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メモリ（10402）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | M29W010B90K1 | - |  | 7056 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 32-lcc | M29W010 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 32-PLCC（11.35x13.89） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 32 | 不揮発性 | 1mbit | 90 ns | フラッシュ | 128k x 8 | 平行 | 90ns | |||
| MT29TZZZAD8DKKBT-107 W ES.9F8 TR | - | | 1913年年 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | * | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | mt29tzzzad8 | - | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 1,000 | ||||||||||||||||||
 | JS28F00AM29EWH0 | - | | 4469 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | sicで中止されました | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | JS28F00AM29 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 56-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0051 | 96 | 不揮発性 | 1gbit | 110 ns | フラッシュ | 128m x 8、64m x 16 | 平行 | 110ns | |||
| mtfc256gasaons-aat tr | 101.8350 | | 2435 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | 557-MTFC256GASAONS-AATTR | 2,000 | |||||||||||||||||||||
 | mtfc8glwdq-3l ait z tr | - | | 2145 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 100-lbga | mtfc8 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 100-lbga（14x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 64gbit | フラッシュ | 8g x 8 | MMC | - | ||||
| MT47H64M16NF-25E AAT：M TR | 4.2472 | | 7132 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 84-TFBGA | MT47H64M16 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-FBGA （8x12.5 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | MT47H64M16NF-25EAAT：MTR | ear99 | 8542.32.0032 | 2,000 | 400 MHz | 揮発性 | 1gbit | 400 PS | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns | |
| MT53E1G64D4HJ-046 AUT：C Tr | 64.9800 | | 7826 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜125°C | 表面マウント | 556-TFBGA | SDRAM -MOBILE LPDDR4X | 1.06V〜1.17V | 556-WFBGA（12.4x12.4 | ダウンロード | 557-MT53E1G64D4HJ-046AUT：CTR | 2,000 | 2.133 GHz | 揮発性 | 64gbit | 3.5 ns | ドラム | 1g x 64 | 平行 | 18ns | |||||||
| mt29kzzz4d4tgfak-5 w.6z4 tr | - | | 7690 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | |||||||||||||||||
| mt30azzzddddb0tpwl-031 wl.19r tr | 108.7200 | | 1712 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | 557-MT30AZZZDDDDB0TPWL-031WL.19RTR | 2,000 | |||||||||||||||||||||
| TE28F256P30TFA | - | | 4576 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | 28F256P30 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 56-tsop | ダウンロード | ROHS非準拠 | 2（1 年） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0051 | 96 | 40 MHz | 不揮発性 | 256mbit | 110 ns | フラッシュ | 16m x 16 | 平行 | 110ns | ||
 | MT46H8M32LFB5-5 IT：h | - | | 4222 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 90-VFBGA | MT46H8M32 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 90-VFBGA （8x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 200 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5 ns | ドラム | 8m x 32 | 平行 | 15ns | ||
| MT29F2T08EELCHD4-M：C Tr | 41.9550 | | 1895年 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | 557-MT29F2T08EELCHD4-M：CTR | 2,000 | |||||||||||||||||||||
 | MT53E128M16D1DS-053 AAT：a | - | | 9396 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | 廃止 | -40°C〜105°C （TC） | MT53E128 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | MT53E128M16D1DS-053AAT：a | ear99 | 8542.32.0036 | 1,360 | 1.866 GHz | 揮発性 | 2Gbit | ドラム | 128m x 16 | - | - | ||||||
 | PC28F128J3F75F | - | | 5578 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 64-TBGA | PC28F128 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-easybga （10x13） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 136 | 不揮発性 | 128mbit | 75 ns | フラッシュ | 16m x 8、8m x 16 | 平行 | 75ns | ||||
| MT62F2G32D4DS-023 WT ES：C TR | 45.6900 | | 9932 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -25°C〜85°C | 表面マウント | 200-WFBGA | SDRAM- lpddr5 | 1.05V | 200-WFBGA （10x14.5 | - | 557-MT62F2G32D4DS-023WTES：CTR | 2,000 | 2.133 GHz | 揮発性 | 64gbit | ドラム | 2g x 32 | 平行 | - | ||||||||
| PC28F512P33BF0 | - | | 9147 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | axcell™ | トレイ | sicで中止されました | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 64-TBGA | PC28F512 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 64-easybga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 184 | 52 MHz | 不揮発性 | 512mbit | 95 ns | フラッシュ | 32m x 16 | 平行 | 95ns | ||
| MT48H4M32LFB5-75 at：k | - | | 8142 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 90-VFBGA | MT48H4M32 | SDRAM- lPSDR | 1.7V〜1.95V | 90-VFBGA （8x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 133 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5.4 ns | ドラム | 4m x 32 | 平行 | 15ns | ||
| MT29VZZZBDAFQKWL-046 W.G0J | 83.2350 | | 8344 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | -25°C〜85°C | 表面マウント | 254-BGA | フラッシュnand、dram -lpddr4x | - | 254-MCP | - | 557-MT29VZZZBDAFQKWL-046W.G0J | 1 | 2.133 GHz | 不揮発性、揮発性 | 2tbit （nand ）、48gbit （lpddr4x） | フラッシュ、ラム | 256g x 8 | UFS2.1 | - | ||||||||
| MT52L1DAPF-DC | - | | 5038 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | * | 箱 | アクティブ | MT52L1 | - | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 1,134 | ||||||||||||||||||
 | MT58L256V18P1T-7.5 | 5.2200 | | 282 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst™ | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 100-lqfp | sram-標準 | 3.135V〜3.6V | 100-TQFP（14x20.1 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 未定義のベンダー | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | 揮発性 | 4mbit | 4 ns | sram | 256k x 18 | 平行 | - | |||
| MT29F4T08EULCEM4-QJ：c | 121.0800 | | 1863年 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 557-MT29F4T08EULCEM4-QJ：c | 1 | |||||||||||||||||||||
| MT53E1G32D2NP-053 RS WT：A TR | - | | 4558 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 557-MT53E1G32D2NP-053RSWT：ATR | 廃止 | 2,000 | ||||||||||||||||||
 | MT29F2G08888ABAGAH4-AITES：g | 3.6385 | | 3816 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F2G08 | フラッシュ-nand（slc） | 2.7V〜3.6V | 63-VFBGA （9x11） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 8542.32.0071 | 1,260 | 不揮発性 | 2Gbit | フラッシュ | 256m x 8 | 平行 | - | |||||
| mtfc128gasaqjp-aat | 57.1950 | | 3334 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | 箱 | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 153-VFBGA | フラッシュ-nand（slc） | 2.7V〜3.6V | 153-VFBGA （11.5x13 | - | 557-MTFC128GASAQJP-AAT | 1 | 200 MHz | 不揮発性 | 1tbit | フラッシュ | 128g x 8 | EMMC_5.1 | - | ||||||||
| MTEDFBR16SCA-1P2IT | - | | 8301 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | チューブ | アクティブ | MTEDFBR16 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 150 | |||||||||||||||||
| PC28F640P33TF60A | - | | 8358 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（TC） | 表面マウント | 64-TBGA | PC28F640 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 64-easybga （10x13） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,800 | 52 MHz | 不揮発性 | 64mbit | 60 ns | フラッシュ | 4m x 16 | 平行 | 60ns | ||
 | MT46H32M32LFCM-5：TR | - | | 2895 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 90-VFBGA | MT46H32M32 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 90-VFBGA （10x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 2（1 年） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 200 MHz | 揮発性 | 1gbit | 5 ns | ドラム | 32m x 32 | 平行 | 15ns | ||
 | MT29F1T08EEHAFJ4-3T：a | - | | 5475 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 132-VBGA | MT29F1T08 | フラッシュ -ナンド | 2.5V〜3.6V | 132-VBGA（12x18） | - | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,120 | 333 MHz | 不揮発性 | 1tbit | フラッシュ | 128g x 8 | 平行 | - | ||||||
| MT53E768M32D2NP-046 WT：b | 14.6700 | | 1018 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 557-MT53E768M32D2NP-046WT：b | 1,360 | ||||||||||||||||||
 | MT29F128G08AUABAC5-IT：b | - | | 6393 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 52-VLGA | MT29F128G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 52-VLGA（18x14） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | 平行 | - |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
在庫倉庫
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