画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MT40A2G8NEA-062E:R | 21.7650 | ![]() | 3877 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | アクティブ | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 78-TFBGA | MT40A2G8 | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 78-FBGA (7.5x11) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 557-MT40A2G8NEA-062E:R | 1,260 | 1.6 GHz | 揮発性 | 16gbit | 13.75 ns | ドラム | 2g x 8 | 平行 | 15ns | ||||
![]() | MT42L128M32D1LF-18 WT:A TR | - | ![]() | 9284 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -30°C〜85°C (TC) | 表面マウント | 168-wfbga | MT42L128M32 | SDRAM-モバイルLPDDR2 | 1.14V〜1.3V | 168-FBGA(12x12) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,000 | 533 MHz | 揮発性 | 4gbit | ドラム | 128m x 32 | 平行 | - | ||||
![]() | MT48LC64M4A2P-6A:g | - | ![]() | 4177 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | MT48LC64M4A2 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,080 | 167 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.4 ns | ドラム | 64m x 4 | 平行 | 12ns | ||
![]() | mtfc4gmvea-4m it | - | ![]() | 3351 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | バルク | sicで中止されました | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 153-WFBGA | mtfc4 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 153-wfbga(11.5x13 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8523.51.0000 | 1,000 | 不揮発性 | 32gbit | フラッシュ | 4g x 8 | MMC | - | ||||
![]() | MT60B1G16HC-48B:TR | 16.5750 | ![]() | 2988 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 102-VFBGA | SDRAM -DDR5 | - | 102-VFBGA (9x14 | - | 557-MT60B1G16HC-48B:ATR | 2,000 | 2.4 GHz | 揮発性 | 16gbit | 16 ns | ドラム | 1g x 16 | ポッド | - | |||||||
![]() | mtfc64gasaons-aat | 41.4750 | ![]() | 1319 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | 箱 | アクティブ | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 153-TFBGA | フラッシュ-nand(slc) | 2.7V〜3.6V | 153-TFBGA (11.5x13 | - | 557-MTFC64GASAONS-AAT | 1 | 52 MHz | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | UFS2.1 | - | ||||||||
![]() | MT29F1T208EGHBBG1-3R:B TR | - | ![]() | 2933 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 272-VFBGA | MT29F1T208 | フラッシュ -ナンド | 2.5V〜3.6V | 272-VBGA(14x18) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 333 MHz | 不揮発性 | 1.125tbit | フラッシュ | 144g x 8 | 平行 | - | |||
![]() | M29W160EB70ZA6E | - | ![]() | 8843 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFBGA | M29W160 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 48-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 187 | 不揮発性 | 16mbit | 70 ns | フラッシュ | 2m x 8、1m x 16 | 平行 | 70ns | |||
![]() | M25P40-VMB3TPB TR | - | ![]() | 5118 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-ufdfn露出パッド | M25P40 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 8-ufdfpn (2x3) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 2,500 | 75 MHz | 不揮発性 | 4mbit | フラッシュ | 512k x 8 | spi | 15ms、5ms | |||
![]() | MT41K256M8DA-125:k | 5.3700 | ![]() | 29 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 78-TFBGA | MT41K256M8 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-FBGA (8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1 | 800 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 13.75 ns | ドラム | 256m x 8 | 平行 | - | ||
![]() | MT47H128M8SH-25E IT:M TR | 3.7664 | ![]() | 2814 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 60-TFBGA | MT47H128M8 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 60-fbga (8x10) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | MT47H128M8SH-25EIT:MTR | ear99 | 8542.32.0032 | 2,000 | 400 MHz | 揮発性 | 1gbit | 400 PS | ドラム | 128m x 8 | 平行 | 15ns | |
![]() | MT62F1536M64D8EK-023 AIT:B TR | 86.2050 | ![]() | 1195 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜95°C | 表面マウント | 441-TFBGA | SDRAM- lpddr5 | - | 441-TFBGA | - | 557-MT62F1536M64D8EK-023AIT:BTR | 1,500 | 4.266 GHz | 揮発性 | 96gbit | ドラム | 1.5GX 64 | 平行 | - | ||||||||
![]() | EDB2432BCPE-8D-FD | - | ![]() | 9423 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜85°C (TC) | 表面マウント | 168-wfbga | EDB2432 | SDRAM-モバイルLPDDR2 | 1.14V〜1.95V | 168-WFBGA(12x12) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | ear99 | 8542.32.0036 | 1,680 | 400 MHz | 揮発性 | 2Gbit | ドラム | 64m x 32 | 平行 | - | ||||
MT47H128M8JN-25E:h | - | ![]() | 9309 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜85°C (TC) | 表面マウント | 60-TFBGA | MT47H128M8 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 60-fbga (8x10) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 400 MHz | 揮発性 | 1gbit | 400 PS | ドラム | 128m x 8 | 平行 | 15ns | |||
MT29F4G08ABADAWP-AATX:d | 7.6100 | ![]() | 353 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | MT29F4G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | 不揮発性 | 4gbit | フラッシュ | 512m x 8 | 平行 | - | |||||
![]() | PF48F3000P0ZTQ0A | - | ![]() | 6677 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 88-TFBGA 、CSPBGA | 48F3000P0 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 88-scsp( 8x10) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,800 | 52 MHz | 不揮発性 | 128mbit | 85 ns | フラッシュ | 8m x 16 | 平行 | 85ns | ||
![]() | M29W128GH70ZS3E | - | ![]() | 5437 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 64-lbga | M29W128 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA (11x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 160 | 不揮発性 | 128mbit | 70 ns | フラッシュ | 16m x 8、8m x 16 | 平行 | 70ns | |||
![]() | MT40A256M16GE-062E:b | - | ![]() | 1604 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 96-TFBGA | MT40A256M16 | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 96-FBGA (9x14) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,020 | 1.6 GHz | 揮発性 | 4gbit | ドラム | 256m x 16 | 平行 | - | |||
![]() | mt53b4dbnh-dc | - | ![]() | 7335 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 表面マウント | 272-WFBGA | mt53b4 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 272-WFBGA | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,190 | 揮発性 | ドラム | ||||||||||
![]() | MT29F2G01ABBGD12-AUT:G TR | 3.1665 | ![]() | 6983 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | 557-MT29F2G01ABBGD12-AUT:GTR | 2,500 | |||||||||||||||||||||
![]() | MT29F512G08CMCABH7-6:TR | - | ![]() | 3280 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 152-TBGA | MT29F512G08 | フラッシュ-nand (mlc) | 2.7V〜3.6V | 152-TBGA | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 166 MHz | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | 平行 | - | |||
![]() | MT29F256G08CMCGBJ4-37ES:G TR | - | ![]() | 3077 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 132-VBGA | MT29F256G08 | フラッシュ-nand (mlc) | 2.7V〜3.6V | 132-VBGA(12x18) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,000 | 267 MHz | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | 平行 | - | ||||
![]() | N25Q128A11EF740F TR | - | ![]() | 6864 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-vdfn露出パッド | N25Q128A11 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 8-VDFPN | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4,000 | 108 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 32m x 4 | spi | 8ms、5ms | |||
MT35XL01GBBA2G12-0AAT | - | ![]() | 4898 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Xccela™-MT35X | バルク | 前回購入します | -40°C〜105°C | 表面マウント | 24-tbga | mt35xl01 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-T-PBGA | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,122 | 133 MHz | 不揮発性 | 1gbit | フラッシュ | 128m x 8 | xccelaバス | - | ||||
![]() | MT46H256M32L4JV-5 WT:b | - | ![]() | 5551 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -25°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 168-VFBGA | MT46H256M32 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 168-VFBGA(12x12) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 200 MHz | 揮発性 | 8gbit | 5 ns | ドラム | 256m x 32 | 平行 | 15ns | |||
MT53D512M64D4NW-053 WT:D TR | - | ![]() | 3713 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -30°C〜85°C (TC) | 表面マウント | 432-VFBGA | MT53D512 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 432-VFBGA | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 1.866 GHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 512m x 64 | - | - | ||||
![]() | MT53E2G64D8TN-046 AAT:a | 122.8500 | ![]() | 7137 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | 箱 | アクティブ | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 556-LFBGA | SDRAM -MOBILE LPDDR4X | 1.06V〜1.17V | 556-LFBGA(12.4x12.4 | - | 557-MT53E2G64D8TN-046AAT:a | 1 | 2.133 GHz | 揮発性 | 128GBIT | 3.5 ns | ドラム | 2g x 64 | 平行 | 18ns | |||||||
MT53D768M64D8WF-053 WT:d | - | ![]() | 4896 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜85°C (TC) | 表面マウント | 376-WFBGA | MT53D768 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 376-WFBGA(14x14) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,190 | 1.866 GHz | 揮発性 | 48gbit | ドラム | 768m x 64 | - | - | ||||
![]() | MT41K128M16V89C3WC1 | 5.6000 | ![]() | 1259 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | アクティブ | 0°C〜95°C (TC | MT41K128M16 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 1 | 揮発性 | 2Gbit | ドラム | 128m x 16 | 平行 | - | ||||||||
MT48H8M32LFB5-8 TR | - | ![]() | 7771 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 90-VFBGA | MT48H8M32 | SDRAM- lPSDR | 1.7V〜1.95V | 90-VFBGA (8x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 2(1 年) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 125 MHz | 揮発性 | 256mbit | 7 ns | ドラム | 8m x 32 | 平行 | 15ns |
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