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メモリ（10402）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT58L128L32P1T-6C | 4.7500 |  | 33 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst™ | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 100-lqfp | sram-標準 | 3.135V〜3.6V | 100-TQFP（14x20.1 | ダウンロード | 適用できない | 3 （168 時間） | 未定義のベンダー | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 166 MHz | 揮発性 | 4mbit | 3.5 ns | sram | 128k x 32 | 平行 | - | |||
 | MT29V5D7GVESL-046I.216 | 31.6800 | | 1679 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 557-MT29V5D7GVESL-046I.216 | 1 | |||||||||||||||||||||
| MT62F512M32D2DS-031 AIT：B TR | 15.5550 | | 8613 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜95°C | 表面マウント | 200-WFBGA | SDRAM- lpddr5 | - | 200-WFBGA （10x14.5 | - | 557-MT62F512M32D2DS-031AIT：BTR | 2,000 | 3.2 GHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 512m x 32 | 平行 | - | ||||||||
 | MT29F8G01ADBFD12-AAT：F Tr | 9.2550 | | 8269 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 24-tbga | MT29F8G01 | フラッシュ-nand（slc） | 1.7V〜1.95V | 24-T-PBGA | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | MT29F8G01ADBFD12-AAT：FTR | 8542.32.0071 | 2,000 | 83 MHz | 不揮発性 | 8gbit | フラッシュ | 8g x 1 | spi | - | |||
| MT29F16G08CBACAL72A3WC1L | 2.9000 | | 2117 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 死ぬ | MT29F16G08 | フラッシュ-nand （mlc） | 2.7V〜3.6V | ウェーハ | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 557-MT29F16G08CBACAL72A3WC1L | 1 | 不揮発性 | 16gbit | フラッシュ | 2g x 8 | onfi | 20ns | |||||
| mt53e4d1bde-dc | 22.5000 | | 8242 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | アクティブ | mt53e4 | - | 影響を受けていない | 557-MT53E4D1BDE-DC | 1,360 | |||||||||||||||||||
| MTC20C2085S1TC48BAX | 410.2350 | | 9990 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 557-MTC20C2085S1TC48BAX | 1 | |||||||||||||||||||||
| MT49H16M18CBM-25：b | - | | 7022 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 144-TFBGA | MT49H16M18 | ドラム | 1.7V〜1.9V | 144-µbga（18.5x11） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 400 MHz | 揮発性 | 288mbit | 20 ns | ドラム | 16m x 18 | 平行 | - | ||
| MT47H64M16NF-25E AUT：M TR | - | | 6220 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜125°C | 表面マウント | 84-TFBGA | MT47H64M16 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-FBGA （8x12.5 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 2,000 | 400 MHz | 揮発性 | 1gbit | 400 PS | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns | ||
| MT53E2D1AFW-DC | 22.5000 | | 7718 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | アクティブ | mt53e2 | - | 影響を受けていない | 557-MT53E2D1AFW-DC | 1,360 | |||||||||||||||||||
| MT62F3G32D8DV-026 WT ES：b | 122.7600 | | 7444 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | -25°C〜85°C | - | - | SDRAM- lpddr5 | - | - | - | 557-MT62F3G32D8DV-026WTES：b | 1 | 3.2 GHz | 揮発性 | 96gbit | ドラム | 3g x 32 | 平行 | - | ||||||||
| MT29GZ5A5BPGGA-046IT.87J TR | 9.0000 | | 3241 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 149-WFBGA | フラッシュnand（ slc ）、 dram -lpddr4 | 1.06V〜1.17V | 149-WFBGA （8x9.5） | - | 557-MT29GZ5A5BPGGA-046IT.87JTR | 2,000 | 不揮発性、揮発性 | 4gbit | 25 ns | フラッシュ、ラム | 512m x 8 | onfi | 30ns | ||||||||
| MT53E2G32D4DE-046 AAT：C Tr | 56.5050 | | 3009 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C （TC） | 表面マウント | 200-TFBGA | SDRAM -MOBILE LPDDR4X | 1.06V〜1.17V | 200-TFBGA （10x14.5） | - | 557-MT53E2G32D4DE-046AAT：CTR | 2,000 | 2.133 GHz | 揮発性 | 64gbit | 3.5 ns | ドラム | 2g x 32 | 平行 | 18ns | |||||||
| MT29F128G08CBCEBL05B3WC1-M | 7.7000 | | 7598 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 死ぬ | MT29F128G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 死ぬ | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 1 | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | 平行 | - | |||||
| mtfc8gamalht-aat | 11.1750 | | 1252 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | mtfc8 | フラッシュ -ナンド | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 557-MTFC8GAMALHT-AAT | 8542.32.0071 | 980 | 不揮発性 | 64gbit | フラッシュ | 8g x 8 | MMC | - | |||||||
 | MT53E2G32D4DT-046 AIT：A TR | 57.3900 | | 7858 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜95°C（TC） | MT53E2G32 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | MT53E2G32D4DT-046AIT：ATR | 0000.00.0000 | 2,000 | 2.133 GHz | 揮発性 | 64gbit | ドラム | 2g x 32 | - | - | ||||||
 | N25Q128A11E1241F TR | - | | 3472 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 24-tbga | N25Q128A11 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 24-T-PBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 108 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 32m x 4 | spi | 8ms、5ms | ||||
| MT49H32M18BM-25：b | - | | 3952 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 144-TFBGA | MT49H32M18 | ドラム | 1.7V〜1.9V | 144-µbga（18.5x11） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 400 MHz | 揮発性 | 576mbit | 20 ns | ドラム | 32m x 18 | 平行 | - | ||
| MT53B384M16D1NK-062 WT ES：B TR | - | | 8273 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | - | - | MT53B384 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 1.6 GHz | 揮発性 | 6gbit | ドラム | 384m x 16 | - | - | |||
| MT60B2G8HB-48B IT：A TR | 18.2400 | | 5805 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 82-VFBGA | SDRAM -DDR5 | - | 82-VFBGA （9x11） | - | 557-MT60B2G8HB-48ビット：ATR | 3,000 | 2.4 GHz | 揮発性 | 16gbit | 16 ns | ドラム | 2g x 8 | ポッド | - | |||||||
| MT58L64L36PT-6 | 4.2600 | | 7 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst™ | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 100-lqfp | MT58L64L36 | sram | 3.135V〜3.6V | 100-TQFP（14x20.1 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 未定義のベンダー | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 166 MHz | 揮発性 | 2mbit | 3.5 ns | sram | 64k x 36 | 平行 | - | ||
 | MT48LC4M32B2P-6A IT：L TR | - | | 5319 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 86-TFSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | MT48LC4M32B2 | SDRAM | 3V〜3.6V | 86-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 2,000 | 167 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5.4 ns | ドラム | 4m x 32 | 平行 | 12ns | ||
| MT62F1536M64D8EK-026 WT ES：B TR | 102.0600 | | 9556 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -25°C〜85°C | 表面マウント | 441-TFBGA | SDRAM- lpddr5 | - | 441-TFBGA | - | 557-MT62F1536M64D8EK-026WTES：BTR | 1,500 | 3.2 GHz | 揮発性 | 96gbit | ドラム | 1.5GX 64 | - | - | ||||||||
| MT52L1G32D4PG-093 WT：B TR | 53.9550 | | 9168 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 178-VFBGA | MT52L1G32 | SDRAM- lpddr3 | 1.2V | 178-FBGA（12x11.5） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | MT52L1G32D4PG-093WT：BTR | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 1.066 GHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 1g x 32 | - | - | ||
 | MT53E512M32D1ZW-046BAUT：b | - | | 9948 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | アクティブ | -40°C〜125°C | 表面マウント | 200-TFBGA | SDRAM -MOBILE LPDDR4X | 1.06V〜1.17V | 200-TFBGA （10x14.5） | - | 557-MT53E512M32D1ZW-046BAUT：b | 1 | 2.133 GHz | 揮発性 | 16gbit | 3.5 ns | ドラム | 512m x 32 | 平行 | 18ns | |||||||
| MT58L512L18DT-7.5 | 8.5300 | | 6 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst™ | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 100-lqfp | sram-標準 | 3.135V〜3.6V | 100-TQFP（14x20.1 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | 揮発性 | 8mbit | 4 ns | sram | 512K x 18 | 平行 | - | |||
| MT40A2G8JC-062E：e | - | | 8915 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 78-TFBGA | MT40A2G8 | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 78-FBGA （9x11） | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 557-MT40A2G8JC-062E：e | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,260 | 1.6 GHz | 揮発性 | 16gbit | 19 ns | ドラム | 2g x 8 | 平行 | 15ns | ||
 | MT53E1G32D2FW-046 AIT：a | 29.8650 | | 7762 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | 箱 | アクティブ | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 200-TFBGA | SDRAM -MOBILE LPDDR4X | 1.06V〜1.17V | 200-TFBGA （10x14.5） | ダウンロード | 557-MT53E1G32D2FW-046AIT：a | 1 | 2.133 GHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 1g x 32 | 平行 | 18ns | ||||||||
| MT53B512M16D1Z11MWC1 | - | | 6088 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | * | バルク | アクティブ | MT53B512 | - | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||
| MT52L256M32D1V01MWC2 MS | - | | 3649 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | * | バルク | アクティブ | MT52L256 | - | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 1 |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
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