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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MT40A2G8NEA-062E:R Micron Technology Inc. MT40A2G8NEA-062E:R 21.7650
RFQ
ECAD 3877 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク アクティブ 0°C〜95°C (TC 表面マウント 78-TFBGA MT40A2G8 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 78-FBGA (7.5x11) - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 557-MT40A2G8NEA-062E:R 1,260 1.6 GHz 揮発性 16gbit 13.75 ns ドラム 2g x 8 平行 15ns
MT42L128M32D1LF-18 WT:A TR Micron Technology Inc. MT42L128M32D1LF-18 WT:A TR -
RFQ
ECAD 9284 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 -30°C〜85°C (TC) 表面マウント 168-wfbga MT42L128M32 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.3V 168-FBGA(12x12) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 廃止 0000.00.0000 1,000 533 MHz 揮発性 4gbit ドラム 128m x 32 平行 -
MT48LC64M4A2P-6A:G Micron Technology Inc. MT48LC64M4A2P-6A:g -
RFQ
ECAD 4177 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) MT48LC64M4A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,080 167 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 64m x 4 平行 12ns
MTFC4GMVEA-4M IT Micron Technology Inc. mtfc4gmvea-4m it -
RFQ
ECAD 3351 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ バルク sicで中止されました -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 153-WFBGA mtfc4 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 153-wfbga(11.5x13 - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8523.51.0000 1,000 不揮発性 32gbit フラッシュ 4g x 8 MMC -
MT60B1G16HC-48B:A TR Micron Technology Inc. MT60B1G16HC-48B:TR 16.5750
RFQ
ECAD 2988 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) アクティブ 0°C〜95°C (TC 表面マウント 102-VFBGA SDRAM -DDR5 - 102-VFBGA (9x14 - 557-MT60B1G16HC-48B:ATR 2,000 2.4 GHz 揮発性 16gbit 16 ns ドラム 1g x 16 ポッド -
MTFC64GASAONS-AAT Micron Technology Inc. mtfc64gasaons-aat 41.4750
RFQ
ECAD 1319 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 アクティブ -40°C〜105°C (TC) 表面マウント 153-TFBGA フラッシュ-nand(slc) 2.7V〜3.6V 153-TFBGA (11.5x13 - 557-MTFC64GASAONS-AAT 1 52 MHz 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 UFS2.1 -
MT29F1T208EGHBBG1-3R:B TR Micron Technology Inc. MT29F1T208EGHBBG1-3R:B TR -
RFQ
ECAD 2933 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 272-VFBGA MT29F1T208 フラッシュ -ナンド 2.5V〜3.6V 272-VBGA(14x18) - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 333 MHz 不揮発性 1.125tbit フラッシュ 144g x 8 平行 -
M29W160EB70ZA6E Micron Technology Inc. M29W160EB70ZA6E -
RFQ
ECAD 8843 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 48-TFBGA M29W160 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 187 不揮発性 16mbit 70 ns フラッシュ 2m x 8、1m x 16 平行 70ns
M25P40-VMB3TPB TR Micron Technology Inc. M25P40-VMB3TPB TR -
RFQ
ECAD 5118 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜125°C(タタ 表面マウント 8-ufdfn露出パッド M25P40 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 8-ufdfpn (2x3) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 2,500 75 MHz 不揮発性 4mbit フラッシュ 512k x 8 spi 15ms、5ms
MT41K256M8DA-125:K Micron Technology Inc. MT41K256M8DA-125:k 5.3700
RFQ
ECAD 29 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ 0°C〜95°C (TC 表面マウント 78-TFBGA MT41K256M8 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA (8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1 800 MHz 揮発性 2Gbit 13.75 ns ドラム 256m x 8 平行 -
MT47H128M8SH-25E IT:M TR Micron Technology Inc. MT47H128M8SH-25E IT:M TR 3.7664
RFQ
ECAD 2814 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 60-TFBGA MT47H128M8 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-fbga (8x10) - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない MT47H128M8SH-25EIT:MTR ear99 8542.32.0032 2,000 400 MHz 揮発性 1gbit 400 PS ドラム 128m x 8 平行 15ns
MT62F1536M64D8EK-023 AIT:B TR Micron Technology Inc. MT62F1536M64D8EK-023 AIT:B TR 86.2050
RFQ
ECAD 1195 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜95°C 表面マウント 441-TFBGA SDRAM- lpddr5 - 441-TFBGA - 557-MT62F1536M64D8EK-023AIT:BTR 1,500 4.266 GHz 揮発性 96gbit ドラム 1.5GX 64 平行 -
EDB2432BCPE-8D-F-D Micron Technology Inc. EDB2432BCPE-8D-FD -
RFQ
ECAD 9423 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C (TC) 表面マウント 168-wfbga EDB2432 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.95V 168-WFBGA(12x12) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) ear99 8542.32.0036 1,680 400 MHz 揮発性 2Gbit ドラム 64m x 32 平行 -
MT47H128M8JN-25E:H Micron Technology Inc. MT47H128M8JN-25E:h -
RFQ
ECAD 9309 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜85°C (TC) 表面マウント 60-TFBGA MT47H128M8 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-fbga (8x10) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,000 400 MHz 揮発性 1gbit 400 PS ドラム 128m x 8 平行 15ns
MT29F4G08ABADAWP-AATX:D Micron Technology Inc. MT29F4G08ABADAWP-AATX:d 7.6100
RFQ
ECAD 353 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ アクティブ -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) MT29F4G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 960 不揮発性 4gbit フラッシュ 512m x 8 平行 -
PF48F3000P0ZTQ0A Micron Technology Inc. PF48F3000P0ZTQ0A -
RFQ
ECAD 6677 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C(TC) 表面マウント 88-TFBGA 、CSPBGA 48F3000P0 フラッシュ - 1.7V〜2V 88-scsp( 8x10) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 52 MHz 不揮発性 128mbit 85 ns フラッシュ 8m x 16 平行 85ns
M29W128GH70ZS3E Micron Technology Inc. M29W128GH70ZS3E -
RFQ
ECAD 5437 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜125°C(タタ 表面マウント 64-lbga M29W128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-FBGA (11x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 160 不揮発性 128mbit 70 ns フラッシュ 16m x 8、8m x 16 平行 70ns
MT40A256M16GE-062E:B Micron Technology Inc. MT40A256M16GE-062E:b -
RFQ
ECAD 1604 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜95°C (TC 表面マウント 96-TFBGA MT40A256M16 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 96-FBGA (9x14) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,020 1.6 GHz 揮発性 4gbit ドラム 256m x 16 平行 -
MT53B4DBNH-DC Micron Technology Inc. mt53b4dbnh-dc -
RFQ
ECAD 7335 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 表面マウント 272-WFBGA mt53b4 SDRAM-モバイルLPDDR4 272-WFBGA - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 1,190 揮発性 ドラム
MT29F2G01ABBGD12-AUT:G TR Micron Technology Inc. MT29F2G01ABBGD12-AUT:G TR 3.1665
RFQ
ECAD 6983 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) アクティブ - 557-MT29F2G01ABBGD12-AUT:GTR 2,500
MT29F512G08CMCABH7-6:A TR Micron Technology Inc. MT29F512G08CMCABH7-6:TR -
RFQ
ECAD 3280 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 152-TBGA MT29F512G08 フラッシュ-nand (mlc) 2.7V〜3.6V 152-TBGA - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 166 MHz 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 平行 -
MT29F256G08CMCGBJ4-37ES:G TR Micron Technology Inc. MT29F256G08CMCGBJ4-37ES:G TR -
RFQ
ECAD 3077 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 132-VBGA MT29F256G08 フラッシュ-nand (mlc) 2.7V〜3.6V 132-VBGA(12x18) - ROHS3準拠 3 (168 時間) 廃止 0000.00.0000 1,000 267 MHz 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 平行 -
N25Q128A11EF740F TR Micron Technology Inc. N25Q128A11EF740F TR -
RFQ
ECAD 6864 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-vdfn露出パッド N25Q128A11 フラッシュ - 1.7V〜2V 8-VDFPN ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 108 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 32m x 4 spi 8ms、5ms
MT35XL01GBBA2G12-0AAT Micron Technology Inc. MT35XL01GBBA2G12-0AAT -
RFQ
ECAD 4898 0.00000000 Micron Technology Inc. Xccela™-MT35X バルク 前回購入します -40°C〜105°C 表面マウント 24-tbga mt35xl01 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-T-PBGA - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 133 MHz 不揮発性 1gbit フラッシュ 128m x 8 xccelaバス -
MT46H256M32L4JV-5 WT:B Micron Technology Inc. MT46H256M32L4JV-5 WT:b -
RFQ
ECAD 5551 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -25°C〜85°C(タタ 表面マウント 168-VFBGA MT46H256M32 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 168-VFBGA(12x12) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) ear99 8542.32.0036 1,000 200 MHz 揮発性 8gbit 5 ns ドラム 256m x 32 平行 15ns
MT53D512M64D4NW-053 WT:D TR Micron Technology Inc. MT53D512M64D4NW-053 WT:D TR -
RFQ
ECAD 3713 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) アクティブ -30°C〜85°C (TC) 表面マウント 432-VFBGA MT53D512 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 432-VFBGA - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 1.866 GHz 揮発性 32gbit ドラム 512m x 64 - -
MT53E2G64D8TN-046 AAT:A Micron Technology Inc. MT53E2G64D8TN-046 AAT:a 122.8500
RFQ
ECAD 7137 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 アクティブ -40°C〜105°C (TC) 表面マウント 556-LFBGA SDRAM -MOBILE LPDDR4X 1.06V〜1.17V 556-LFBGA(12.4x12.4 - 557-MT53E2G64D8TN-046AAT:a 1 2.133 GHz 揮発性 128GBIT 3.5 ns ドラム 2g x 64 平行 18ns
MT53D768M64D8WF-053 WT:D Micron Technology Inc. MT53D768M64D8WF-053 WT:d -
RFQ
ECAD 4896 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C (TC) 表面マウント 376-WFBGA MT53D768 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 376-WFBGA(14x14) - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,190 1.866 GHz 揮発性 48gbit ドラム 768m x 64 - -
MT41K128M16V89C3WC1 Micron Technology Inc. MT41K128M16V89C3WC1 5.6000
RFQ
ECAD 1259 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク アクティブ 0°C〜95°C (TC MT41K128M16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 0000.00.0000 1 揮発性 2Gbit ドラム 128m x 16 平行 -
MT48H8M32LFB5-8 TR Micron Technology Inc. MT48H8M32LFB5-8 TR -
RFQ
ECAD 7771 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) sicで中止されました 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 90-VFBGA MT48H8M32 SDRAM- lPSDR 1.7V〜1.95V 90-VFBGA (8x13 ダウンロード ROHS3準拠 2(1 年) 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 125 MHz 揮発性 256mbit 7 ns ドラム 8m x 32 平行 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫