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メモリ（10402）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MT48LC8M32LFB5-8 TR Micron Technology Inc. MT48LC8M32LFB5-8 TR -
RFQ
 ECAD 7490 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 90-VFBGA MT48LC8M32 SDRAM- lPSDR 3V〜3.6V 90-VFBGA （8x13 ダウンロード ROHS3準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 125 MHz 揮発性 256mbit 7 ns ドラム 8m x 32 平行 15ns
MT29F4G16ABBFAH4-AATES:F TR Micron Technology Inc. MT29F4G16ABBFAH4-AATES：F TR -
RFQ
 ECAD 7576 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 63-VFBGA MT29F4G16 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 不揮発性 4gbit フラッシュ 256m x 16 平行 -
N25Q016A11E5140F TR Micron Technology Inc. N25Q016A11E5140F TR -
RFQ
 ECAD 8527 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-XFBGA 、CSPBGA N25Q016A11 フラッシュ - 1.7V〜2V 8-xfcsp（2x2.8） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 5,000 108 MHz 不揮発性 16mbit フラッシュ 4m x 4 spi 8ms、1ms
MT62F4G32D8DV-023 AUT:B TR Micron Technology Inc. MT62F4G32D8DV-023 AUT：B TR 145.4250
RFQ
 ECAD 3493 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C - - SDRAM- lpddr5 - - - 557-MT62F4G32D8DV-023AUT：BTR 2,000 4.266 GHz 揮発性 128GBIT ドラム 4g x 32 平行 -
MTFC64GAPALHT-AAT Micron Technology Inc. mtfc64gapalht-aat 56.9400
RFQ
 ECAD 579 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 前回購入します -40°C〜105°C（Ta） mtfc64 フラッシュ -ナンド - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MTFC64GAPALHT-AAT ear99 8542.32.0071 980 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 MMC -
MT29F2T08EELCHD4-T:C Micron Technology Inc. MT29F2T08EELCHD4-T：c 41.9550
RFQ
 ECAD 3837 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ - 557-MT29F2T08EELCHD4-T：c 1
PZ28F064M29EWBA Micron Technology Inc. PZ28F064M29EWBA -
RFQ
 ECAD 1940年 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-VFBGA PZ28F064M29 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-bga （6x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 不揮発性 64mbit 60 ns フラッシュ 8m x 8、4m x 16 平行 60ns
MT40A1G16TB-062E IT:F TR Micron Technology Inc. MT40A1G16TB-062E IT：F TR 14.9550
RFQ
 ECAD 2058 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA MT40A1G16 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 96-FBGA （7.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MT40A1G16TB-062EIT：FTR 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 1.6 GHz 揮発性 16gbit 19 ns ドラム 1g x 16 平行 15ns
MT46V16M16P-5B IT:K TR Micron Technology Inc. MT46V16M16P-5B IT：K Tr -
RFQ
 ECAD 1282 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT46V16M16 SDRAM -DDR 2.5V〜2.7V 66-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 200 MHz 揮発性 256mbit 700 ps ドラム 16m x 16 平行 15ns
M29W400DT55N6E Micron Technology Inc. M29W400DT55N6E -
RFQ
 ECAD 3199 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） M29W400 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 96 不揮発性 4mbit 55 ns フラッシュ 512K x 8、256K x 16 平行 55ns
MT29F512G08EBLEEJ4-QA:E TR Micron Technology Inc. MT29F512G08EBLEEJ4-QA：E TR 13.2450
RFQ
 ECAD 7781 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ - 557-MT29F512G08EBLEEJ4-QA：ETR 2,000
JS28F512M29EWL0 Micron Technology Inc. JS28F512M29EWL0 -
RFQ
 ECAD 3555 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） JS28F512M29 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0051 96 不揮発性 512mbit 110 ns フラッシュ 64m x 8、32m x 16 平行 110ns
MT62F1G16D1DS-023 IT:B TR Micron Technology Inc. MT62F1G16D1DS-023 IT：B TR 12.5550
RFQ
 ECAD 3878 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C 表面マウント 200-WFBGA SDRAM- lpddr5 1.05V 200-WFBGA （10x14.5 - 557-MT62F1G16D1DS-023IT：BTR 2,000 4.266 GHz 揮発性 16gbit ドラム 1g x 16 平行 -
MT46V32M16BN-5B:F Micron Technology Inc. MT46V32M16BN-5B：F -
RFQ
 ECAD 1631 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 60-TFBGA MT46V32M16 SDRAM -DDR 2.5V〜2.7V 60-FBGA （10x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 200 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 32m x 16 平行 15ns
M58LR128KT85ZB6E Micron Technology Inc. M58LR128KT85ZB6E -
RFQ
 ECAD 7571 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-VFBGA M58LR128 フラッシュ - 1.7V〜2V 56-VFBGA （7.7x9） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 336 66 MHz 不揮発性 128mbit 85 ns フラッシュ 8m x 16 平行 85ns
EMF8164A3PK-DV-F-D Micron Technology Inc. EMF8164A3PK-DV-FD -
RFQ
 ECAD 3439 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1,680
MT29F8G01ADAFD12-AAT:F TR Micron Technology Inc. MT29F8G01ADAFD12-AAT：F Tr -
RFQ
 ECAD 1638 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 24-tbga MT29F8G01 フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 24-T-PBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない MT29F8G01ADAFD12-AAT：FTR 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 83 MHz 不揮発性 8gbit フラッシュ 8g x 1 spi -
PF48F4400P0VBQE0 Micron Technology Inc. PF48F4400P0VBQE0 -
RFQ
 ECAD 8008 0.00000000 Micron Technology Inc. axcell™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 88-TFBGA 、CSPBGA 48F4400P0 フラッシュ - 1.7V〜2V 88-scsp（ 8x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0051 176 52 MHz 不揮発性 512mbit 100 ns フラッシュ 32m x 16 平行 100ns
MT29GZ5A5BPGGA-53AAT.87J TR Micron Technology Inc. MT29GZ5A5BPGGA-53AAT.87J TR -
RFQ
 ECAD 1115 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 149-WFBGA MT29GZ5A5 フラッシュ-Nand dram -lpddr4 1.8V 149-WFBGA （8x9.5） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 1866 MHz 不揮発性、揮発性 4gbit （nand ）、4gbit （lpddr4） フラッシュ、ラム 512m x 8 平行 -
MT53B128M32D1DS-062 AAT:A Micron Technology Inc. MT53B128M32D1DS-062 AAT：a -
RFQ
 ECAD 1796 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ 廃止 -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 200-WFBGA MT53B128 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,360 1.6 GHz 揮発性 4gbit ドラム 128m x 32 - -
MT58L512Y36PF-6 Micron Technology Inc. MT58L512Y36PF-6 22.9300
RFQ
 ECAD 121 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst™ バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-TBGA MT58L512Y36 sram 3.135V〜3.465V 165-FBGA ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A991B2A 8542.32.0041 1 166 MHz 揮発性 18mbit 3.5 ns sram 512K x 36 平行 -
MTFC8GLWDM-AIT Z TR Micron Technology Inc. mtfc8glwdm-ait z tr -
RFQ
 ECAD 5276 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 153-TFBGA mtfc8 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 153-TFBGA （11.5x13 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 MMC -
MT41K256M8DA-107 AAT:K TR Micron Technology Inc. MT41K256M8DA-107 AAT：K Tr 5.3633
RFQ
 ECAD 7291 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 78-TFBGA MT41K256M8 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 933 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 256m x 8 平行 -
MT62F768M32D2DS-023 AAT:B TR Micron Technology Inc. MT62F768M32D2DS-023 AAT：B TR 25.6500
RFQ
 ECAD 4089 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ - 557-MT62F768M32D2DS-023AAT：BTR 2,000
MT53E2G32D4NQ-046 WT:C TR Micron Technology Inc. MT53E2G32D4NQ-046 WT：C TR 36.8700
RFQ
 ECAD 8168 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 200-VFBGA MT53E2G32 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-VFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MT53E2G32D4NQ-046WT：CTR 2,000 2.133 GHz 揮発性 64gbit ドラム 2g x 32 - -
MT29F2G08ABAGAWP-IT:G Micron Technology Inc. MT29F2G088888ABAGAWP-IT：g 1.8583
RFQ
 ECAD 7904 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F2G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない -MT29F2G08888ABAGAWP-IT：GTR 3A991B1A 8542.32.0071 960 不揮発性 2Gbit フラッシュ 256m x 8 平行 -
MT25QL01GBBB8E12-0AUT TR Micron Technology Inc. MT25QL01GBBB8E12-0AUT TR 19.8600
RFQ
 ECAD 8280 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 24-tbga MT25QL01 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-T-PBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 133 MHz 不揮発性 1gbit フラッシュ 128m x 8 spi 8ms、2.8ms
MT41K1G8SN-125:A Micron Technology Inc. MT41K1G8SN-125：a -
RFQ
 ECAD 6262 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA mt41k1g8 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA （9x13.2 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1 800 MHz 揮発性 8gbit 13.75 ns ドラム 1g x 8 平行 -
MT58L64L32PT-6 Micron Technology Inc. MT58L64L32PT-6 3.5200
RFQ
 ECAD 75 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst™ バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp MT58L64L32 sram 3.135V〜3.6V 100-TQFP（14x20.1 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A991B2A 8542.32.0041 500 166 MHz 揮発性 2mbit 3.5 ns sram 64k x 32 平行 -
MT46V32M16TG-5B:C TR Micron Technology Inc. MT46V32M16TG-5B：C Tr -
RFQ
 ECAD 6161 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT46V32M16 SDRAM -DDR 2.5V〜2.7V 66-tsop - ROHS非準拠 4 （72 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 200 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 32m x 16 平行 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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