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メモリ（10402）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MT48H16M16LFBF-6:H Micron Technology Inc. MT48H16M16LFBF-6：h -
RFQ
 ECAD 4622 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-VFBGA MT48H16M16 SDRAM- lPSDR 1.7V〜1.95V 54-VFBGA （8x9） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 166 MHz 揮発性 256mbit 5 ns ドラム 16m x 16 平行 15ns
MT46H32M32LFCG-5 IT:A TR Micron Technology Inc. MT46H32M32LFCG-5 IT：A TR -
RFQ
 ECAD 5538 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 152-VFBGA MT46H32M32 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 152-VFBGA（14x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,000 200 MHz 揮発性 1gbit 5 ns ドラム 32m x 32 平行 15ns
MT25QU512ABB8ESF-0AAT Micron Technology Inc. MT25QU512ABB8ESF-0AAT 10.3400
RFQ
 ECAD 810 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） MT25QU512 フラッシュ - 1.7V〜2V 16-SO ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない -791-MT25QU512ABB8ESF-0AAT 3A991B1A 8542.32.0071 1,440 133 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 64m x 8 spi 8ms、2.8ms
RC48F4400P0VB0EJ Micron Technology Inc. RC48F4400P0VB0EJ -
RFQ
 ECAD 4534 0.00000000 Micron Technology Inc. axcell™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 64-TBGA RC48F4400 フラッシュ - 1.7V〜2V 64-easybga ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない -RC48F4400P0VB0EJ 3A991B1A 8542.32.0071 864 52 MHz 不揮発性 512mbit 100 ns フラッシュ 32m x 16 平行 100ns
MT29F512G08CEHBBJ4-3R:B TR Micron Technology Inc. MT29F512G08CEHBBJ4-3R：B TR -
RFQ
 ECAD 3056 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 132-VBGA MT29F512G08 フラッシュ-nand （mlc） 2.5V〜3.6V 132-VBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 333 MHz 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 平行 -
MTFC128GAZAQJP-IT TR Micron Technology Inc. mtfc128gazaqjp-it tr 52.2300
RFQ
 ECAD 4295 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 153-VFBGA MTFC128 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 153-VFBGA （11.5x13 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MTFC128GAZAQJP-ITTR 2,000 200 MHz 不揮発性 1tbit フラッシュ 128g x 8 EMMC -
MTFC128GASAONS-IT TR Micron Technology Inc. mtfc128gasaons-it tr 60.9450
RFQ
 ECAD 6996 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ - 557-MTFC128GASAONS-ITTR 2,000
MT29E4T08EYHBBG9-3:B Micron Technology Inc. MT29E4T08EYHBBG9-3：b -
RFQ
 ECAD 7622 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ 0°C〜70°C（Ta） - - MT29E4T08 フラッシュ -ナンド 2.5V〜3.6V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 980 333 MHz 不揮発性 4tbit フラッシュ 512g x 8 平行 -
MT29F2G01ABAGDSF-AAT:G Micron Technology Inc. MT29F2G01ABAGDSF-AAT：g -
RFQ
 ECAD 7870 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） MT29F2G01 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 16-SO - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,440 不揮発性 2Gbit フラッシュ 2g x 1 spi -
MT62F2G64D8EK-023 WT ES:B Micron Technology Inc. MT62F2G64D8EK-023 WT ES：b 90.4650
RFQ
 ECAD 5248 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ -25°C〜85°C 表面マウント 441-TFBGA SDRAM- lpddr5 1.05V 441-TFBGA - 557-MT62F2G64D8EK-023WTES：b 1 4.266 GHz 揮発性 128GBIT ドラム 2g x 64 平行 -
MT48LC4M16A2B4-7E:J Micron Technology Inc. MT48LC4M16A2B4-7E：J -
RFQ
 ECAD 4790 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-VFBGA MT48LC4M16A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-VFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 揮発性 64mbit 5.4 ns ドラム 4m x 16 平行 14ns
MT29F64G08CBCGBWP-B:G Micron Technology Inc. MT29F64G08CBCGBWP-B：g -
RFQ
 ECAD 1525 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F64G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 960 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 平行 -
MT53D4DBNZ-DC Micron Technology Inc. mt53d4dbnz-dc -
RFQ
 ECAD 7149 0.00000000 Micron Technology Inc. * 箱 アクティブ mt53d4 - 影響を受けていない 0000.00.0000 1,190
MT40A1G16TD-062E AAT:F Micron Technology Inc. MT40A1G16TD-062EAAT：F 27.8700
RFQ
 ECAD 4228 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 箱 アクティブ -40°C〜105°C （TC） - - SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V - - 557-MT40A1G16TD-062EAAT：f 1 1.6 GHz 揮発性 16gbit 19 ns ドラム 1g x 16 ポッド 15ns
MT53D1G64D8NZ-046 WT:E TR Micron Technology Inc. MT53D1G64D8NZ-046 WT：E TR 98.1150
RFQ
 ECAD 4375 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 376-WFBGA MT53D1G64 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 376-WFBGA（14x14） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 2.133 GHz 揮発性 64gbit ドラム 1g x 64 - -
MT53D1G64D8SQ-046 WT:E TR Micron Technology Inc. MT53D1G64D8S​​ Q-046 WT：E TR -
RFQ
 ECAD 9337 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 mt53d1 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 557-MT53D1G64D8S​​ Q-046WT：ETR 廃止 2,000
MT62F2G64D8EK-023 FAAT:B Micron Technology Inc. MT62F2G64D8EK-023 FAAT：b 126.4350
RFQ
 ECAD 6573 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ - 557-MT62F2G64D8EK-023FAAT：b 1
RC28F512M29EWLA Micron Technology Inc. RC28F512M29EWLA -
RFQ
 ECAD 2971 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-lbga RC28F512 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-FBGA （11x13 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,104 不揮発性 512mbit 100 ns フラッシュ 64m x 8、32m x 16 平行 100ns
M28W320HSU70ZA6F TR Micron Technology Inc. M28W320HSU70ZA6F TR -
RFQ
 ECAD 9466 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-TFBGA M28W320 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-TFBGA（10.5x6.39） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 不揮発性 32mbit 70 ns フラッシュ 2m x 16 平行 70ns
MT29F1T08EELEEJ4-QC:E TR Micron Technology Inc. MT29F1T08EELEEJ4-QC：E Tr 26.4750
RFQ
 ECAD 3563 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ - 557-MT29F1T08EELEEJ4-QC：ETR 2,000
MTFC8GACAANA-4M IT TR Micron Technology Inc. mtfc8gacaana-4m it tr -
RFQ
 ECAD 5998 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-TBGA mtfc8 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.3V 100-TBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） mtfc8gacaana-4mittr 廃止 1,000 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 MMC -
MT40A1G16TD-062E AUT:F TR Micron Technology Inc. MT40A1G16TD-062E AUT：F TR 22.8450
RFQ
 ECAD 3545 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C - - SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V - - 557-MT40A1G16TD-062EAUT：FTR 2,000 1.6 GHz 揮発性 16gbit 19 ns ドラム 1g x 16 平行 15ns
MT40A1G4SA-062E:F Micron Technology Inc. MT40A1G4SA-062E：F -
RFQ
 ECAD 8361 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA MT40A1G4 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 78-FBGA （7.5x11） - 3 （168 時間） 557-MT40A1G4SA-062E：F 廃止 100 1.6 GHz 揮発性 4gbit 19 ns ドラム 1g x 4 平行 15ns
MT29F1T08EEHBFJ4-R:B TR Micron Technology Inc. MT29F1T08EEHBFJ4-R：B TR -
RFQ
 ECAD 5266 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 132-VBGA MT29F1T08 フラッシュ-Nand （TLC） 1.7V〜1.95V 132-VBGA（12x18） - 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MT29F1T08EEHBFJ4-R：BTR 廃止 8542.32.0071 1,000 不揮発性 1tbit フラッシュ 128g x 8 平行 -
MT53B384M32D2NP-053 WT:B TR Micron Technology Inc. MT53B384M32D2NP-053 WT：B TR -
RFQ
 ECAD 3808 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 200-WFBGA MT53B384 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 1.866 GHz 揮発性 12gbit ドラム 384m x 32 - -
MT29GZ5A3BPGGA-53AIT.87K TR Micron Technology Inc. MT29GZ5A3BPGGA-53AIT.87K TR 11.1900
RFQ
 ECAD 3929 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ MT29GZ5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない MT29GZ5A3BPGGA-53AIT.87KTR 0000.00.0000 2,000
MT46V64M8CY-5B IT:J TR Micron Technology Inc. MT46V64M8CY-5B IT：J TR -
RFQ
 ECAD 1289 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 60-TFBGA mt46v64m8 SDRAM -DDR 2.5V〜2.7V 60-FBGA （8x12.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 200 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 64m x 8 平行 15ns
MT53B512M64D4NZ-062 WT ES:D TR Micron Technology Inc. MT53B512M64D4NZ-062 WT ES：D TR -
RFQ
 ECAD 7352 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -30°C〜85°C （TC） - - MT53B512 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - - 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 1.6 GHz 揮発性 32gbit ドラム 512m x 64 - -
MT42L32M32D1HE-18 IT:D Micron Technology Inc. MT42L32M32D1HE-18それ：d 5.8128
RFQ
 ECAD 1936年年 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ アクティブ -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 134-VFBGA MT42L32M32 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.3V 134-VFBGA （10x11.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MT42L32M32D1HE-18IT：d ear99 8542.32.0032 1,680 533 MHz 揮発性 1gbit ドラム 32m x 32 平行 15ns
MT53E768M32D4DT-053 AIT:E TR Micron Technology Inc. MT53E768M32D4DT-053 AIT：E TR 26.6100
RFQ
 ECAD 9876 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 200-VFBGA MT53E768 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-VFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない MT53E768M32D4DT-053AIT：ETR ear99 8542.32.0036 2,000 1.866 GHz 揮発性 24Gbit ドラム 768m x 32 - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

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    世界的なメーカー

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    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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