32gbit | フラッシュ | 4g x 8 | MMC | - | ||||
 | M25PE40-VMW6G | - | | 3889 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） | M25PE40 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-SO w | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 1,800 | 75 MHz | 不揮発性 | 4mbit | フラッシュ | 512k x 8 | spi | 15ms、3ms | |||
 | MT29F16G08888ABACAWP-AAT：c | 33.8100 | | 174 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT29F16G08 | フラッシュ-nand（slc） | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 557-MT29F16G08ABACAWP-AAT：c | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | 不揮発性 | 16gbit | 20 ns | フラッシュ | 2g x 8 | onfi | 20ns | ||
| MT29F16T08GWLCEM5-QJ：C Tr | 312.5850 | | 1778 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | 557-MT29F16T08GWLCEM5-QJ：CTR | 1,500 | |||||||||||||||||||||
 | PC28F00AP30BF0 | - | | 8435 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | axcell™ | トレイ | sicで中止されました | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 64-TBGA | PC28F00A | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 64-easybga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 184 | 52 MHz | 不揮発性 | 1gbit | 100 ns | フラッシュ | 64m x 16 | 平行 | 100ns | ||
 | N25Q256A83ESF40G | - | | 4410 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） | N25Q256A83 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 16-sop2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,225 | 108 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 64m x 4 | spi | 8ms、5ms | |||
| MT53E768M32D4DE-046 AIT：e | 26.6100 | | 9587 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | ダウンロード | 557-MT53E768M32D4DE-046AIT：e | 1 | |||||||||||||||||||||
 | mtfc64gjddn-4m it tr | - | | 3484 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 169-lfbga | mtfc64 | フラッシュ -ナンド | 1.65v〜3.6V | 169-lfbga | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 512kbit | フラッシュ | 64k x 8 | MMC | - | ||||
| MT42L256M64D4LD-18 WT：TR | - | | 7524 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 220-VFBGA | MT42L256M64 | SDRAM-モバイルLPDDR2 | 1.14V〜1.3V | 220-FBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 533 MHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 256m x 64 | 平行 | - | ||||
| MT53E768M32D4DE-046 AIT：E TR | 26.6100 | | 9950 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ダウンロード | 557-MT53E768M32D4DE-046AIT：ETR | 2,000 | |||||||||||||||||||||
| MT29F128G08AJAAAWP-Z：a | - | | 3818 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT29F128G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | 平行 | - | ||||
| MT62F4G32D8DV-023 AAT：b | 126.4350 | | 3509 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | 箱 | アクティブ | -40°C〜105°C | - | - | SDRAM- lpddr5 | - | - | - | 557-MT62F4G32D8DV-023AAT：b | 1 | 4.266 GHz | 揮発性 | 128GBIT | ドラム | 4g x 32 | 平行 | - | ||||||||
| MT53E2G64D8TN-046 AUT：C TR | 138.4950 | | 9174 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜125°C | 表面マウント | 556-LFBGA | SDRAM -MOBILE LPDDR4X | 1.06V〜1.17V | 556-LFBGA（12.4x12.4 | ダウンロード | 557-MT53E2G64D8TN-046AUT：CTR | 2,000 | 2.133 GHz | 揮発性 | 128GBIT | 3.5 ns | ドラム | 2g x 64 | 平行 | 18ns | |||||||
 | MT53E1536M32D4DE-046 AAT：c | 40.2450 | | 8072 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C （TC） | 表面マウント | 200-TFBGA | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.06V〜1.17V | 200-TFBGA （10x14.5） | - | ROHS3準拠 | 557-MT53E1536M32D4DE-046AAT：c | 1 | 2.133 GHz | 揮発性 | 48gbit | 3.5 ns | ドラム | 1.5GX 32 | 平行 | 18ns | ||||||
 | MT29F512G08EBHBFJ4-T：b | - | | 6024 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 132-VBGA | MT29F512G08 | フラッシュ-Nand （TLC） | 2.5V〜3.6V | 132-VBGA（12x18） | - | 557-MT29F512G08EBHBFJ4-T：b | 廃止 | 8542.32.0071 | 1,120 | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | 平行 | - | ||||||
| EDFB232A1MA-JD-FD | - | | 9854 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜85°C（TA） | - | - | EDFB232 | SDRAM- lpddr3 | 1.14V〜1.95V | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,680 | 933 MHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 1g x 32 | 平行 | - | ||||
 | MT29F64G08CBCABH1-12ITZ：a | - | | 2712 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 100-VBGA | MT29F64G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 100-VBGA（12x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 83 MHz | 不揮発性 | 64gbit | フラッシュ | 8g x 8 | 平行 | - | |||
| MT62F512M64D4BG-031 WT：B TR | 23.5200 | | 7860 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -25°C〜85°C | - | - | SDRAM- lpddr5 | - | - | - | 557-MT62F512M64D4BG-031WT：BTR | 2,500 | 3.2 GHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 512m x 64 | 平行 | - | ||||||||
| MT29F8T08GULCEM4：c | 156.3000 | | 9538 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 557-MT29F8T08GULCEM4：c | 1 | |||||||||||||||||||||
| mtfc128gasaqea-wt | - | | 2735 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | アクティブ | - | 557-MTFC128GASAQEA-WT | 1 | |||||||||||||||||||||
| MT62F1536M32D4DS-023 WT ES：B TR | 61.3800 | | 1484 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | 557-MT62F1536M32D4DS-023WTES：BTR | 2,000 |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
在庫倉庫
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