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メモリ（10402）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | EDBM432B3PB-1D-FD | - |  | 6305 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 168-VFBGA | EDBM432 | SDRAM-モバイルLPDDR2 | 1.14V〜1.95V | 168-FBGA（12x12） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,680 | 533 MHz | 揮発性 | 12gbit | ドラム | 384m x 32 | 平行 | - | ||||
| MT62F2G32D4DS-023 WT：C TR | 45.6900 | | 7929 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -25°C〜85°C | 表面マウント | 200-WFBGA | SDRAM- lpddr5 | 1.05V | 200-WFBGA （10x14.5 | - | 557-MT62F2G32D4DS-023WT：CTR | 2,000 | 2.133 GHz | 揮発性 | 64gbit | ドラム | 2g x 32 | 平行 | - | ||||||||
| MT62F1G64D8CH-036 WT：A TR | - | | 4352 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -25°C〜85°C | MT62F1G64 | SDRAM- lpddr5 | 1.05V | - | 557-MT62F1G64D8CH-036WT：ATR | 廃止 | 8542.32.0071 | 2,500 | 2.75 GHz | 不揮発性 | 64gbit | フラッシュ | 1g x 64 | - | - | ||||||||
 | MT29F256G08CECABH6-6R：a | - | | 1270 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 152-VBGA | MT29F256G08 | フラッシュ-nand （mlc） | 2.7V〜3.6V | 152-VBGA（14x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 166 MHz | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | 平行 | - | ||||
| mtfc32gazaqdw-aat tr | 19.0800 | | 5301 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 557-MTFC32GAZAQDW-AATTR | 1,500 | ||||||||||||||||||
| MT62F1536M32D4DS-023 AIT：b | 43.5300 | | 8162 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | 箱 | アクティブ | - | 表面マウント | 200-WFBGA | SDRAM- lpddr5 | - | 200-WFBGA （10x14.5 | - | 557-MT62F1536M32D4DS-023AIT：b | 1 | 4.266 GHz | 揮発性 | 48gbit | ドラム | 1.5GX 32 | 平行 | - | ||||||||
 | MT53E1G16D1FW-046 WT：TR | 11.9850 | | 4016 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 200-TFBGA | SDRAM -MOBILE LPDDR4X | 1.06V〜1.17V | 200-TFBGA （10x14.5） | - | 557-MT53E1G16D1FW-046WT：ATR | 2,000 | 2.133 GHz | 揮発性 | 16gbit | 3.5 ns | ドラム | 1g x 16 | 平行 | 18ns | |||||||
| mt29c8g96mazbadkd-5 it tr | - | | 4261 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 168-VFBGA | MT29C8G96 | フラッシュ-nand 、モバイルlpdram | 1.7V〜1.95V | 168-VFBGA（12x12） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 200 MHz | 不揮発性、揮発性 | 8gbit（nand | フラッシュ、ラム | 512M x 16 | 平行 | - | ||||
| MT29FEN64GDKCAAXDQ-10：TR | - | | 4920 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | MT29FEN64 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | |||||||||||||||||
| MT46H64M32L2JG-5：TR | - | | 9516 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | sicで中止されました | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 168-VFBGA | MT46H64M32 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 168-VFBGA（12x12） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 200 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 5 ns | ドラム | 64m x 32 | 平行 | 15ns | ||
| MT40A512M16TB-062E：J TR | - | | 3240 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 96-TFBGA | MT40A512M16 | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 96-FBGA （7.5x13.5） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | MT40A512M16TB-062E：JTR | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.6 GHz | 揮発性 | 8gbit | 19 ns | ドラム | 512m x 16 | 平行 | 15ns | ||
| MT62F1G32D2DS-023 AAT ES：B TR | 31.9350 | | 3905 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | 557-MT62F1G32D2DS-023AATE：Btr | 2,000 | |||||||||||||||||||||
| MT29F4T08EMLCHD4-T：c | 83.9100 | | 6270 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 557-MT29F4T08EMLCHD4-T：c | 1 | |||||||||||||||||||||
| MT29F4T08EULEEM4-QJ：e | 105.9600 | | 7820 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 557-MT29F4T08EULEEM4-QJ：e | 1 | |||||||||||||||||||||
| M29W400DB70N6F TR | - | | 8577 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | M29W400 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 1,500 | 不揮発性 | 4mbit | 70 ns | フラッシュ | 512K x 8、256K x 16 | 平行 | 70ns | |||
 | mtfc32gjgef-ait z | - | | 4260 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 169-TFBGA | mtfc32g | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 169-TFBGA | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | mtfc32gjgef-aitz | 廃止 | 0000.00.0000 | 980 | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | MMC | - | ||||
| MT41K1G8TRF-125：e | - | | 4778 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 78-TFBGA | mt41k1g8 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-FBGA （9.5x11.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 800 MHz | 揮発性 | 8gbit | 13.5 ns | ドラム | 1g x 8 | 平行 | - | ||
| MT29F512G08EBLEEJ4-M：e | 10.7250 | | 3659 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 557-MT29F512G08EBLEEJ4-M：e | 1 | |||||||||||||||||||||
 | MT53E512M32D1NP-053 RS WT：b | 9.3150 | | 7996 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | 200-WFBGA | 200-WFBGA （10x14.5 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 557-MT53E512M32D1NP-053RSWT：b | 1,360 | |||||||||||||||
| MT40A1G16KD-062E：e | - | | 5611 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 96-TFBGA | MT40A1G16 | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 96-FBGA （9x13） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 557-MT40A1G16KD-062E：e | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,140 | 1.6 GHz | 揮発性 | 16gbit | 19 ns | ドラム | 1g x 16 | 平行 | 15ns | |
| MT62F768M32D2DS-023 AUT：b | 40.9050 | | 8487 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 557-MT62F768M32D2DS-023AUT：b | 1 | |||||||||||||||||||||
| MT62F2G32D4DS-026 AAT ES：B TR | 63.8550 | | 2656 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C | 表面マウント | 200-WFBGA | SDRAM- lpddr5 | 1.05V | 200-WFBGA （10x14.5 | - | 557-MT62F2G32D4DS-026AATE：Btr | 2,000 | 3.2 GHz | 揮発性 | 64gbit | ドラム | 2g x 32 | 平行 | - | ||||||||
 | MT53D768M64D8NZ-046 WT ES：e | - | | 9835 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 新しいデザインではありません | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 376-WFBGA | MT53D768 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 376-WFBGA（14x14） | - | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,190 | 2.133 GHz | 揮発性 | 48gbit | ドラム | 768m x 64 | - | - | |||||
 | MT48LC8M16A2P-6A XIT：L TR | 6.5600 | | 7 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | MT48LC8M16A2 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 167 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5.4 ns | ドラム | 8m x 16 | 平行 | 12ns | ||
| MT62F512M64D4EK-031AAT：B TR | 32.5650 | | 6681 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C | 表面マウント | 441-TFBGA | SDRAM- lpddr5 | - | 441-TFBGA | - | 557-MT62F512M64D4EK-031AAT：BTR | 1,500 | 3.2 GHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 512m x 64 | 平行 | - | ||||||||
| MT62F768M64D4EK-023 AUT：b | 55.0800 | | 1123 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | 箱 | アクティブ | -40°C〜125°C | 表面マウント | 441-TFBGA | MT62F768 | SDRAM- lpddr5 | - | 441-TFBGA | - | 557-MT62F768M64D4EK-023AUT：b | 1 | 3.2 GHz | 揮発性 | 48gbit | ドラム | 768m x 64 | 平行 | - | |||||||
 | mtfc64gakaeyf-4mそれ | - | | 1500 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 153-LFBGA | mtfc64 | フラッシュ -ナンド | - | 153-lfbga（11.5x13 | - | ROHS3準拠 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,520 | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | MMC | - | ||||||
 | N25Q512A83GSFA0F TR | - | | 1158 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） | N25Q512A83 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 16-SO | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,000 | 108 MHz | 不揮発性 | 512mbit | フラッシュ | 128m x 4 | spi | 8ms、5ms | |||
| MT29F128G08CBCABH6-6M：a | - | | 7034 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 152-VBGA | MT29F128G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 152-VBGA（14x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 166 MHz | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | 平行 | - | ||||
 | M25P40-VMN6PBA | - | | 3464 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | M25P40 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 8-SO | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 2,000 | 75 MHz | 不揮発性 | 4mbit | フラッシュ | 512k x 8 | spi | 15ms、5ms |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
在庫倉庫
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