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メモリ（10402）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ sicプログラム可能
MT29F16G08ADBCAH4-IT:C Micron Technology Inc. MT29F16G08ADBCAH4-IT：c -
RFQ
 ECAD 8279 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA MT29F16G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 不揮発性 16gbit フラッシュ 2g x 8 平行 -
MT25QL512ABB8ESFE01-2SIT Micron Technology Inc. MT25QL512ABB8ESFE01-2S​​ IT -
RFQ
 ECAD 7306 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） MT25QL512 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-sop2 ダウンロード 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,440 133 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 64m x 8 spi 8ms、2.8ms
MTFC8GLWDM-AIT A TR Micron Technology Inc. mtfc8glwdm-ait a tr -
RFQ
 ECAD 4387 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 153-TFBGA mtfc8 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 153-TFBGA （11.5x13 - ROHS3準拠 3 （168 時間） mtfc8glwdm-itatr 廃止 8542.32.0071 2,000 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 MMC -
MT29F1G08ABADAH4-IT:D Micron Technology Inc. MT29F1G08ABADAH4-IT：d -
RFQ
 ECAD 2743 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA MT29F1G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 不揮発性 1gbit フラッシュ 128m x 8 平行 -
MT62F768M64D4EJ-031 WT ES:A TR Micron Technology Inc. MT62F768M64D4EJ-031 WT ES：A TR 62.8950
RFQ
 ECAD 1071 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ MT62F768 - 影響を受けていない 557-MT62F768M64D4EJ-031WTES：ATR 1,500
MT48LC16M8A2P-6A:L TR Micron Technology Inc. MT48LC16M8A2P-6A：L TR -
RFQ
 ECAD 6672 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC16M8A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 2,000 167 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 16m x 8 平行 12ns
MT53B256M32D1DS-062 AIT:C TR Micron Technology Inc. MT53B256M32D1DS-062 AIT：C TR -
RFQ
 ECAD 2197 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 200-WFBGA MT53B256 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 1.6 GHz 揮発性 8gbit ドラム 256m x 32 - -
MT29F32G08ABEABM73A3WC1L Micron Technology Inc. MT29F32G08ABEABM73A3WC1L 43.8500
RFQ
 ECAD 1612 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク アクティブ 0°C〜70°C 表面マウント 死ぬ MT29F32G08 フラッシュ-nand（slc） - ウェーハ - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MT29F32G08ABEABM73A3WC1L 1 不揮発性 32gbit フラッシュ 4g x 8 - -
MT53E768M64D4HJ-046 WT ES:C Micron Technology Inc. MT53E768M64D4HJ-046 WT ES：c 48.1050
RFQ
 ECAD 7992 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ -25°C〜85°C（TC） 表面マウント 556-TFBGA SDRAM-モバイルLPDDR4 1.06V〜1.17V 556-WFBGA（12.4x12.4 - 557-MT53E768M64D4HJ-046WTES：c 1 2.133 GHz 揮発性 48gbit 3.5 ns ドラム 768m x 64 平行 18ns
MT40A512M16LY-062E AUT:E Micron Technology Inc. MT40A512M16LY-062E AUT：e 11.6400
RFQ
 ECAD 4265 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 96-TFBGA MT40A512M16 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 96-FBGA （7.5x13.5） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない MT40A512M16LY-062EAUT：e ear99 8542.32.0036 1,080 1.6 GHz 揮発性 8gbit 19 ns ドラム 512m x 16 平行 15ns
MT29F2G16ABBGAH4-AIT:G TR Micron Technology Inc. MT29F2G16ABBGAH4-AIT：G TR 2.4998
RFQ
 ECAD 3759 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA MT29F2G16 フラッシュ-nand（slc） 1.7V〜1.95V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MT29F2G16ABBGAH4-AIT：GTR 8542.32.0071 2,000 不揮発性 2Gbit フラッシュ 128m x 16 平行 -
MT29F4G01ABAFDM70A3WC1 Micron Technology Inc. MT29F4G01ABAFDM70A3WC1 3.5200
RFQ
 ECAD 3073 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 死ぬ MT29F4G01 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 死ぬ - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 0000.00.0000 1 不揮発性 4gbit フラッシュ 4g x 1 spi -
MT53E384M32D2DS-053 AAT:E TR Micron Technology Inc. MT53E384M32D2DS-053 AAT：E TR 11.6700
RFQ
 ECAD 1414 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 200-WFBGA MT53E384 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない MT53E384M32D2DS-053AAT：ETR ear99 8542.32.0036 2,000 1.866 GHz 揮発性 12gbit ドラム 384m x 32 - -
MT41K2G4RKB-107 C:N TR Micron Technology Inc. MT41K2G4RKB-107 C：N TR -
RFQ
 ECAD 9696 0.00000000 Micron Technology Inc. Twindie™ テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA MT41K2G4 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 557-MT41K2G4RKB-107C：NTR 廃止 2,000 933 MHz 揮発性 8gbit 20 ns ドラム 2g x 4 平行 15ns
MT62F1536M64D8EK-026 AIT:B TR Micron Technology Inc. MT62F1536M64D8EK-026 AIT：B TR 86.2050
RFQ
 ECAD 8528 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C 表面マウント 441-TFBGA SDRAM- lpddr5 - 441-TFBGA - 557-MT62F1536M64D8EK-026AIT：BTR 1,500 3.2 GHz 揮発性 96gbit ドラム 1.5GX 64 - -
MT29GZ5A5BPGGA-046AIT.87J TR Micron Technology Inc. MT29GZ5A5BPGGA-046AIT.87J TR 9.9000
RFQ
 ECAD 6965 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 149-WFBGA フラッシュnand（ slc ）、 dram -lpddr4 1.06V〜1.17V 149-WFBGA （8x9.5） - 557-MT29GZ5A5BPGGA-046AIT.87JTR 2,000 不揮発性、揮発性 4gbit 25 ns フラッシュ、ラム 512m x 8 onfi 30ns
MT57W512H36JF-6 Micron Technology Inc. MT57W512H36JF-6 28.0100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-TBGA sram- ddr ii 1.7V〜1.9V 165-FBGA ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1 167 MHz 揮発性 18mbit 500 PS sram 512K x 36 HSTL -
PF48F4400P0VBQ2E Micron Technology Inc. PF48F4400P0VBQ2E -
RFQ
 ECAD 5761 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 88-TFBGA 、CSPBGA 48F4400P0 フラッシュ - 1.7V〜2V 88-scsp（ 8x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 253 52 MHz 不揮発性 512mbit 85 ns フラッシュ 32m x 16 平行 85ns
MT46V16M16P-6T:K TR Micron Technology Inc. MT46V16M16P-6T：K Tr -
RFQ
 ECAD 5607 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT46V16M16 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 揮発性 256mbit 700 ps ドラム 16m x 16 平行 15ns
MT29F4G01ABAFD12-IT:F TR Micron Technology Inc. MT29F4G01ABAFD12-IT：F Tr -
RFQ
 ECAD 8112 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga MT29F4G01 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 24-T-PBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） MT29F4G01ABAFD12-IT：FTR 廃止 8542.32.0071 2,000 不揮発性 4gbit フラッシュ 4g x 1 spi -
MT47H128M8B7-5E L:A Micron Technology Inc. MT47H128M8B7-5E L：a -
RFQ
 ECAD 5135 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ sicで中止されました 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 92-TFBGA MT47H128M8 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 92-FBGA （11x19） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,000 200 MHz 揮発性 1gbit 600 PS ドラム 128m x 8 平行 15ns
MT25QU512ABB8ESF-0AAT TR Micron Technology Inc. MT25QU512ABB8ESF-0AAT TR 8.1150
RFQ
 ECAD 7616 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） MT25QU512 フラッシュ - 1.7V〜2V 16-SO ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 133 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 64m x 8 spi 8ms、2.8ms
MTFC32GAZAQHD-IT Micron Technology Inc. mtfc32gazaqhd-it 15.7800
RFQ
 ECAD 4044 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 153-VFBGA mtfc32g フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 153-VFBGA （11.5x13 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MTFC32GAZAQHD-IT 3A991B1A 8542.32.0071 1,520 200 MHz 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 EMMC -
MT41J64M16JT-125:G Micron Technology Inc. MT41J64M16JT-125：g -
RFQ
 ECAD 1465 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-TFBGA MT41J64M16 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-FBGA （8x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,000 800 MHz 揮発性 1gbit ドラム 64m x 16 平行 -
MT28EW01GABA1LPC-1SIT Micron Technology Inc. MT28EW01GABA1LPC-1SIT -
RFQ
 ECAD 3322 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-lbga MT28EW01 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-lbga（11x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,104 不揮発性 1gbit 95 ns フラッシュ 128m x 8、64m x 16 平行 60ns
MT53E256M32D1KS-046 AIT:L Micron Technology Inc. MT53E256M32D1KS-046 AIT：L 11.6800
RFQ
 ECAD 1373 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ 表面マウント 200-VFBGA 200-VFBGA （10x14.5 - 影響を受けていない 557-MT53E256M32D1KS-046AIT：L 1
MT53B384M64D4TZ-053 WT ES:C TR Micron Technology Inc. MT53B384M64D4TZ-053 WT ES：C TR -
RFQ
 ECAD 5930 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -30°C〜85°C （TC） - - MT53B384 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 1.866 GHz 揮発性 24Gbit ドラム 384m x 64 - -
M29W800DT70N6 Micron Technology Inc. M29W800DT70N6 -
RFQ
 ECAD 4799 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） M29W800 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 96 不揮発性 8mbit 70 ns フラッシュ 1M x 8、512K x 16 平行 70ns
MTFC128GASAONS-AAT TR Micron Technology Inc. mtfc128gasaons-aat tr 73.7250
RFQ
 ECAD 1499 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ - 557-MTFC128GASAONS-AATTR 2,000
MTFC32GJGDQ-AIT Micron Technology Inc. mtfc32gjgdq-ait -
RFQ
 ECAD 2752 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-lbga mtfc32g フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 100-lbga（14x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 MMC - 確認されていません
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    毎日の平均RFQボリューム

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    30,000,000

    標準製品ユニット

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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