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メモリ（10402）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | N25Q256A83ESF40F TR | - |  | 6311 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） | N25Q256A83 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 16-sop2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 108 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 64m x 4 | spi | 8ms、5ms | |||
 | MT40A1G16KH-062E AUT：e | 24.0300 | | 3568 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | 箱 | アクティブ | -40°C〜125°C | 表面マウント | 96-TFBGA | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 96-FBGA （9x13） | ダウンロード | 557-MT40A1G16KH-062EAUT：e | 1 | 1.6 GHz | 揮発性 | 16gbit | 19 ns | ドラム | 1g x 16 | ポッド | 15ns | |||||||
| N2M400HDB321A3CF | - | | 1773 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 100-lbga | N2M400 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 100-lbga（14x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 588 | 52 MHz | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | MMC | - | ||||
| MT62F1536M64D8EK-026 WT：B TR | 67.8450 | | 4686 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -25°C〜85°C | 表面マウント | 441-TFBGA | SDRAM- lpddr5 | - | 441-TFBGA | - | 557-MT62F1536M64D8EK-026WT：BTR | 1,500 | 3.2 GHz | 揮発性 | 96gbit | ドラム | 1.5GX 64 | - | - | ||||||||
| MT29C1G12MAACYAML-5 IT | - | | 5218 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 153-VFBGA | MT29C1G12 | フラッシュ-nand 、モバイルlpdram | 1.7V〜1.95V | 153-VFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 200 MHz | 不揮発性、揮発性 | 1gbit（nand | フラッシュ、ラム | 64m x 16 | 平行 | - | ||||
 | M25P10-AVMP6TG TR | - | | 4191 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-vdfn露出パッド | M25P10 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 8-VFQFPN （6x5） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 4,000 | 50 MHz | 不揮発性 | 1mbit | フラッシュ | 128k x 8 | spi | 15ms、5ms | |||
 | M25P32-VME6TG TR | - | | 3484 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-vdfn露出パッド | M25p3 2 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-VDFPN | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4,000 | 75 MHz | 不揮発性 | 32mbit | フラッシュ | 4m x 8 | spi | 15ms、5ms | |||
| MT62F1G32D2DS-023 AIT：b | 29.0250 | | 5316 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | 箱 | アクティブ | -40°C〜95°C | 表面マウント | 200-WFBGA | SDRAM- lpddr5 | 1.05V | 200-WFBGA （10x14.5 | - | 557-MT62F1G32D2DS-023AIT：b | 1 | 3.2 GHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 1g x 32 | 平行 | - | ||||||||
| MT29VZZZBD9FQKPR-046 W.G9J TR | - | | 8880 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | mt29vzzzbd9 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 557-MT29VZZZBD9FQKPR-046W.G9JTR | 廃止 | 2,000 | ||||||||||||||||
 | MT35XU02GCBA1G12-0AAT TR | 32.6250 | | 2765 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Xccela™-MT35X | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C | 表面マウント | 24-tbga | mt35xu02 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 24-T-PBGA | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | MT35XU02GCBA1G12-0AATTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 200 MHz | 不揮発性 | 2Gbit | フラッシュ | 256m x 8 | xccelaバス | - | ||
 | MT46V64M8CY-5B IT：J | - | | 1932年年 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 60-TFBGA | mt46v64m8 | SDRAM -DDR | 2.5V〜2.7V | 60-FBGA （8x12.5） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 1,368 | 200 MHz | 揮発性 | 512mbit | 700 ps | ドラム | 64m x 8 | 平行 | 15ns | ||
| mt46h1dbb5-dc tr | - | | 1302 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | MT46H1D | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 1,000 | |||||||||||||||||
| MT29TZZZAD8DKKBT-107 W.9F8 TR | - | | 3131 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | mt29tzzzad8 | - | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,000 | |||||||||||||||||||
 | MT62F1G64D8CH-031 WT：B TR | 37.2450 | | 1698 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -25°C〜85°C（TC） | - | - | MT62F1G64 | SDRAM- lpddr5 | 1.05V | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 557-MT62F1G64D8CH-031WT：BTR | 2,500 | 3.2 GHz | 揮発性 | 64gbit | ドラム | 1g x 64 | - | - | ||||
 | MT29F1G08ABAEAWP-IT：e | 2.9400 | | 2 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT29F1G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | 不揮発性 | 1gbit | フラッシュ | 128m x 8 | 平行 | - | ||||
| MT29F16G08888ABACAWP-AAT：C Tr | 33.8100 | | 995 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT29F16G08 | フラッシュ-nand（slc） | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 16gbit | 20 ns | フラッシュ | 2g x 8 | onfi | 20ns | |||
 | MT29F2T08EMHAFJ4-3ITFES：a | 77.9550 | | 9339 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 132-VBGA | MT29F2T08 | フラッシュ -ナンド | 2.5V〜3.6V | 132-VBGA（12x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 8542.32.0071 | 1,120 | 333 MHz | 不揮発性 | 2tbit | フラッシュ | 256g x 8 | 平行 | - | ||||
 | MT55L256V18P1T-10 | 3.1400 | | 69 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | ZBT® | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 100-lqfp | MT55L256V | sram- zbt | 3.135V〜3.6V | 100-TQFP（14x20.1 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 未定義のベンダー | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | 揮発性 | 4mbit | 5 ns | sram | 256k x 18 | 平行 | - | ||
| MT29F4G08ABAFAWP-AATES：F | - | | 2692 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C （TC） | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT29F4G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | 不揮発性 | 4gbit | フラッシュ | 512m x 8 | 平行 | - | |||||
| MT40A1G16KD-062E IT：E TR | - | | 3338 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 96-TFBGA | MT40A1G16 | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 96-FBGA （9x13） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 557-MT40A1G16KD-062EIT：ETR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 1.6 GHz | 揮発性 | 16gbit | 19 ns | ドラム | 1g x 16 | 平行 | 15ns | ||
| MT29F128G08CBCEBJ4-37ITRES：e | - | | 6985 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 132-VBGA | MT29F128G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 132-VBGA（12x18） | - | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,120 | 267 MHz | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | 平行 | - | ||||
| MT60B1G16HT-48B AAT：a | 31.3050 | | 9032 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | 箱 | アクティブ | -40°C〜105°C | 表面マウント | 144-TFBGA | SDRAM -DDR5 | - | 144-FBGA （11x18.5 | - | 557-MT60B1G16HT-48BAAT：a | 1 | 2.4 GHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 1g x 16 | 平行 | - | ||||||||
| MT53E1G32D2NP-053 RS WT：B TR | 18.6300 | | 8525 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 557-MT53E1G32D2NP-053RSWT：BTR | 2,000 | ||||||||||||||||||
| EDBM432B3PB-1D-FD | - | | 6305 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 168-VFBGA | EDBM432 | SDRAM-モバイルLPDDR2 | 1.14V〜1.95V | 168-FBGA（12x12） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,680 | 533 MHz | 揮発性 | 12gbit | ドラム | 384m x 32 | 平行 | - | ||||
| MT62F2G32D4DS-023 WT：C TR | 45.6900 | | 7929 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -25°C〜85°C | 表面マウント | 200-WFBGA | SDRAM- lpddr5 | 1.05V | 200-WFBGA （10x14.5 | - | 557-MT62F2G32D4DS-023WT：CTR | 2,000 | 2.133 GHz | 揮発性 | 64gbit | ドラム | 2g x 32 | 平行 | - | ||||||||
| MT62F1G64D8CH-036 WT：A TR | - | | 4352 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -25°C〜85°C | MT62F1G64 | SDRAM- lpddr5 | 1.05V | - | 557-MT62F1G64D8CH-036WT：ATR | 廃止 | 8542.32.0071 | 2,500 | 2.75 GHz | 不揮発性 | 64gbit | フラッシュ | 1g x 64 | - | - | ||||||||
 | MT29F256G08CECABH6-6R：a | - | | 1270 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 152-VBGA | MT29F256G08 | フラッシュ-nand （mlc） | 2.7V〜3.6V | 152-VBGA（14x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 166 MHz | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | 平行 | - | ||||
| mtfc32gazaqdw-aat tr | 19.0800 | | 5301 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 557-MTFC32GAZAQDW-AATTR | 1,500 | ||||||||||||||||||
| MT62F1536M32D4DS-023 AIT：b | 43.5300 | | 8162 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | 箱 | アクティブ | - | 表面マウント | 200-WFBGA | SDRAM- lpddr5 | - | 200-WFBGA （10x14.5 | - | 557-MT62F1536M32D4DS-023AIT：b | 1 | 4.266 GHz | 揮発性 | 48gbit | ドラム | 1.5GX 32 | 平行 | - | ||||||||
 | MT53E1G16D1FW-046 WT：TR | 11.9850 | | 4016 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 200-TFBGA | SDRAM -MOBILE LPDDR4X | 1.06V〜1.17V | 200-TFBGA （10x14.5） | - | 557-MT53E1G16D1FW-046WT：ATR | 2,000 | 2.133 GHz | 揮発性 | 16gbit | 3.5 ns | ドラム | 1g x 16 | 平行 | 18ns |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
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