SIC
close

メモリ（10402）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
PC28F512P30TF0 Micron Technology Inc. PC28F512P30TF0 -
RFQ
 ECAD 5456 0.00000000 Micron Technology Inc. axcell™ トレイ sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-TBGA PC28F512 フラッシュ - 1.7V〜2V 64-easybga ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 184 52 MHz 不揮発性 512mbit 100 ns フラッシュ 32m x 16 平行 100ns
M29W128GSL70N6E Micron Technology Inc. M29W128GSL70N6E -
RFQ
 ECAD 1902年 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） M29W128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 56-tsop - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 576 不揮発性 128mbit 70 ns フラッシュ 16m x 8、8m x 16 平行 70ns
M25PX80-VMP6TG TR Micron Technology Inc. M25PX80-VMP6TG TR -
RFQ
 ECAD 7683 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-vdfn露出パッド M25PX80 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 8-VFQFPN （6x5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 4,000 75 MHz 不揮発性 8mbit フラッシュ 1m x 8 spi 15ms、5ms
MT62F2G32D4DS-023 WT:B Micron Technology Inc. MT62F2G32D4DS-023 WT：b 45.6900
RFQ
 ECAD 2576 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ - 表面マウント 200-WFBGA SDRAM- lpddr5 1.05V 200-WFBGA （10x14.5 - 557-MT62F2G32D4DS-023WT：b 1 4.266 GHz 揮発性 64gbit ドラム 2g x 32 平行 -
MT53E768M64D4HJ-046 WT:C TR Micron Technology Inc. MT53E768M64D4HJ-046 WT：C TR 48.1050
RFQ
 ECAD 5870 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ - 557-MT53E768M64D4HJ-046WT：CTR 2,000
M25P16-VMF6PBA Micron Technology Inc. M25P16-VMF6PBA -
RFQ
 ECAD 3263 0.00000000 Micron Technology Inc. - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） M25P16 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-sop2 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0071 1,225 75 MHz 不揮発性 16mbit フラッシュ 2m x 8 spi 15ms、5ms
RD48F4400P0VBQE3 Micron Technology Inc. RD48F4400P0VBQE3 -
RFQ
 ECAD 7172 0.00000000 Micron Technology Inc. axcell™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 88-TFBGA 、CSPBGA RD48F4400 フラッシュ - 1.7V〜2V 88-scsp（ 8x11） ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 176 52 MHz 不揮発性 512mbit 100 ns フラッシュ 32m x 16 平行 100ns
MT25QL02GCBB8E12-0SIT TR Micron Technology Inc. MT25QL02GCBB8E12-0SIT TR 28.4700
RFQ
 ECAD 7055 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga MT25QL02 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-T-PBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 133 MHz 不揮発性 2Gbit フラッシュ 256m x 8 spi 8ms、2.8ms
MTFC8GLVEA-WT TR Micron Technology Inc. mtfc8glvea-wt tr -
RFQ
 ECAD 8510 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ テープ＆リール（ tr） アクティブ -25°C〜85°C（タタ 表面マウント 153-WFBGA mtfc8 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 153-wfbga（11.5x13 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 MMC -
MT25QL256ABA8E12-0AUT Micron Technology Inc. MT25QL256ABA8E12-0AUT 8.9500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 24-tbga MT25QL256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-T-PBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 133 MHz 不揮発性 256mbit 5 ns フラッシュ 32m x 8 spi 1.8ms
MT62F2G64D8EK-023 AUT:B Micron Technology Inc. MT62F2G64D8EK-023 AUT：b 145.4250
RFQ
 ECAD 9538 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 箱 アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 441-TFBGA SDRAM- lpddr5 1.05V 441-TFBGA - 557-MT62F2G64D8EK-023AUT：b 1 4.266 GHz 揮発性 128GBIT ドラム 2g x 64 平行 -
MT53E512M32D1ZW-046 AAT:B Micron Technology Inc. MT53E512M32D1ZW-046AAT：b 17.7000
RFQ
 ECAD 1426 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 箱 アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 200-TFBGA SDRAM -MOBILE LPDDR4X 1.06V〜1.17V 200-TFBGA （10x14.5） - 557-MT53E512M32D1ZW-046AAT：b 1 2.133 GHz 揮発性 16gbit 3.5 ns ドラム 512m x 32 平行 18ns
MT53B384M32D2DS-062 XT:B Micron Technology Inc. MT53B384M32D2DS-062 XT：b -
RFQ
 ECAD 9734 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜105°C（TC） 表面マウント 200-WFBGA MT53B384 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,360 1.6 GHz 揮発性 12gbit ドラム 384m x 32 - -
MT29F1T08CMHBBJ4-3RES:B TR Micron Technology Inc. MT29F1T08CMHBBJ4-3RES：B Tr -
RFQ
 ECAD 9283 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 132-VBGA MT29F1T08 フラッシュ -ナンド 2.5V〜3.6V 132-VBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 333 MHz 不揮発性 1tbit フラッシュ 128g x 8 平行 -
MT25QL256ABA8E12-1SIT TR Micron Technology Inc. MT25QL256ABA8E12-1SIT TR 6.2400
RFQ
 ECAD 8980 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga MT25QL256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-T-PBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 133 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 32m x 8 spi 8ms、2.8ms
MT29F2G08ABAEAWP-E:E Micron Technology Inc. MT29F2G08ABAEAWP-E：e -
RFQ
 ECAD 2528 0.00000000 Micron Technology Inc. - チューブ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F2G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 960 不揮発性 2Gbit フラッシュ 256m x 8 平行 -
MT29F8G16ABACAH4:C TR Micron Technology Inc. MT29F8G16ABACAH4：C TR -
RFQ
 ECAD 6496 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 63-VFBGA MT29F8G16 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 8gbit フラッシュ 512m x 16 平行 -
NAND16GW3B6DPA6F TR Micron Technology Inc. NAND16GW3B6DPA6F TR -
RFQ
 ECAD 5515 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 114-LFBGA NAND16G フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 114-LFBGA（12x16） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 不揮発性 16gbit 25 ns フラッシュ 2g x 8 平行 25ns
MT48LC4M16A2F4-75:G TR Micron Technology Inc. MT48LC4M16A2FF4-75：G TR -
RFQ
 ECAD 6098 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-VFBGA MT48LC4M16A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-VFBGA ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0002 1,000 133 MHz 揮発性 64mbit 5.4 ns ドラム 4m x 16 平行 15ns
MT53D384M32D2DS-053 WT ES:C TR Micron Technology Inc. MT53D384M32D2DS-053 WT ES：C TR -
RFQ
 ECAD 1698 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 200-WFBGA MT53D384 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 2,000 1.866 GHz 揮発性 12gbit ドラム 384m x 32 - -
MT58V1MV18DT-6 Micron Technology Inc. MT58V1MV18DT-6 18.9400
RFQ
 ECAD 42 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst™ バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp sram-標準 2.375V〜2.625V 100-TQFP（14x20.1 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1 166 MHz 揮発性 18mbit 3.5 ns sram 1m x 18 平行 -
M45PE40-VMP6TG TR Micron Technology Inc. M45PE40-VMP6TG TR -
RFQ
 ECAD 5408 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-vdfn露出パッド M45PE40 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-VDFPN ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 4,000 75 MHz 不揮発性 4mbit フラッシュ 512k x 8 spi 15ms、3ms
MT58L512L18FS-10 Micron Technology Inc. MT58L512L18FS-10 13.9700
RFQ
 ECAD 71 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst™ バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp sram-標準 3.135V〜3.6V 100-TQFP（14x20.1 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A991B2A 8542.32.0041 1 66 MHz 揮発性 8mbit 10 ns sram 512K x 18 平行 -
MT29F32G08CBADAL83A3WC1-M Micron Technology Inc. MT29F32G08CBADAL83A3WC1-M -
RFQ
 ECAD 1089 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 死ぬ MT29F32G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 死ぬ - 3A991B1A 8542.32.0071 1 不揮発性 32gbit フラッシュ 4g x 8 平行 -
MT29F8T08EULCHD5-R:C Micron Technology Inc. MT29F8T08EULCHD5-R：c 167.8050
RFQ
 ECAD 7904 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ - 557-MT29F8T08EULCHD5-R：c 1
MT53B192M32D1Z9AMWC1 Micron Technology Inc. MT53B192M32D1Z9AMWC1 -
RFQ
 ECAD 5206 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 0°C〜85°C （TC） - - MT53B192 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - - 1 （無制限） 廃止 0000.00.0000 1 揮発性 6gbit ドラム 192m x 32 - -
MT53E128M32D2DS-053 WT:A Micron Technology Inc. MT53E128M32D2DS-053 WT：a 8.7100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 200-WFBGA MT53E128 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない MT53E128M32D2DS-053WT：a ear99 8542.32.0036 1,360 1.866 GHz 揮発性 4gbit ドラム 128m x 32 - -
MT53E1536M32D4DT-046 WT:A TR Micron Technology Inc. MT53E1536M32D4DT-046 WT：A TR -
RFQ
 ECAD 8751 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C （TC） MT53E1536 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない MT53E1536M32D4DT-046WT：ATR 廃止 0000.00.0000 2,000 2.133 GHz 揮発性 48gbit ドラム 1.5GX 32 - -
MT29F1G16ABBFAH4-AATES:F Micron Technology Inc. MT29F1G16ABBFAH4-AATES：F -
RFQ
 ECAD 8616 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 バルク アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 63-VFBGA MT29F1G16 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 8542.32.0071 1 不揮発性 1gbit フラッシュ 64m x 16 平行 -
MT29F8G08ABACAWP-AIT:C TR Micron Technology Inc. MT29F8G0808808ABACAWP-AIT：C TR 5.8748
RFQ
 ECAD 6584 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F8G08 フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない MT29F8G088ABACAWP-AIT：CTR 8542.32.0071 1,000 不揮発性 8gbit フラッシュ 1g x 8 平行 20ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

RFQリスト（0アイテム）
カートリスト（0アイテム）
Wishlistウィッシュリスト（0アイテム）
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

リストを比較する（0アイテム）
Enterを押して検索するか、ESCを閉じます