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メモリ（10402）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | mtfc8gamalht-ait tr | 10.1550 |  | 5161 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 前回購入します | -40°C〜85°C（タタ | mtfc8 | フラッシュ -ナンド | - | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 557-MTFC8GAMALHT-AITTR | 8542.32.0071 | 1,500 | 不揮発性 | 64gbit | フラッシュ | 8g x 8 | MMC | - | ||||||||
 | MT29F256G08AUAAAC5-Z：a | - | | 7877 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 52-VLGA | MT29F256G08 | フラッシュ-nand（slc） | 2.7V〜3.6V | 52-VLGA（18x14） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | 平行 | - | ||||
 | M28W640HSU70ZA6E | - | | 8228 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 64-TFBGA | M28W640 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-TFBGA（10.5x6.39） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 816 | 不揮発性 | 64mbit | 70 ns | フラッシュ | 4m x 16 | 平行 | 70ns | |||
 | MT29F4G16ABBDAHC：d | - | | 1619 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F4G16 | フラッシュ -ナンド | 1.7V〜1.95V | 63-VFBGA（10.5x13） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,140 | 不揮発性 | 4gbit | フラッシュ | 256m x 16 | 平行 | - | |||||
| MT53B256M64D2PX-062 XT：c | - | | 1025 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜105°C（TC） | - | - | MT53B256 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | - | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,540 | 1.6 GHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 256m x 64 | - | - | |||||
 | MT29F1T08EEHAFJ4-3TES：TR | - | | 3889 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 132-VBGA | MT29F1T08 | フラッシュ -ナンド | 2.5V〜3.6V | 132-VBGA（12x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 333 MHz | 不揮発性 | 1tbit | フラッシュ | 128g x 8 | 平行 | - | |||
 | MT29F128G08CFABAWP-IT：b | - | | 1056 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT29F128G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | 平行 | - | |||||
| MT29VZZZ7D7HQKWL-062 W.G7A | - | | 3970 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | mt29vzzz7 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,520 | ||||||||||||||||
| MT29F512G08EBHAFJ4-3R：a | - | | 1981年年 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 132-VBGA | MT29F512G08 | フラッシュ-Nand （TLC） | 2.5V〜3.6V | 132-VBGA（12x18） | - | 557-MT29F512G08EBHAFJ4-3R：a | 廃止 | 8542.32.0071 | 112 | 333 MHz | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | 平行 | - | |||||
 | MT35XU512ABA2G12-0AAT TR | - | | 5270 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Xccela™-MT35X | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C | 表面マウント | 24-tbga | mt35xu512 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 24-T-PBGA | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 200 MHz | 不揮発性 | 512mbit | フラッシュ | 64m x 8 | xccelaバス | - | |||
 | MT49H8M36FM-25：b | - | | 9712 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | sicで中止されました | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 144-TFBGA | MT49H8M36 | ドラム | 1.7V〜1.9V | 144-FBGA（18.5x11） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0028 | 1,000 | 400 MHz | 揮発性 | 288mbit | 20 ns | ドラム | 8m x 36 | 平行 | - | ||
| MT29F1T08EELEEJ4-M：e | 21.4500 | | 1321 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 557-MT29F1T08EELEEJ4-M：e | 1 | |||||||||||||||||||||
 | mtfc16gjuef-ait tr | - | | 8368 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 169-TFBGA | mtfc16g | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 169-TFBGA | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | MMC | - | |||||
 | MT40A1G8SA-062E：J | - | | 3675 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 78-TFBGA | MT40A1G8 | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 78-FBGA （7.5x11） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | ear99 | 8542.32.0036 | 1,260 | 1.6 GHz | 揮発性 | 8gbit | 19 ns | ドラム | 1g x 8 | 平行 | 15ns | |||
 | MT41K128M16JT-125 V：k | - | | 9488 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 96-TFBGA | MT41K128M16 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-FBGA （8x14） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,368 | 800 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 13.75 ns | ドラム | 128m x 16 | 平行 | - | ||
| MT53B512M64D4NK-053 WT ES：c | - | | 3969 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 366-WFBGA | MT53B512 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 366-WFBGA （15x15） | - | 1 （無制限） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,190 | 1.866 GHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 512m x 64 | - | - | |||||
| MT29F128G08CBCEBJ4-37ITR：e | - | | 6591 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 132-VBGA | MT29F128G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 132-VBGA（12x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 8542.32.0071 | 1,120 | 267 MHz | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | 平行 | - | ||||
 | MT58L64V36PT-5 | 4.3200 | | 944 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst™ | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 100-lqfp | sram-標準 | 3.135V〜3.6V | 100-TQFP（14x20.1 | ダウンロード | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 200 MHz | 揮発性 | 2mbit | 3.5 ns | sram | 64k x 36 | 平行 | - | ||||||
| MTFC128GBCAQTC-IT | 52.3700 | | 4518 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 557-MTFC128GBCAQTC-IT | 1,520 | |||||||||||||||||||
 | MT53E768M32D4DT-046 AUT：e | 50.2500 | | 8765 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | アクティブ | -40°C〜125°C | MT53E768 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | 影響を受けていない | 557-MT53E768M32D4DT-046AUT：e | 136 | 2.133 GHz | 揮発性 | 24Gbit | ドラム | 768m x 32 | - | - | |||||||||
 | MT53D512M16D1DS-046 AIT：D TR | 9.3750 | | 3810 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 200-WFBGA | MT53D512 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA （10x14.5 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | MT53D512M16D1DS-046AIT：DTR | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 2.133 GHz | 揮発性 | 8gbit | ドラム | 512m x 16 | - | - | ||
| mtfc16gapalht-ait | - | | 6498 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | MTFC16 | フラッシュ -ナンド | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 557-MTFC16GAPALHT-AIT | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | MMC | - | ||||||
 | PC28F640P33T85A | - | | 1072 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（TC） | 表面マウント | 64-TBGA | PC28F640 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 64-easybga （10x13） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,800 | 52 MHz | 不揮発性 | 64mbit | 85 ns | フラッシュ | 4m x 16 | 平行 | 85ns | ||
| MT53E4D1BEG-DC | - | | 5392 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | mt53e4 | - | 557-MT53E4D1BEG-DC | 廃止 | 1,360 | |||||||||||||||||||
 | MT46V16M16P-5B：m | - | | 7131 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | MT46V16M16 | SDRAM -DDR | 2.5V〜2.7V | 66-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,080 | 200 MHz | 揮発性 | 256mbit | 700 ps | ドラム | 16m x 16 | 平行 | 15ns | ||
| mt29c8g96mazapdja-5 it tr | - | | 5306 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | - | - | MT29C8G96 | フラッシュ-nand 、モバイルlpdram | 1.7V〜1.95V | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 200 MHz | 不揮発性、揮発性 | 8gbit（nand | フラッシュ、ラム | 512M x 16 | 平行 | - | ||||
| MT29F3T08EUCBBM4-37ES：B Tr | - | | 1204 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | - | - | MT29F3T08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 267 MHz | 不揮発性 | 3tbit | フラッシュ | 384g x 8 | 平行 | - | |||
 | M29W128FH70N6E | - | | 5738 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | M29W128 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 56-tsop | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 497-5028 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 576 | 不揮発性 | 128mbit | 70 ns | フラッシュ | 16m x 8、8m x 16 | 平行 | 70ns | ||
 | MT29F512G08CMCABH7-6C：a | - | | 5461 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 152-TBGA | MT29F512G08 | フラッシュ-nand （mlc） | 2.7V〜3.6V | 152-TBGA | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 166 MHz | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | 平行 | - | ||||
| MT49H16M36SJ-25E：B Tr | 47.8500 | | 7824 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 144-TFBGA | MT49H16M36 | ドラム | 1.7V〜1.9V | 144-FBGA（18.5x11） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0028 | 1,000 | 400 MHz | 揮発性 | 576mbit | 15 ns | ドラム | 16m x 36 | 平行 | - |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
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