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メモリ（10402）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MT46V64M8CV-5B:J Micron Technology Inc. MT46V64M8CV-5B：J -
RFQ
 ECAD 5032 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 60-VFBGA mt46v64m8 SDRAM -DDR 2.5V〜2.7V 60-FBGA （8x12.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0024 1,000 200 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 64m x 8 平行 15ns
MT46V64M8P-5B AIT:J Micron Technology Inc. MT46V64M8P-5B AIT：J -
RFQ
 ECAD 8009 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） mt46v64m8 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,080 200 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 64m x 8 平行 15ns
MT29F512G08CUCABH3-12ITZ:A TR Micron Technology Inc. MT29F512G08CUCABH3-12ITZ：TR -
RFQ
 ECAD 9834 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lbga MT29F512G08 フラッシュ-nand （mlc） 2.7V〜3.6V 100-lbga（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83 MHz 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 平行 -
MT53E128M32D2DS-046 AIT:A Micron Technology Inc. MT53E128M32D2DS-046 AIT：a -
RFQ
 ECAD 1946年年 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 200-WFBGA MT53E128 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） MT53E128M32D2DS-046AIT：a ear99 8542.32.0036 1,360 2.133 GHz 揮発性 4gbit ドラム 128m x 32 - -
MT29F16G16ADACAH4-IT:C Micron Technology Inc. MT29F16G16ADACAH4-IT：c -
RFQ
 ECAD 8952 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA MT29F16G16 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 不揮発性 16gbit フラッシュ 1g x 16 平行 -
MT53D1024M32D4NQ-046 AIT:D TR Micron Technology Inc. MT53D1024M32D4NQ-046 AIT：D TR -
RFQ
 ECAD 8709 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 200-VFBGA MT53D1024 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-VFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 2,000 2.133 GHz 揮発性 32gbit ドラム 1g x 32 - -
MT45W2MW16PGA-70 IT Micron Technology Inc. MT45W2MW16PGA-70 IT -
RFQ
 ECAD 2646 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 48-VFBGA MT45W2MW16 psram（pseudo sram 1.7V〜1.95V 48-VFBGA （6x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 1,000 揮発性 32mbit 70 ns psram 2m x 16 平行 70ns
MT46H64M32L2JG-5 IT:A Micron Technology Inc. MT46H64M32L2JG-5それ：a -
RFQ
 ECAD 3580 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 168-VFBGA MT46H64M32 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 168-VFBGA（12x12） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 200 MHz 揮発性 2Gbit 5 ns ドラム 64m x 32 平行 15ns
MT29F32G08AFACAWP:C Micron Technology Inc. MT29F32G088888888888888：c -
RFQ
 ECAD 9245 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F32G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 32gbit フラッシュ 4g x 8 平行 -
M25P32-VMF3TPB TR Micron Technology Inc. M25P32-VMF3TPB TR -
RFQ
 ECAD 4719 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） M25p3​​ 2 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-sop2 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 75 MHz 不揮発性 32mbit フラッシュ 4m x 8 spi 15ms、5ms
JS28F256P33T2E Micron Technology Inc. JS28F256P33T2E -
RFQ
 ECAD 3790 0.00000000 Micron Technology Inc. axcell™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） JS28F256p33 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 56-tsop - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 576 40 MHz 不揮発性 256mbit 105 ns フラッシュ 16m x 16 平行 105ns
PC28F320J3F75E Micron Technology Inc. PC28F320J3F75E -
RFQ
 ECAD 2500 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-TBGA PC28F320 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-easybga （10x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 136 不揮発性 32mbit 75 ns フラッシュ 4m x 8、2m x 16 平行 75ns
M25P40-VMP6TGBX0 TR Micron Technology Inc. M25P40-VMP6TGBX0 TR -
RFQ
 ECAD 8925 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-vdfn露出パッド M25P40 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 8-VDFPN - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 4,000 75 MHz 不揮発性 4mbit フラッシュ 512k x 8 spi 15ms、5ms
MT29F16G08ABACAWP-ITZ:C TR Micron Technology Inc. MT29F16G08ABACAWP-ITZ：C Tr -
RFQ
 ECAD 6938 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F16G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 16gbit フラッシュ 2g x 8 平行 -
N25Q256A33EF840E Micron Technology Inc. N25Q256A33EF840E -
RFQ
 ECAD 4584 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-vdfn露出パッド N25Q256A33 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-VDFPN ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-1566 3A991B1A 8542.32.0071 1,920 108 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 64m x 4 spi 8ms、5ms
MT29F64G08AFAAAWP:A Micron Technology Inc. MT29F64G088888888888888：a -
RFQ
 ECAD 9438 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F64G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 平行 -
MT47H64M8CB-37E:B Micron Technology Inc. MT47H64M8CB-37E：b -
RFQ
 ECAD 9275 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 60-FBGA MT47H64M8 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-FBGA ダウンロード ROHS3準拠 5 （48 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 2,000 267 MHz 揮発性 512mbit 500 PS ドラム 64m x 8 平行 15ns
MT53B1G32D4NQ-062 WT ES:D Micron Technology Inc. MT53B1G32D4NQ-062 WT ES：d -
RFQ
 ECAD 4554 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -30°C〜85°C （TC） MT53B1G32 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - 1 （無制限） 廃止 0000.00.0000 1,360 1.6 GHz 揮発性 32gbit ドラム 1g x 32 - -
MT29F6T08ETHBBM5-3R:B TR Micron Technology Inc. MT29F6T08ETHBBM5-3R：B TR -
RFQ
 ECAD 7229 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） - - MT29F6T08 フラッシュ -ナンド 2.5V〜3.6V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 333 MHz 不揮発性 6tbit フラッシュ 768g x 8 平行 -
MT29F1T08CUCCBH8-6C:C Micron Technology Inc. MT29F1T08CUCCBH8-6C：c -
RFQ
 ECAD 9832 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 152-lbga MT29F1T08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 152-lbga - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 980 167 MHz 不揮発性 1tbit フラッシュ 128g x 8 平行 -
MTFC4GMVEA-IT Micron Technology Inc. mtfc4gmvea-it -
RFQ
 ECAD 9958 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 153-WFBGA mtfc4 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 153-wfbga（11.5x13 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 32gbit フラッシュ 4g x 8 MMC -
MT29F1G08ABAFAM78A3WC1L Micron Technology Inc. MT29F1G08ABAFAM78A3WC1L 3.3900
RFQ
 ECAD 7587 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ 0°C〜70°C - - フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V - - 557-MT29F1G08ABAFAM78A3WC1L 1 不揮発性 1gbit フラッシュ 128m x 8 - -
JS28F256M29EWLB TR Micron Technology Inc. JS28F256M29EWLB TR -
RFQ
 ECAD 1414 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） JS28F256M29 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,600 不揮発性 256mbit 110 ns フラッシュ 32m x 8、16m x 16 平行 110ns
MT62F1G32D2DS-026 WT:B Micron Technology Inc. MT62F1G32D2DS-026 WT：b 22.8450
RFQ
 ECAD 5293 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ - 表面マウント 200-WFBGA SDRAM- lpddr5 1.05V 200-WFBGA （10x14.5 - 557-MT62F1G32D2DS-026WT：b 1 揮発性 32gbit ドラム 1g x 32 平行 -
MT25QU256ABA8E12-0AUT TR Micron Technology Inc. MT25QU256ABA8E12-0AUT TR 6.2100
RFQ
 ECAD 8962 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 24-tbga MT25QU256 フラッシュ - 1.7V〜2V 24-T-PBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない MT25QU256ABA8E12-0AUTTR 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 166 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 32m x 8 spi 1.8ms
MT53D1024M32D4NQ-053 WT:D TR Micron Technology Inc. MT53D1024M32D4NQ-053 WT：D TR -
RFQ
 ECAD 8185 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 200-VFBGA MT53D1024 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-VFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 1.866 GHz 揮発性 32gbit ドラム 1g x 32 - -
MT44K32M18RB-093E IT:A TR Micron Technology Inc. MT44K32M18RB-093E IT：A TR -
RFQ
 ECAD 6411 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 168-TBGA MT44K32M18 ドラム 1.28V〜1.42V 168-BGA（13.5x13.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 1.066 GHz 揮発性 576mbit 8 ns ドラム 32m x 18 平行 -
M29F400BT55N6E Micron Technology Inc. M29F400BT55N6E -
RFQ
 ECAD 7607 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） M29F400 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 48-tsop - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 96 不揮発性 4mbit 55 ns フラッシュ 512K x 8、256K x 16 平行 55ns
MT29TZZZ8D5JKEZB-107 W.95E Micron Technology Inc. MT29TZZZ8D5JKEZB-107 W.95E -
RFQ
 ECAD 5126 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク アクティブ -25°C〜85°C 表面マウント 221-WFBGA mt29tzzz8 フラッシュnand、dram -lpddr3 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V 221-wfbga（13x11.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 0000.00.0000 1,520 933 MHz 不揮発性、揮発性 64GBIT （NAND ）、8GBIT「LPDDR3） フラッシュ、ラム 68g x 8 MMC 、LPDRAM -
MT41K1G8RKB-107:N TR Micron Technology Inc. mt41k1g8rkb-107：n tr -
RFQ
 ECAD 1106 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA mt41k1g8 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA （8x10.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 933 MHz 揮発性 8gbit 20 ns ドラム 1g x 8 平行 -
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    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

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    世界的なメーカー

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    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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